CoSi2薄膜与Si(001)界面的高分辨电子显微镜观察

利用高分辨透射电镜研究了经过550℃退火处理的共溅射CoSi2非晶结构薄膜与Si基体的界面。结果表明,550℃退火后薄膜已经发生晶化转变;同时CoSi2薄膜与Si基体发生反应扩散,在界面上生成了形状规则的CoSi2化合物,并与Si基体保持着相同的位向关系或孪晶位向关系。结合以上电镜观察,对这些界面化合物的生长机制进行了讨论。

快速退火Co/Si固相反应及CoSi_2薄膜特性研究

本文研究了利用离子束溅射、快速退火等技术,通过 Co/Si 固相反应,形成高电导均匀CoSi_2薄膜.对Co/Si 固相反应过程,氧在其中的行为等进行了分析.制备的COSi_2薄膜电阻率达15μΩcm.在快速退火条件下,Co/(111)Si固相反应形成的薄膜具有择优晶向,表明存在固相外延机制.在 4—300 K范围内,对 CoSi_2薄膜的电学输运性质进行了系统研究,CoSi_2具有正值霍尔系数,表明其具有空穴导电机制.低温载流子霍尔迁移率达到 56 cm^2/V.3。

CoSi_2薄膜二维X射线衍射线形分析与表征

利用二维X射线衍射线形分析方法,分析了CoSi2薄膜材料的二维衍射线形.结果表明,薄膜中不同方位的衍射线形存在明显差异,主要与材料中晶粒尺寸及显微畸变的空间分布有关,其中沿薄膜法线方向上的晶粒尺寸最大,同时该方向的显微畸变最小.

CoSi_2中As^+和BF_2^+注入杂质再分布形成硅化物化浅结性能研究

向CoSi_2膜中分别注入As^+和BF_2^+杂质,以这种掺杂硅化物作为扩散源,用快速热处理使注入杂质再分布至CoSi_2下面的硅衬底中,能制作出结深为0.12μm的硅化物化N^+-P和 P^+-N浅结.本文研究了所制作的浅结性能,井从注入杂质在 COSi_3/Si系统中的再分布行为,讨论了浅结形成机理.

CoSi_2合金电子结构和光学性质的理论研究

采用基于密度泛函理论框架的第一性原理计算方法,利用LSDA+U方法计算了CoSi2合金材料的电子结构和光学性质。计算结果表明,CoSi2合金能带结构的导带和价带在费米能级附近存在明显的交叠,表现出半金属特性。随着U值的增加,费米能级处的能级逐渐分裂,导带部分和价带部分分别向高能和低能方向移动,当U=8时,CoSi2合金出现自旋劈裂现象。电荷密度计算结果显示Co—Si键是一种以共价键为主且含有部分离子键成分的混合价合金材料,载流子具有明显的由Si原子向Co原子的电荷转移特性。光学吸收谱分析表明,随着U值的增大,CoSi2材料的吸收峰发生蓝移现象,吸收峰强度逐渐减弱。这些结果表明,CoSi2合金材料是一种很好的具有一定发光性能的热电材料。

CoSi_2合金的制备及其电化学性能研究

采用电弧熔炼法成功制备了CoSi_2合金,利用Rietveld结构精修法研究了该合金的晶体结构.精修结果表明CoSi_2晶体属于立方晶系,空间群Fm-3m,晶胞参数α=0.5367 nm.电化学容量和循环寿命测试发现CoSi_2合金经过活化后其电化学容量最大达到176.4 mAh/g,循环稳定性较好.对CoSi_2合金电极的电化学反应机理进行了探讨.

C^+离子注入与CoSi_2薄膜应力的研究

根据改进的Thomas-Fermi-Dirac模型,分析了CoSi_2薄膜中本征应力的起源,证明了基体与薄膜的原子表面电子密度差是薄膜本征应力的来源。实验在Si(100)基体注入碳离子(C^+),然后沉积钴(Co)薄膜,再进行快速退火(Rapid Thermal Annealing,简称 RTA)形成二硅化钴(CoSi_2)薄膜,发现薄膜中的应力随C^+离子注入剂量的增加而减少,理论计算了由C^+离子注入引起的应力减小的数值,并与实验结果进行了比较。

自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术

ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺．采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术淀积氮氧化硅薄膜，并用反应离子刻蚀（ＲＩＥ）技术形成多晶硅栅边墙．固相外延ＣｏＳｉ２薄膜技术和边墙工艺相结合，经过选择腐蚀，可以分别在源漏区和栅区形成单晶ＣｏＳｉ２和多晶ＣｏＳｉ２薄膜，构成新型自对准硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）器件结构．在Ｎ阱ＣＭＯＳ工艺中应用这种新型ＳＡＬＩＣＩＤＥ器件结构。提高了ＭＯＳ晶体管和试验电路的性能．

CoSi_2可望成为GaAs MESFET自对准工艺中的栅极材料

本文选用了Ｃｏ／Ｓｉ／ＧａＡｓ结构作为研究对象，经６００℃恒温退火及８００℃快速退火处理后，分别在ＧａＡｓ衬底上形成Ｃｏｓｉ２／ＧａＡｓＳｃｈｏｔｔｋｙ接触．采用多种薄膜和界面的测试技术，对ＣｏＳｉ２：／ＧａＡｓ的薄膜及界面特性进行了细致的研究．结果表明：热退大处理后，Ｃｏ／Ｓｉ经化学反应形成了较均匀的ＣｏＳｉ２单相，其薄膜电阻率约为３０μΩｃｍ．即使经９００℃的快速返火处理后，ＧａＡｓ界面仍保持相当的完整性，同时薄膜形貌也很理想．此外，采用Ｉ－Ｖ电学测试法对经７５０℃恒温退火处理后形成的ＣｏＳｉ２／ＧａＡＳＳｃｈｏｔｔｋｙ势垒进行测量，其势垒高度为ＢＨ＝０．７６ｅＶ；理想因子ｎ＝１．１４．因此，在ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ自对准工艺中ＣｏＳｉ２材料可望成为一种较理想的栅极材料．

CoSi_2薄膜内应力的微观机制研究

通过晶体价键理论与电子密度理论的结合,推算出CoSi_2的表面电子密度,从理论上分析了p型Si衬底的掺杂浓度对CoSi_2薄膜内应力的影响,并从实验上给予了验证.

P波段450W硅LDMOS脉冲功率器件的研制

报道了P波段450 W硅LDMOS器件的研制结果。所研制器件采用沟槽技术实现背面源结构,采用场板技术提高击穿电压并降低栅漏电容,采用多晶硅金属硅化物结构降低栅阻。研制结果表明,在漏源工作电压36 V,脉宽20 ms,占空比35.7%的测试条件下,485～606 MHz全带内输出功率达到450 W,增益大于18 dB,效率大于60%。

在Si(111)上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究

利用质量分离低能离子束外延法，在Si（111）上生长出了硅化钻薄膜．表面微结构及表面组分、化学价态的分析测试表明，此生长工艺已获得了无针孔的高品质单晶硅化钴薄膜．通过反应外延后做后退火和不做后退火样品的对比测试的结果，对这一薄膜生长的机理进行了探讨分析．

制备参数对磁控溅射CoSi_2薄膜织构的影响

采用射频磁控溅射法溅射CoSi2合金靶材制备CoSi2薄膜,研究了制备参数对薄膜织构的影响。结果表明,CoSi2薄膜中存在(111)或(220)织构。织构的形成受溅射参数的影响。溅射功率越大,溅射气压越低,(111)织构越强烈。当基底温度增加时,织构经历了先增强后减弱的过程。

CoSi_2(001)表面的第一原理计算

基于广义梯度近似的从头算平面波超软赝势方法,考虑了CoSi2(001)面的Si和Co两种终止表面。结果表明表面能较低的Si终止表面比Co终止表面稳定。但是,由于差距不大,这两种终止表面可以共同存在。两种不同终止表面第1层原子与第2层原子弛豫后的间距都变小,Si终止表面的表面四层间距弛豫量略大于Co终止表面。

单晶硅化物及其应用

本文评述了单晶CoSi_2和NiSi_2的结构特点、各种制备方法、器件应用和发展前景。采用分子束外延(MBE)和“内延”法(Mesotaxy)制备的单晶硅化物质量,电学性能和热稳定性较好。由于首次得到理想的突变的金属——半导体接触,使对金属——半导体接触的理论分析成为可能。硅/单晶硅化物/硅结构在实际应用中非常重要,如单晶硅化物作集电极埋层,能降低集电极串联电阻,克服重掺杂埋层的横扩和自掺杂问题,提高了电路工作速度,减小了器件面积。埋层硅化物也可作为微波传输线的地线,是实现高频集成电路互连的好方法。而采用该结构制备的高速器件——金属基区晶体管(MBT)和穿透基区晶体管(PBT),具有很好的应用前景。

大束流Co离子注入形成CoSi_2/Si Schottky结的特性

采用 Schottky结源漏结构是克服传统 MOSFET器件短沟效应的一种有效方法。不同于常规的固相反应形成硅化物的方法 ,该文利用金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源进行强流金属离子注入合成了金属硅化物 Co Si2 ,并首次对其与 Si所形成的 Schottky结特性进行了研究。结果表明85 0℃退火 1m in后已形成 Co Si2 硅化物晶相 ,且结深易于控制。电流特性表明 p型衬底得到了较好的 Schottky结 ,势垒高度为 0 .4 8e V,理想因子为 1.0 9,而 n型衬底形成的Schottky结的理想因子偏大 。

金属的光学常数手册：图表

本书是一本数据手册。书中描述了金属元素（Na、Au、Mg、Hg、Sc、Al、Ti、B．sn、V、Cr、Mn、Fe、La、Th等），半金属元素（石墨、sb等），金属化合物（TiN、VC、TiSi、CoSi2等），