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在Si(111)上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究
被引量:
1
1
作者
吴正龙
姚振钰
+2 位作者
张建辉
刘志凯
秦复光
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期492-495,共4页
利用质量分离低能离子束外延法,在Si(111)上生长出了硅化钻薄膜.表面微结构及表面组分、化学价态的分析测试表明,此生长工艺已获得了无针孔的高品质单晶硅化钴薄膜.通过反应外延后做后退火和不做后退火样品的对比测试的结果,对...
利用质量分离低能离子束外延法,在Si(111)上生长出了硅化钻薄膜.表面微结构及表面组分、化学价态的分析测试表明,此生长工艺已获得了无针孔的高品质单晶硅化钴薄膜.通过反应外延后做后退火和不做后退火样品的对比测试的结果,对这一薄膜生长的机理进行了探讨分析.
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关键词
硅化钴
薄膜
XPS
RDE
外延生长
硅
SEM
下载PDF
职称材料
CoSi_2薄膜二维X射线衍射线形分析与表征
被引量:
2
2
作者
姜传海
程凡雄
吴建生
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期487-490,共4页
利用二维X射线衍射线形分析方法,分析了CoSi2薄膜材料的二维衍射线形.结果表明,薄膜中不同方位的衍射线形存在明显差异,主要与材料中晶粒尺寸及显微畸变的空间分布有关,其中沿薄膜法线方向上的晶粒尺寸最大,同时该方向的显微畸变最小.
关键词
cosi2
薄膜材料
二维X射线衍射
线形分析
下载PDF
职称材料
题名
在Si(111)上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究
被引量:
1
1
作者
吴正龙
姚振钰
张建辉
刘志凯
秦复光
机构
北京师范大学分析测试中心
中国科学院半导体研究所
出处
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期492-495,共4页
基金
"八五"攻关计划资助!857010504
文摘
利用质量分离低能离子束外延法,在Si(111)上生长出了硅化钻薄膜.表面微结构及表面组分、化学价态的分析测试表明,此生长工艺已获得了无针孔的高品质单晶硅化钴薄膜.通过反应外延后做后退火和不做后退火样品的对比测试的结果,对这一薄膜生长的机理进行了探讨分析.
关键词
硅化钴
薄膜
XPS
RDE
外延生长
硅
SEM
Keywords
ion beam reaction deposition
cosi2 film
X-ray photoelectron spectroscopy
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
TN304.205 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
CoSi_2薄膜二维X射线衍射线形分析与表征
被引量:
2
2
作者
姜传海
程凡雄
吴建生
机构
上海交通大学材料科学与工程学院高温材料及高温测试教育部重点实验室
出处
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期487-490,共4页
基金
国家自然科学基金50131030上海AM基金项目0211资助
文摘
利用二维X射线衍射线形分析方法,分析了CoSi2薄膜材料的二维衍射线形.结果表明,薄膜中不同方位的衍射线形存在明显差异,主要与材料中晶粒尺寸及显微畸变的空间分布有关,其中沿薄膜法线方向上的晶粒尺寸最大,同时该方向的显微畸变最小.
关键词
cosi2
薄膜材料
二维X射线衍射
线形分析
Keywords
cosi2 film
two-dimensional X-ray diffraction
profile analysis
分类号
TG115 [金属学及工艺—物理冶金]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
在Si(111)上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究
吴正龙
姚振钰
张建辉
刘志凯
秦复光
《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
下载PDF
职称材料
2
CoSi_2薄膜二维X射线衍射线形分析与表征
姜传海
程凡雄
吴建生
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
2
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职称材料
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