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题名LTO3制式磁头的研制
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作者
邓俊彦
邓沛然
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机构
东莞理工学院城市学院实验中心
上海工程技术大学材料工程学院
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出处
《信息记录材料》
2010年第5期58-62,共5页
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文摘
LTO制式的磁带机用于服务器上的数据储存,自推向市场以来,不断地推出新产品,并成为这个市场的主流产品。LTO3是第3代LTO产品,磁头为各向异性磁致电阻磁头(AMR),本文通过对磁头的关键参数进行优化设计,如磁致电阻材料NiFe、偏转磁场材料CoZrMo和屏蔽层的参数,获得了良好的性能,写信号的磁道磁场均匀,写电流、Overwrite、信号波形不对称度、输出电压和磁头的原始读错误率(Raw Read Er-ror Rate)等关键测试参数均能满足要求,产品已批量生产。
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关键词
LTO3制式
各向异性磁致电阻磁头
原始读错误率
NIFE
cozrmo
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Keywords
LTO3 format
AMR heads
raw read error rate
NiFe
cozrmo
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分类号
TQ587.5
[化学工程—精细化工]
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