氮化镓HEMT器件的新型Cold FET模型

改进等效寄生电感的提取对提高小信号等效电路模型的仿真精度具有重要意义,尤其是氮化镓器件(GaN)。针对传统的等效寄生电感提取方法,本文推导了用于GaN HEMT器件的新型Cold FET模型及参数提取。通过对栅宽分别为200μm和1 000μm GaN HEMT的仿真/测试,表明:新的Cold FET模型可用于GaN HEMT器件等效寄生电感的提取。这将有助于场效应晶体管模型的研究。

MESFET和PHEMT大信号建模

分析了 MESFET和 PHEMT大信号建模的现状 ,提出了在 DC和脉冲两种状态下通用于 MESFET和 PHEMT的精确 I-V模型 ;提出了具有二维 C-V模型精度的一维C-V模型和负载线 S参数测量提取方法 ;提出了采用改进 Cold FET测量与提取技术进行管壳封装器件建模的方法。本文的大信号模型具有很好的数值收敛性和标准的等效电路。提出的模型精确地模拟了器件的 DC I-V、脉冲 I-V、偏置相关 S参数、 C-V特性和电路的功率、增益、效率以及线性特性 ,并用几个实例证实了其精度和通用性。