接地共面波导与芯片级联结构设计与优化

针对传输线与芯片级联时产生阻抗突变,导致传输效率下降的问题,基于接地共面波导与芯片级联结构,提出了一种适用于X~Ka波段的匹配带线解决方法。通过S参数提取芯片的输入阻抗,并对射频电路中的阻抗不连续点进行分析,设计阻抗匹配电路并建立三维仿真模型。通过有限元仿真分析,讨论了匹配电路和键合引线中心间距对射频传输性能的影响,对比分析了不同结构及不同匹配电路的传输性能差异。仿真结果显示:在X~Ka波段范围内,匹配电路可令接地共面波导与芯片级联结构的S11<-21 dB,S21>-0.19 dB。优化后的接地共面波导与芯片级联结构可在降低传输损耗的同时显著提高射频信号的隔离度,减少信道串扰,为厘米波频段下射频电路的设计提供理论参考。

基于AlGaN/GaNHEMT的功率放大器的研究进展

介绍了几类常见的基于AlGaN/GaNHEMT的微波功率放大器;论述了制造微波功率放大器的两种关键工艺技术———倒装芯片集成(FCIC)和共平面线(CPW);分析了自行研制的微波功率放大器核心器件AlGaN/GaNHEMT的性能。

一种用于毫米波的共面波导间的宽带互联结构

在多芯片组件中,微波传输线间一般使用金丝键合的方式进行连接。受金丝自身的等效电感和其与基板及壳体间存在的寄生电容的影响,键合金丝结构在毫米波频段下带来了较大的阻抗失配。为了解决该问题,文中从等效集总元件角度出发,对阻抗变换公式进行了推导,分析得出串联低阻抗传输线可以等效为并联集总电容的结论,可以与键合金丝的等效模型一起,构成等效低通滤波器,完成阻抗匹配。文中使用共面波导结构制作了键合金丝匹配结构测试件,测试结果显示,在30~40GHz内S11<-20dB、 S21>-0.2dB,具有优良的传输性能。该结构具有较强的实用性,可以用于毫米波频段下的微波组件设计。