低温度系数的CrSi薄膜电阻的制备工艺

采用磁控溅射法制备低温度系数CrSi薄膜电阻,研究了制备过程中溅射条件对CrSi薄膜电阻温度系数的影响,包括溅射功率、衬底加热温度、工艺气体体积流量和反应气体体积流量。这些条件通过改变CrSi薄膜这种不连续金属薄膜中的晶粒大小和晶粒间距,进而影响CrSi薄膜电阻的电阻率。通过优化溅射功率、衬底加热温度、工艺气体体积流量和反应气体体积流量,得到合适的晶粒大小和晶粒间距,从而得到电阻温度系数为-3.88×10-6/℃的CrSi薄膜,为CrSi薄膜电阻的集成应用提供了工艺基础。