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Synthesis and application of TiO_2 single-crystal nanorod arrays grown by multicycle hydrothermal for dye-sensitized solar cells 被引量:1
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作者 朱建晶 赵宇龙 +2 位作者 朱磊 顾修全 强颖怀 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第4期629-633,共5页
TiO2 is a wide band gap semiconductor with important applications in photovoltaic cells. Vertically aligned Tit2 nanorod arrays (NRs) are grown on the fluorine-doped tin oxide (FTO) substrates by a multicycle hydr... TiO2 is a wide band gap semiconductor with important applications in photovoltaic cells. Vertically aligned Tit2 nanorod arrays (NRs) are grown on the fluorine-doped tin oxide (FTO) substrates by a multicycle hydrothermal synthesis process. The samples are characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), and selected-area electron diffraction (SAED). It is found that dye-sensitized solar cells (DSSCs) assembled by the as-prepared Tit2 single-crystal NRs exhibit different trends under the condition of different nucleation and growth concentrations. Optimum cell performance is obtained with high nucleation concentration and low growth cycle concentration. The efficiency enhancement is mainly attributed to the improved specific surface area of the nanorod. 展开更多
关键词 TiO2 single-crystal nanorod array mild multicycle hydrotherrnal dye-sensitized solar cell lowgrowth cycle concentration
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Room temperature synthesis of single-crystal Te nanorods from Na_2TeO_4
2
作者 MIAO Chunyan YAO Youwei WAN Junxi TANG Guoyi 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第6期608-611,共4页
Single-crystalline tellurium nanorods were synthesized through the reduction of Na2TeO4 by hydrazine monohydrate, in the absence of surfactants, in an aqueous ammonia solution at room temperature. X-ray diffraction (... Single-crystalline tellurium nanorods were synthesized through the reduction of Na2TeO4 by hydrazine monohydrate, in the absence of surfactants, in an aqueous ammonia solution at room temperature. X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM), and selected area electron diffraction (SAED) were used to characterize the composition and morphology of the products. The concentration of the OH ion has a significant influence on the morphology of the products and is found to be responsible for tailoring the crystal growth dynamically: the concentration of Te blocking in the solution is reduced via increasing the concentration of the OH^- ion, and subsequently the nucleation rate of Te is suppressed and Te nanorods gradually grow because of the inherently anisotropic structure of Te. New generation tellurium atoms add to the surface of the particles during the long period of reaction. 展开更多
关键词 nanorodS TELLURIUM room temperature synthesis single crystal sodium tellurate
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p-Type CaFe_2O_4 semiconductor nanorods controllably synthesized by molten salt method 被引量:1
3
作者 Xin Liu Junzhe Jiang +4 位作者 Yushuai Jia Ailing Jin Xiangshu Chen Fei Zhang Hongxian Han 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第3期381-386,共6页
Pure phase, regular shape and well crystallized nanorods of p-type semiconductor CaFeOhave been fabricated for the first time by a facile molten salt assisted method, as confirmed by XRD, TEM, SEM and HRTEM. UV-vis di... Pure phase, regular shape and well crystallized nanorods of p-type semiconductor CaFeOhave been fabricated for the first time by a facile molten salt assisted method, as confirmed by XRD, TEM, SEM and HRTEM. UV-vis diffuse reflectance spectra and Mott–Schottky plots show that the band structure of the CaFeOnanorods is narrower than that of the CaFeOnanoparticles synthesized by conventional method. The enhancement of the visible-light absorption is due to narrowness of the band gap in CaFeOnanorods. The appropriate ratio between the molten salt and the CaFeOprecursors plays an important role in inhibiting the growth of the crystals along the(201) plane to give the desired nanorod morphology. This work not only demonstrates that highly pure p-type CaFeOsemiconductor with tunable band structure and morphology could be obtained using the molten salt strategy, but also affirms that the bandgap of a semiconductor may be tunable by monitoring the growth of a particular crystal plane.Furthermore, the facile eutectic molten salt method developed in this work may be further extended to fabricate some other semiconductor nanomaterials with a diversity of morphologies. 展开更多
关键词 p-Type semiconductor CaFe_2O_4 nanorods Molten salt crystal plane Visible-light absorption
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Effect of Different Plasmonic Nano-Inclusion on Double Negative-Semiconductor Photonic Crystal in Visible Region:Gain Assistance and All-Angle Negative Refraction 被引量:1
4
作者 Monika Rajput Ravindra K.Sinha 《Journal of Electronic Science and Technology of China》 2010年第1期10-15,共6页
A gain assisted double negative- Metallo-semiconductor photonic crystal (DN-MSPC) for visible light with effect of different plasmonic (Al, Ag, Au, Cu) nanorod inclusion, is presented. Negative real values of both... A gain assisted double negative- Metallo-semiconductor photonic crystal (DN-MSPC) for visible light with effect of different plasmonic (Al, Ag, Au, Cu) nanorod inclusion, is presented. Negative real values of both permeability (μ) and permittivity (ε) with extremely low imaginary values for visible light is obtained by applying Coupled dipole approximation. All-Angle negative refraction is obtained by applying surface plasmon polariton excitation (SPPE) in DN-MSPC operating in a dispersion regime with anti-parallel refracted wave vector and Poynting vector. Index matched to the incident light and compensated losses due the gain assistance leads the light amplification in the designed structure. Furthermore, extremely high left-handed transmission efficiency (〉99%) is also investigated. Demonstration of near and far-field resonance patterns reveal the nano-photonic device applications potential i.e. highly directional optical nanoantenna, filter, etc. 展开更多
关键词 nanorodS negative index materials photonic crystal.
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种晶法调控Au纳米棒形貌及其对LSPR吸收峰的影响
5
作者 姚华君 马改兰 +1 位作者 马波 李茂辉 《现代工程科技》 2024年第15期61-64,共4页
金属纳米材料具有独特的局域表面等离子共振效应(LSPR),通过形貌控制使其在近红外光区附近进行调制具有重要的研究意义。采用种晶法制备Au纳米棒,通过调控晶种添加量和氯金酸添加量改变金纳米棒长径比,实现对LSPR吸收峰的调制。结果表明... 金属纳米材料具有独特的局域表面等离子共振效应(LSPR),通过形貌控制使其在近红外光区附近进行调制具有重要的研究意义。采用种晶法制备Au纳米棒,通过调控晶种添加量和氯金酸添加量改变金纳米棒长径比,实现对LSPR吸收峰的调制。结果表明800μL的晶种添加量是制备Au纳米棒的最佳剂量,其产物为多晶结构,产量最大,尺寸分布最均匀。氯金酸添加量对Au纳米棒的尺寸有较大影响,即氯金酸添加量越大,Au纳米棒越短。Au纳米棒的LSPR特征峰随着颗粒形貌的变化出现明显的偏移,且颗粒越细、长度越长,对近红外光的吸收越强,特征吸收峰会逐渐红移。 展开更多
关键词 种晶法 Au纳米棒 LSPR效应
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常温直接沉淀法制备ZnO纳米棒 被引量:20
6
作者 叶红勇 赖宏伟 +3 位作者 吴淑杰 崔湘浩 阚秋斌 榆正根 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期312-315,共4页
在常温下,以PEG-400(聚乙二醇400)为表面活性剂,采用直接沉淀法合成了ZnO纳米棒.产物用XRD,TEM,SAED和HRTEM等进行了表征.结果表明,所得ZnO为一维的纳米棒,属于六方纤维矿的单晶结构.ZnO纳米棒的直径在20~40nm之间,长度在... 在常温下,以PEG-400(聚乙二醇400)为表面活性剂,采用直接沉淀法合成了ZnO纳米棒.产物用XRD,TEM,SAED和HRTEM等进行了表征.结果表明,所得ZnO为一维的纳米棒,属于六方纤维矿的单晶结构.ZnO纳米棒的直径在20~40nm之间,长度在300~800nm范围.(0001)面为ZnO纳米棒的生长方向.讨论了ZnO相的生成和ZnO纳米棒的形成机理以及PEG-400在其形成过程中的作用. 展开更多
关键词 ZNO纳米棒 晶体生长 直接沉淀 常温
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磁性Fe_3O_4六方片状晶体和单晶纳米棒的水热合成 被引量:5
7
作者 刘奕 高勇谦 郭范 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期782-785,共4页
本文分别以FeSO4.7H2O、(NH4)2Fe(SO4)2.6H2O和NaOH、NH3.H2O为原料,以KC lO4与KNO3为氧化剂,采用水热合成法分别合成出Fe3O4六角片状晶体和单晶纳米棒。产物分别用X射线衍射仪(XRD)谱图、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)谱图... 本文分别以FeSO4.7H2O、(NH4)2Fe(SO4)2.6H2O和NaOH、NH3.H2O为原料,以KC lO4与KNO3为氧化剂,采用水热合成法分别合成出Fe3O4六角片状晶体和单晶纳米棒。产物分别用X射线衍射仪(XRD)谱图、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)谱图以及磁滞回线图谱加以表征。结果表明,反应物原料及氧化剂的选择对Fe3O4单晶的制备及其形态的影响至关重要。反应温度控制在110℃,时间为14h。室温下,Fe3O4六方片状晶体和单晶纳米棒的磁化率(MS)和矫顽力(HC)均有所区别。 展开更多
关键词 FE3O4 水热合成 晶体 纳米棒
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水热法合成SnO_2金红相纳米柱和亚微米晶体 被引量:6
8
作者 张子生 张晓军 +3 位作者 王伟伟 李军 刘超 韦志仁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期736-738,共3页
本文采用水热法,以SnCl4·5H2O为前驱物,在180℃,填充度为68%,反应时间8h,强酸环境条件下合成了SnO2纳米金红相晶体,直径约为5~10nm,长30~100nm。加入一定量的NaOH,调节溶液pH值为强碱性(pH=11),同样条件下也合成了S... 本文采用水热法,以SnCl4·5H2O为前驱物,在180℃,填充度为68%,反应时间8h,强酸环境条件下合成了SnO2纳米金红相晶体,直径约为5~10nm,长30~100nm。加入一定量的NaOH,调节溶液pH值为强碱性(pH=11),同样条件下也合成了SnO2金红相纳米柱晶体,长200nm、直径10~20nm.提高水热反应的温度为430℃,矿化剂为3mol/L NaOH,反应时间24h,合成了亚微米金红相SnO2晶体,最大线度为300nm. 展开更多
关键词 二氧化锡 水热合成 纳米柱 晶体
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GaN纳米棒的催化合成及其发光特性(英文) 被引量:4
9
作者 陈金华 薛成山 +3 位作者 庄惠照 李红 秦丽霞 杨兆柱 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第2期355-358,共4页
使用稀土元素Tb作催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,成功制备出GaN纳米棒.X射线衍射测试显示,GaN纳米棒具有六方结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出,纳米棒为单晶GaN,纳米棒的直径为50-150nm... 使用稀土元素Tb作催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,成功制备出GaN纳米棒.X射线衍射测试显示,GaN纳米棒具有六方结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出,纳米棒为单晶GaN,纳米棒的直径为50-150nm,长度约10μm.光致发光谱在368.6nm处有一强的紫外发光峰,说明纳米棒具有良好的发光特性.讨论了GaN纳米棒的生长机制. 展开更多
关键词 GAN 纳米棒 单晶 发光
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ZnO单晶堆垒纳米棒的制备与表征 被引量:2
10
作者 孙海波 石锋 +2 位作者 曹玉萍 薛成山 修显武 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期520-522,526,共4页
在Au点阵模板上磁控溅射ZnO薄膜,然后在O2气氛下1000℃退火制备了ZnO单晶堆垒纳米棒。采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)和傅立叶变换红外(FTIR)光谱对样品进行分析。结果表明,ZnO纳米棒是由诸多... 在Au点阵模板上磁控溅射ZnO薄膜,然后在O2气氛下1000℃退火制备了ZnO单晶堆垒纳米棒。采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)和傅立叶变换红外(FTIR)光谱对样品进行分析。结果表明,ZnO纳米棒是由诸多单晶堆垒而成,每个单晶均为六方纤锌矿结构,纳米棒直径在100nm左右。初步探讨了ZnO单晶堆垒纳米棒可能的生长机理。 展开更多
关键词 氧化锌 单晶堆垒 纳米棒
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二氧化钛纳米棒的制备及其晶体生长机理分析 被引量:17
11
作者 陈超 王智宇 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期45-48,共4页
采用溶剂热法合成具有高结晶性与单分散性的TiO2纳米棒.采用TEM、XRD、HRTEM等对样品的微观结构进行表征,并考察了TiO2纳米棒对亚甲基蓝的光催化性能.通过控制反应时间、反应温度,研究纳米棒的形貌演变规律.结果表明,可以通过"奥... 采用溶剂热法合成具有高结晶性与单分散性的TiO2纳米棒.采用TEM、XRD、HRTEM等对样品的微观结构进行表征,并考察了TiO2纳米棒对亚甲基蓝的光催化性能.通过控制反应时间、反应温度,研究纳米棒的形貌演变规律.结果表明,可以通过"奥斯特瓦尔德熟化"和"取向接触"两种晶体生长过程制备出棒状TiO2纳米晶,降低纳米晶的表面能是晶体生长与形貌演变的主要驱动力;高结晶性的TiO2纳米棒具有高于P25的光催化能力. 展开更多
关键词 TiO2纳米棒 晶体生长 光催化 奥斯特瓦尔德熟化 取向接触
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水热-溶剂热法制备纳米CdS 被引量:4
12
作者 李婷 孙淑清 崔津津 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2008年第3期227-231,共5页
硫化镉(CdS)是典型的半导体材料之一,因其在光电、光学和催化方面的应用前景,引起了广泛的重视.文中结合水热法和溶剂热法,在高压釜中形成以水和正己烷为溶剂的两相溶剂,并借助超声分散,以氯化镉(CdCl2)和硫代乙酰胺(TAA)为原料,在不同... 硫化镉(CdS)是典型的半导体材料之一,因其在光电、光学和催化方面的应用前景,引起了广泛的重视.文中结合水热法和溶剂热法,在高压釜中形成以水和正己烷为溶剂的两相溶剂,并借助超声分散,以氯化镉(CdCl2)和硫代乙酰胺(TAA)为原料,在不同的加热时间和加热温度条件下成功制得CdS纳米粒子和纳米棒,并用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、扫描电镜(SEM)、能谱及荧光光谱(LS)对其晶型、形貌、尺寸、组成进行了表征.结果表明,制得的CdS纳米粒子与纳米棒尺寸分布均匀,分散性好;加热时间和加热温度是CdS晶型的主要影响因素,即较低的温度有利于CdS立方晶的形成,较高的温度有利于六方晶的形成;同时,延长加热时间有利于晶型的完善,但颗粒粒径会随之增大. 展开更多
关键词 CDS 晶型 纳米粒子 纳米棒
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钨酸钠水热法合成晶态WO_3纳米棒及其表征 被引量:2
13
作者 傅小明 杨在志 刘照文 《粉末冶金工业》 CAS 北大核心 2011年第3期11-15,共5页
以钨酸钠为原料,硫酸钾为辅助盐,在强酸性反应体系通过水热法合成了WO3纳米棒。利用XRD、SEM、TEM和SAED对试样进行分析,研究结果表明:在水热法体系中合成WO3纳米棒时,随着pH值的增加和反应温度的升高,二者都有利于WO3纳米棒的合成。... 以钨酸钠为原料,硫酸钾为辅助盐,在强酸性反应体系通过水热法合成了WO3纳米棒。利用XRD、SEM、TEM和SAED对试样进行分析,研究结果表明:在水热法体系中合成WO3纳米棒时,随着pH值的增加和反应温度的升高,二者都有利于WO3纳米棒的合成。在pH值为1.5和反应温度为210℃下合成直径小于100 nm的晶态WO3纳米棒,其直径分布较均匀。对不同条件下水热法合成的WO3进行紫外可见光的吸收光谱分析可得,随着反应体系中pH值的增加和反应温度的升高,获得的WO3的紫外光吸收能力逐渐增强。特别是WO3纳米棒具有良好的紫外光吸收能力。 展开更多
关键词 钨酸钠 水热法 三氧化钨 晶态纳米棒
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简捷溶剂热技术制备纳米棒基PbS树枝晶(英文) 被引量:1
14
作者 胡寒梅 邓崇海 +1 位作者 朱绍峰 李燕 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第1期43-46,共4页
以氯化铅和硫氰酸钾为原料,乙二醇为溶剂,采用简捷溶剂热技术制备了半导体PbS纳米棒基树枝晶。粉体用XRD、XPS、FESEM、TEM和ED进行了表征。单个PbS树枝晶具有三维空间结构,由一个主干和四个相互垂直侧枝组成。主干长2~10μm,直径150~... 以氯化铅和硫氰酸钾为原料,乙二醇为溶剂,采用简捷溶剂热技术制备了半导体PbS纳米棒基树枝晶。粉体用XRD、XPS、FESEM、TEM和ED进行了表征。单个PbS树枝晶具有三维空间结构,由一个主干和四个相互垂直侧枝组成。主干长2~10μm,直径150~300μm,每组侧枝纳米棒相互平行,沿主干垂直生长,棒长0.1~1.5μm,直径80~180nm。并对生长过程进行了探讨。 展开更多
关键词 PBS 溶剂热技术 树枝晶 纳米棒
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晶种分布对氧化锌纳米棒生长的影响 被引量:5
15
作者 张学骜 邵铮铮 +2 位作者 贾红辉 常胜利 杨俊才 《物理实验》 北大核心 2009年第5期12-16,共5页
采用水热法在氧化锌晶种修饰的衬底上生长氧化锌纳米棒,利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)系统地分析了晶种分布状态对氧化锌纳米棒排列的影响.SEM结果表明随着晶种密度的增大,氧化锌纳米棒从排列无序向具有高度取向的紧密有... 采用水热法在氧化锌晶种修饰的衬底上生长氧化锌纳米棒,利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)系统地分析了晶种分布状态对氧化锌纳米棒排列的影响.SEM结果表明随着晶种密度的增大,氧化锌纳米棒从排列无序向具有高度取向的紧密有序纳米棒阵列转变,反映纳米棒端面垂直生长优化;XRD表征显示,随着晶种密度的增大,(002)峰增强,(110)峰减弱,即端面衍射增强,侧面衍射减弱,与SEM结果相对应.同时在生长的氧化锌纳米棒中存在链状和花状的簇结构,分析表明这些簇结构与晶种在衬底上的特殊分布状态有关. 展开更多
关键词 氧化锌纳米棒 晶种 取向性 簇结构
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ZnO纳米杆的生长和发光特性研究 被引量:5
16
作者 梁会琴 田玉 刘照军 《信阳师范学院学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2007年第4期462-464,471,共4页
用简单的真空热蒸发纯Zn粉工艺,在顺逆气流不同的情况下,直接在硅片上生长出比较定向的单晶ZnO纳米杆阵列.用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、高分辨透射电镜(HRTEM)和室温光致发光谱(PL),研究了ZnO样品的... 用简单的真空热蒸发纯Zn粉工艺,在顺逆气流不同的情况下,直接在硅片上生长出比较定向的单晶ZnO纳米杆阵列.用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、高分辨透射电镜(HRTEM)和室温光致发光谱(PL),研究了ZnO样品的结构、形貌和光学性质.结果表明:ZnO纳米杆为具有六方纤锌矿的单晶结构,纳米杆沿着[0001]的方向生长,顺气流时顶部为完整六边形,逆气流时顶部为六棱锥.这种顶部形貌的不同,是由于顺逆气流对应不同的锌蒸汽压而引起的.光致发光谱表明制备的ZnO纳米杆具有较好的绿光光学性能. 展开更多
关键词 氧化锌 纳米杆 定向性 晶体生长 发光特性
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晶面择优取向ZnO纳米棒阵列膜的制备及其光催化活性研究 被引量:3
17
作者 马磊 李新勇 +2 位作者 邹龙江 全燮 陈国华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期648-651,共4页
采用简单、低温的方法,在修饰过的Zn片上成功制备出具有高度取向的ZnO纳米棒阵列。用SEM、XRD和PL技术对制备出的ZnO纳米棒的结构和谱学特性进行了表征,并通过降解甲基橙溶液研究了其光催化活性。结果表明,ZnO纳米棒是六方钎锌矿磊,与... 采用简单、低温的方法,在修饰过的Zn片上成功制备出具有高度取向的ZnO纳米棒阵列。用SEM、XRD和PL技术对制备出的ZnO纳米棒的结构和谱学特性进行了表征,并通过降解甲基橙溶液研究了其光催化活性。结果表明,ZnO纳米棒是六方钎锌矿磊,与基底垂直,具有沿(002)晶面择优生长的特征。统计结果显示,湿化学反应24h后90%以上的ZnO纳米棒直径为8O~140nm,长度为4μm。在PL谱中观察到3个荧光发射带,中心波长分别位于386nm的紫带、524nm的绿带和450~500nm附近的蓝带。ZnO纳米棒的光催化反应为一级反应,表观速率常数与甲基橙的初始浓度有关。 展开更多
关键词 ZNO纳米棒 晶面择优取向 锌片 光催化 甲基橙
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ZnO纳米棒在Si衬底上外延生长研究 被引量:3
18
作者 唐斌 邓宏 +3 位作者 张强 税正伟 陈建勇 赵春兰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期540-544,共5页
运用热蒸发ZnO粉末法,以金做催化剂,分别在Si(100)和Si(111)两种基片上外延生长了ZnO纳米棒(样品分别标为1#和2#)。通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析,结合ZnO与Si的晶格结构特征,从理论上得出了两个样品的晶格匹配关系。1#... 运用热蒸发ZnO粉末法,以金做催化剂,分别在Si(100)和Si(111)两种基片上外延生长了ZnO纳米棒(样品分别标为1#和2#)。通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析,结合ZnO与Si的晶格结构特征,从理论上得出了两个样品的晶格匹配关系。1#样品:[0001]ZnO∥[114]Si,[0001]ZnO∥[1-1-4]Si,[0001]ZnO∥[11-4]Si,[0001]ZnO∥[1-14]Si,失配度为1.54%;2#样品:[0001]ZnO∥[111]Si,[21-1-0]ZnO∥[11-0]Si,[1-21-0]ZnO∥[1-01]Si,[1-1-20]ZnO∥[011-]Si,失配度为18.12%。研究表明Si衬底对ZnO纳米棒生长方向具有调控作用。 展开更多
关键词 ZNO纳米棒 外延生长 晶格常数 失配度
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油酸修饰TiO_2纳米棒的溶剂热合成及形貌调控研究 被引量:3
19
作者 吕玉珍 孙倩 +3 位作者 李超 单秉亮 齐波 李成榕 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期719-724,共6页
采用溶剂热法在两种不同反应体系中制备TiO_2纳米棒,采用X射线粉末衍射法(XRD)、透射电镜(TEM)、红外光谱(FT-IR)和热重分析(TG)对产物的结构、形貌和表面修饰状态进行表征。结果表明,表面修饰和结晶过程是影响TiO_2纳米棒形貌的主要因... 采用溶剂热法在两种不同反应体系中制备TiO_2纳米棒,采用X射线粉末衍射法(XRD)、透射电镜(TEM)、红外光谱(FT-IR)和热重分析(TG)对产物的结构、形貌和表面修饰状态进行表征。结果表明,表面修饰和结晶过程是影响TiO_2纳米棒形貌的主要因素,在无水反应体系中,当钛盐与油酸配比为1︰10时所制TiO_2纳米棒的长径比可达11.5,是相同配比水解反应体系产物的2.3倍。这一方面是因为油酸在TiO_2表面的选择性吸附促使晶粒沿一维方向生长,增加其用量提高了纳米棒的长径比;另一方面,无水体系反应速率较水解体系缓慢,有利于晶粒的充分生长和纳米棒之间的"定向附着",显著增大了纳米棒的长径比。所得最佳长径比TiO_2纳米棒对变压器油的正冲击击穿强度显示出良好的改性作用。 展开更多
关键词 TiO2纳米棒 表面修饰 结晶过程 形貌调控 定向附着
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磁控溅射与氨化法催化合成GaN纳米棒 被引量:1
20
作者 陈金华 薛成山 +3 位作者 庄惠照 秦丽霞 李红 杨兆柱 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期557-558,562,共3页
使用一种新奇的稀土元素作为GaN纳米棒生长的催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜成功合成了大规模的GaN纳米棒。采用扫描电子显微镜,X射线衍射,透射电子显微镜,高分辨透射电子显微镜和傅立叶红外吸收光谱来检测样品的形... 使用一种新奇的稀土元素作为GaN纳米棒生长的催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜成功合成了大规模的GaN纳米棒。采用扫描电子显微镜,X射线衍射,透射电子显微镜,高分辨透射电子显微镜和傅立叶红外吸收光谱来检测样品的形态,结构和成分。研究结果表明,合成的样品为六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米棒。最后讨论了GaN纳米棒的生长机理。 展开更多
关键词 纳米棒 GAN 溅射 单晶
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