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通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响
被引量:
1
1
作者
林晓玲
侯通贤
+1 位作者
章晓文
姚若河
《华南理工大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期135-139,共5页
基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性,造成通孔高度、通孔沟槽深度和通孔底部阻挡层厚度的变化,以及这一变化对互连通孔和通孔底...
基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性,造成通孔高度、通孔沟槽深度和通孔底部阻挡层厚度的变化,以及这一变化对互连通孔和通孔底部互连应力诱生空洞的影响.结果表明:Cu/低-k互连中的通孔微结构效应,是影响互连应力和形成应力诱生空洞的重要因素.大高宽比的通孔结构更易因通孔高度变化而发生应力诱生空洞;通孔沟槽可以有效提高互连应力迁移的可靠性,但需要控制其深度;通孔底部阻挡层厚度对互连应力诱生空洞性能具有矛盾性,需要折中考虑.
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关键词
cu
/低-k互连
应力诱生空洞
工艺波动
通孔微结构
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职称材料
化学机械抛光对铜互连器件的影响及失效分析
被引量:
2
2
作者
林晓玲
刘建
+2 位作者
章晓文
侯通贤
姚若河
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期143-145,149,共4页
探讨了Cu化学机械抛光(CMP)工艺引起Cu互连器件失效的原因以及对可靠性的影响,对Cu CMP工艺缺陷导致器件失效的案例进行分析。由于CMP的技术特点,不可避免地会产生一些工艺缺陷和工艺误差,从而引起器件失效。必须根据标准要求,出厂或封...
探讨了Cu化学机械抛光(CMP)工艺引起Cu互连器件失效的原因以及对可靠性的影响,对Cu CMP工艺缺陷导致器件失效的案例进行分析。由于CMP的技术特点,不可避免地会产生一些工艺缺陷和工艺误差,从而引起器件失效。必须根据标准要求,出厂或封装前对圆片进行芯片功能参数测试和严格的镜检,以便在封装前剔除存在潜在工艺缺陷的芯片,达到既定可靠性要求。
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关键词
化学机械抛光
cu
互连
工艺缺陷
金属残留
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职称材料
VLSI芯片制备中的多层互连新技术
被引量:
1
3
作者
成立
李加元
+2 位作者
李华乐
李岚
王振宇
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第11期839-842,共4页
在简要介绍多层互连材料的基础上,论述了若干种IC芯片制备中的多层互连技术,包括“Cu线+低k双大马士革”多层互连结构、平坦化技术、CMP工艺、“Cu+双大马士革+低k”技术、插塞和金属通孔填充工艺等,并提出了一些多层互连工艺中的关键...
在简要介绍多层互连材料的基础上,论述了若干种IC芯片制备中的多层互连技术,包括“Cu线+低k双大马士革”多层互连结构、平坦化技术、CMP工艺、“Cu+双大马士革+低k”技术、插塞和金属通孔填充工艺等,并提出了一些多层互连工艺中的关键技术措施。
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关键词
集成电路
铜互连
低K介质
双嵌入(双大马士革)工艺
淀积
化学机械抛光
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职称材料
铜互连氮化硅薄膜沉积技术中电压衰减的研究
被引量:
3
4
作者
桂鹏
汪辉
《电子与封装》
2011年第3期25-28,35,共5页
根据0.13μm以下的深亚微米超大规模集成电路中先进的后道铜互连技术对于氮化硅薄膜沉积的具体要求,文章在大马士革工艺的基础上分析了可能导致铜互连失效的原因。进而在应用材料公司的PRODUCER(一种薄膜沉积设备)机台上,通过包括对氨...
根据0.13μm以下的深亚微米超大规模集成电路中先进的后道铜互连技术对于氮化硅薄膜沉积的具体要求,文章在大马士革工艺的基础上分析了可能导致铜互连失效的原因。进而在应用材料公司的PRODUCER(一种薄膜沉积设备)机台上,通过包括对氨等离子体预处理和氮化硅预沉积的这两步骤作实验研究。利用田口分析判断的实验方法,找到主要影响电压衰减的因素,优化了气体流量、等离子喷头到晶圆表面的距离、射频功率、预处理和预沉积的时间等工艺参数。解决了0.13μm以下深亚微米中的铜互连的电压衰减问题,提高产品的良率和可靠性。
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关键词
大马士革
铜互连
氮化硅薄膜
电压衰减
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职称材料
题名
通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响
被引量:
1
1
作者
林晓玲
侯通贤
章晓文
姚若河
机构
华南理工大学电子与信息学院微电子研究所
工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室
出处
《华南理工大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期135-139,共5页
基金
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室基金资助项目(9140C0301040801)
文摘
基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性,造成通孔高度、通孔沟槽深度和通孔底部阻挡层厚度的变化,以及这一变化对互连通孔和通孔底部互连应力诱生空洞的影响.结果表明:Cu/低-k互连中的通孔微结构效应,是影响互连应力和形成应力诱生空洞的重要因素.大高宽比的通孔结构更易因通孔高度变化而发生应力诱生空洞;通孔沟槽可以有效提高互连应力迁移的可靠性,但需要控制其深度;通孔底部阻挡层厚度对互连应力诱生空洞性能具有矛盾性,需要折中考虑.
关键词
cu
/低-k互连
应力诱生空洞
工艺波动
通孔微结构
Keywords
cu
/low-k
interconnect
ion
stress-induced voiding
process
variation
via microstructure
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
化学机械抛光对铜互连器件的影响及失效分析
被引量:
2
2
作者
林晓玲
刘建
章晓文
侯通贤
姚若河
机构
华南理工大学电子与信息学院微电子研究所
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期143-145,149,共4页
基金
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金资助项目(9140C03010408DZ15)
文摘
探讨了Cu化学机械抛光(CMP)工艺引起Cu互连器件失效的原因以及对可靠性的影响,对Cu CMP工艺缺陷导致器件失效的案例进行分析。由于CMP的技术特点,不可避免地会产生一些工艺缺陷和工艺误差,从而引起器件失效。必须根据标准要求,出厂或封装前对圆片进行芯片功能参数测试和严格的镜检,以便在封装前剔除存在潜在工艺缺陷的芯片,达到既定可靠性要求。
关键词
化学机械抛光
cu
互连
工艺缺陷
金属残留
Keywords
Chemical mechanical polishing(CMP)
cu
interconnect
process
defect
Metal residue
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
VLSI芯片制备中的多层互连新技术
被引量:
1
3
作者
成立
李加元
李华乐
李岚
王振宇
机构
江苏大学电气与信息工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第11期839-842,共4页
基金
江苏省高校自然科学研究基金项目(04KJB310171)
文摘
在简要介绍多层互连材料的基础上,论述了若干种IC芯片制备中的多层互连技术,包括“Cu线+低k双大马士革”多层互连结构、平坦化技术、CMP工艺、“Cu+双大马士革+低k”技术、插塞和金属通孔填充工艺等,并提出了一些多层互连工艺中的关键技术措施。
关键词
集成电路
铜互连
低K介质
双嵌入(双大马士革)工艺
淀积
化学机械抛光
Keywords
IC
cu
interconnect
low-k dielectric
dual damascene
process
deposition
CMP
分类号
TN305.97 [电子电信—物理电子学]
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
铜互连氮化硅薄膜沉积技术中电压衰减的研究
被引量:
3
4
作者
桂鹏
汪辉
机构
上海交通大学
出处
《电子与封装》
2011年第3期25-28,35,共5页
文摘
根据0.13μm以下的深亚微米超大规模集成电路中先进的后道铜互连技术对于氮化硅薄膜沉积的具体要求,文章在大马士革工艺的基础上分析了可能导致铜互连失效的原因。进而在应用材料公司的PRODUCER(一种薄膜沉积设备)机台上,通过包括对氨等离子体预处理和氮化硅预沉积的这两步骤作实验研究。利用田口分析判断的实验方法,找到主要影响电压衰减的因素,优化了气体流量、等离子喷头到晶圆表面的距离、射频功率、预处理和预沉积的时间等工艺参数。解决了0.13μm以下深亚微米中的铜互连的电压衰减问题,提高产品的良率和可靠性。
关键词
大马士革
铜互连
氮化硅薄膜
电压衰减
Keywords
damas
cu
s
cu interconnect process
SiN
VBD
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响
林晓玲
侯通贤
章晓文
姚若河
《华南理工大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
下载PDF
职称材料
2
化学机械抛光对铜互连器件的影响及失效分析
林晓玲
刘建
章晓文
侯通贤
姚若河
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
下载PDF
职称材料
3
VLSI芯片制备中的多层互连新技术
成立
李加元
李华乐
李岚
王振宇
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
下载PDF
职称材料
4
铜互连氮化硅薄膜沉积技术中电压衰减的研究
桂鹏
汪辉
《电子与封装》
2011
3
下载PDF
职称材料
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