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Residual Nuclides Induced in Cu Target by a 250 MeV Proton Beam
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作者 张宏斌 张雪荧 +11 位作者 马飞 鞠永芹 葛红林 陈亮 张艳斌 魏计房 李严严 骆鹏 王建国 万波 许晓伟 周斌 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2015年第4期29-32,共4页
Residual nuclide production is studied experimentally by bombarding a Cu target with a 250 MeV proton beam. The data are measured by the off-line γ-spectroscopy method. Six nuclides are identified and their cross sec... Residual nuclide production is studied experimentally by bombarding a Cu target with a 250 MeV proton beam. The data are measured by the off-line γ-spectroscopy method. Six nuclides are identified and their cross sections are determined. The corresponding calculated results by the MCNPX and GEANT4 codes are compared with the experimental data to check the validity of the codes. A comparison shows that the MCNPX simulation has a better agreement with the experiment. The energy dependence of residual nuclide production is studied with the aid of MCNPX simulation, and it is found that the mass yields for the nuclides in the light mass region increase significantly with the proton energy. 展开更多
关键词 MCNPX Residual Nuclides Induced in cu target by a 250 MeV Proton Beam cu
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组合靶共溅射沉积Cu-W复合薄膜的结构与性能
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作者 郭中正 闫万珺 +3 位作者 张殿喜 杨秀凡 蒋宪邦 周丹彤 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2024年第4期38-45,共8页
用嵌入组合型靶材,采用磁控共溅射方法,在单晶硅和聚酰亚胺衬底上制备Cu-W复合薄膜。分别运用能谱仪、X射线衍射仪、扫描电镜和原子力显微镜对Cu-W复合薄膜的成份、结构及表面形貌进行分析表征。选用微小力测试系统、纳米压痕仪及四探... 用嵌入组合型靶材,采用磁控共溅射方法,在单晶硅和聚酰亚胺衬底上制备Cu-W复合薄膜。分别运用能谱仪、X射线衍射仪、扫描电镜和原子力显微镜对Cu-W复合薄膜的成份、结构及表面形貌进行分析表征。选用微小力测试系统、纳米压痕仪及四探针仪分别测试复合薄膜的屈服强度σ_(0.2)和裂纹萌生临界应变ε_(c)、显微硬度H及电阻率ρ。结果表明:可通过调整组合型靶材环状溅射刻蚀区内W靶所占的面积比,有效地调控复合薄膜的W含量。随W靶的面积占比从6%增至30%,Cu-W复合薄膜的W含量从2.6 at.%增至16.9 at.%。W在Cu中的固溶度延展,复合膜内存在面心立方(fcc)Cu(W)亚稳固溶体,随复合膜中W含量增加,W在Cu中的固溶度从1.7 at.%W增至10 at.%W,复合膜的平均晶粒从32 nm减小至16 nm,表面光洁度提高。W含量增加时,复合膜的屈服强度σ_(0.2)、显微硬度H及电阻率ρ增加,而裂纹萌生临界应变ε_(c)减小。 展开更多
关键词 组合靶 共溅射 cu-W复合薄膜
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K_α and K_β X-ray energy shift and broadening for Ni^(+q)ion bombardment on Cu target
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作者 李景文 周书华 +2 位作者 胡爱东 曾先堂 田炜 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 1996年第4期238-239,共2页
K_αandK_βX-rayenergyshiftandbroadeningforNi^(+q)ionbombardmentonCutargetLiJing-Wen(李景文),ZhouShu-Hua(周书华),HuAi... K_αandK_βX-rayenergyshiftandbroadeningforNi^(+q)ionbombardmentonCutargetLiJing-Wen(李景文),ZhouShu-Hua(周书华),HuAi-Dong(胡爱东),ZengXi?.. 展开更多
关键词 Ni离子束撞 cu X射线能级位移
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冷却速度对Al-Si-Cu溅射靶材凝固组织的影响 被引量:3
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作者 王日初 郭敏 +1 位作者 余琨 文丹华 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 2007年第4期244-248,共5页
采用宏观腐蚀、X射线衍射分析和扫描电镜观察,研究在不同冷却速度下凝固的Al-1%Si-0.5%Cu(质量分数,下同)合金的宏观和微观组织。实验结果表明,冷却速度对Al-Si-Cu合金的凝固组织有显著影响。随着冷却速度增大,Al-Si-Cu合金凝固组织的... 采用宏观腐蚀、X射线衍射分析和扫描电镜观察,研究在不同冷却速度下凝固的Al-1%Si-0.5%Cu(质量分数,下同)合金的宏观和微观组织。实验结果表明,冷却速度对Al-Si-Cu合金的凝固组织有显著影响。随着冷却速度增大,Al-Si-Cu合金凝固组织的晶粒形状和尺寸以及第二相的大小、形貌和分布都发生明显的变化:炉冷试样晶粒为粗大树枝晶状,第二相呈带状富集在晶界处,宽度达15μm;铁模和铜模铸造试样具有典型铸锭组织,大部分第二相呈不到3μm宽的线状富集在晶界处,但铜模铸造试样的柱状晶区较窄,且晶粒较细小;水冷铜模铸造试样几乎完全为细小的等轴晶,晶粒尺寸小而均匀,第二相呈直径约3μm的细小点状弥散分布在α-Al基体中,可得到成分和结构都较均匀的靶材。 展开更多
关键词 Al—Si—cu溅射靶材 冷却速度 凝固组织
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ICF物理实验用纳米Cu块体靶材的制备研究 被引量:16
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作者 楚广 唐永建 +4 位作者 罗江山 刘伟 杨天足 黎军 洪伟 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1829-1834,共6页
采用自悬浮定向流法制备了金属纳米粉体并采用真空手套箱专利技术和冷压法在高压(1.5GPa)作用下保压40 min后,成功制备出了相对密度达97%和显微硬度达1.85 GPa的金属Cu纳米晶材料。经XRD分析,其晶粒大小为20 nm。正电子湮没(PAS)实验结... 采用自悬浮定向流法制备了金属纳米粉体并采用真空手套箱专利技术和冷压法在高压(1.5GPa)作用下保压40 min后,成功制备出了相对密度达97%和显微硬度达1.85 GPa的金属Cu纳米晶材料。经XRD分析,其晶粒大小为20 nm。正电子湮没(PAS)实验结果表明,其空隙大小和数量与采用惰性气体冷凝法原位压制(IGC)的样品相比,空位簇数量较多,微空隙的大小和数量基本相当。激光惯性约束聚变(ICF)模拟实验表明:采用该方法制备的纳米Cu块体材料靶的激光转换效率比常规Cu材料靶高5倍。 展开更多
关键词 金属纳米晶体 纳米cu块体 惯性约束聚变靶材料 自悬浮定向流法 显微硬度
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热处理对Al-Cu合金电导率的影响 被引量:2
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作者 罗俊锋 王欣平 +3 位作者 万小勇 何金江 朱晓光 江轩 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第20期11-14,共4页
通过电导率测量、硬度分析和金相组织观察,研究了不同热处理工艺对Al-4.0%Cu(质量分数,下同)合金电导率的影响,分析了析出相、合金硬度和电导率之间的关系。实验结果表明,Al-4.0%Cu合金的电导率主要受基体中Cu固溶度和析出相状态的影响... 通过电导率测量、硬度分析和金相组织观察,研究了不同热处理工艺对Al-4.0%Cu(质量分数,下同)合金电导率的影响,分析了析出相、合金硬度和电导率之间的关系。实验结果表明,Al-4.0%Cu合金的电导率主要受基体中Cu固溶度和析出相状态的影响;双级时效处理对电导率和硬度的决定因素主要为二级时效的温度与时间,一级时效后合金的电导率和硬度会随着二级时效发生改变;退火后的Al-4.0%Cu合金于350℃保温24h后,可获得较高的电导率,此时基体中的析出相为细小、弥散的θ相。 展开更多
关键词 AL-cu合金 溅射靶材 热处理 显微组织 电导率
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磁控溅射法制备W-Cu薄膜的研究 被引量:5
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作者 陈文革 张剑 +1 位作者 熊斐 邵菲 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期42-45,共4页
采用W70Cu30单靶磁控溅射与纯W、纯Cu双靶磁控共溅两种工艺,在多种基材上制备W-Cu薄膜,分析了薄膜的宏观形貌和组织结构。分析结果表明:单靶磁控溅射时,控制靶电压520V,溅射电流0.8~1.2A,Ar气流量25mL/min(标准状态),可在玻璃基体上镀... 采用W70Cu30单靶磁控溅射与纯W、纯Cu双靶磁控共溅两种工艺,在多种基材上制备W-Cu薄膜,分析了薄膜的宏观形貌和组织结构。分析结果表明:单靶磁控溅射时,控制靶电压520V,溅射电流0.8~1.2A,Ar气流量25mL/min(标准状态),可在玻璃基体上镀得W-Cu薄膜,但退火时如温度过高,会使W和Cu两种元素原子偏聚加重;双靶磁控溅射时,控制Ar气流量20mL/min(标准状态),Cu靶电流0.7A,W靶电流1.2A,溅射时间3600s,可在硅基和玻璃基上镀得W-Cu薄膜,但在石墨基体、陶瓷基体及45钢基体上的镀膜效果不理想。 展开更多
关键词 W-cu薄膜 磁控溅射 单靶 双靶
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纳米晶Cu薄带的单辊法制备及结构分析 被引量:7
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作者 谢华 罗江山 +3 位作者 黎军 雷海乐 唐永建 王恩泽 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1639-1642,共4页
采用单辊法制备出纳米晶Cu薄带,利用X射线衍射对纳米晶Cu薄带的结构进行分析,并研究了工艺参数对结构的影响。实验发现:纳米晶Cu薄带的平均晶粒度为65.17-121.8nm,辊轮转速越快,喷铸压力越小,保护气压越大,保护气体越冷,薄带... 采用单辊法制备出纳米晶Cu薄带,利用X射线衍射对纳米晶Cu薄带的结构进行分析,并研究了工艺参数对结构的影响。实验发现:纳米晶Cu薄带的平均晶粒度为65.17-121.8nm,辊轮转速越快,喷铸压力越小,保护气压越大,保护气体越冷,薄带的晶粒尺寸越小;纳米晶内部均存在晶格畸变和晶胞参数的涨落,说明采用单辊法制备纯金属薄带会在材料内部产生不同程度的晶格扭曲,Cu带处于非稳定状态;所有样品均发生(200)晶面择优取向,原因可能与单辊法的快淬工艺有关。 展开更多
关键词 ICF靶材料 纳米晶cu 择优取向 单辊法 结构分析
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Cu_2O/C_(60)梯度薄膜的制备 被引量:6
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作者 张继成 唐永建 +1 位作者 吴卫东 黄勇 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期587-590,共4页
功能梯度材料应用前景广阔 ,特别在 ICF研究中 ,梯度靶是一种重要的基础 -基准靶。以Cu2 O和 C60 为原料 ,用真空蒸镀法在石英基底上制备了 Cu2 O/C60 梯度薄膜 ,并用 XPS,AFM,紫外光谱仪对其成份分布、表面形貌、紫外吸收谱进行了测试... 功能梯度材料应用前景广阔 ,特别在 ICF研究中 ,梯度靶是一种重要的基础 -基准靶。以Cu2 O和 C60 为原料 ,用真空蒸镀法在石英基底上制备了 Cu2 O/C60 梯度薄膜 ,并用 XPS,AFM,紫外光谱仪对其成份分布、表面形貌、紫外吸收谱进行了测试。测量结果表明 ,薄膜的组成沿厚度方向呈连续梯度变化 。 展开更多
关键词 梯度薄膜 cu2o/C60混合膜 ICF 功能材料 梯度靶 真空蒸镀法 光谱分析
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放电等离子烧结Bi_2O_3/Cu复合梯度靶材
10
作者 岳明 张东涛 +1 位作者 刘卫强 张久兴 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期214-216,共3页
采用放电等离子烧结技术制备了Bi2 O3/Cu复合梯度靶材 ,利用扫描电子显微镜和能谱分析仪对材料的微观组织形貌及成分进行了分析。结果表明 ,合成的复合梯度靶材具有宏观组织不均匀性和微观组织连续性的特征 ,显微组织中不存在微裂纹 ,... 采用放电等离子烧结技术制备了Bi2 O3/Cu复合梯度靶材 ,利用扫描电子显微镜和能谱分析仪对材料的微观组织形貌及成分进行了分析。结果表明 ,合成的复合梯度靶材具有宏观组织不均匀性和微观组织连续性的特征 ,显微组织中不存在微裂纹 ,减小了热应力的影响。与单一成分靶材相比 ,复合梯度靶材的热导率显著提高 ,解决了靶材在溅射过程中因散热不良而碎裂的问题 。 展开更多
关键词 放电等离子烧结 Bi2O3/cu 复合梯度靶材
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飞秒激光与Cu靶和CH靶相互作用产生的快电子能谱实验研究
11
作者 蔡达锋 谷渝秋 +2 位作者 郑志坚 周维民 焦春晔 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期307-313,共7页
为了研究靶材料对快电子能量分布的影响,采用电子谱仪测量了飞秒激光与Cu和CH靶相互作用中在靶前和靶后产生的快电子能谱。结果显示,在靶前Cu和CH靶的快电子能谱相似,反应了快电子发射对靶材料的依赖性较弱;在靶后Cu和CH靶的快电子能谱... 为了研究靶材料对快电子能量分布的影响,采用电子谱仪测量了飞秒激光与Cu和CH靶相互作用中在靶前和靶后产生的快电子能谱。结果显示,在靶前Cu和CH靶的快电子能谱相似,反应了快电子发射对靶材料的依赖性较弱;在靶后Cu和CH靶的快电子能谱具有明显的差异,说明电子的输运过程与靶材料密切相关。冷电子环流以及自生磁场是导致Cu靶快电子能谱"软化"的原因,而对于CH靶麦克斯韦分布的快电子能谱主要由碰撞机制决定。 展开更多
关键词 飞秒激光 cu和CH靶 快电子 能谱 冷电子环流 自生磁场
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内蒙古莫力达瓦旗葛根台-小黑山地区金铜钼找矿靶区预测
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作者 尤洪喜 秦涛 +2 位作者 汪岩 杨晓平 杜继宇 《地质与资源》 CAS 2024年第4期578-584,616,共8页
内蒙古莫力达瓦旗葛根台-小黑山地区位于大兴安岭中北段东乌旗-嫩江Cu-Mo-Pb-Zn-W-Sn-Cr成矿带.通过对研究区与区域典型矿床成矿地质背景及控矿条件的对比分析,认为葛根台-小黑山地区具有热液型金铜钼矿、剪切带型金矿和斑岩型铜钼矿床... 内蒙古莫力达瓦旗葛根台-小黑山地区位于大兴安岭中北段东乌旗-嫩江Cu-Mo-Pb-Zn-W-Sn-Cr成矿带.通过对研究区与区域典型矿床成矿地质背景及控矿条件的对比分析,认为葛根台-小黑山地区具有热液型金铜钼矿、剪切带型金矿和斑岩型铜钼矿床的成矿潜力.采用对控矿有利条件信息要素的提取和要素赋值的统计方法,尝试对研究区进行金铜钼等找矿靶区预测工作,为后续区域地质调查及找矿工作提供参考. 展开更多
关键词 金-铜-钼矿床 成矿预测 要素赋值方法 靶区微块 内蒙古
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基于微纳结构及材料特性的光场调控模拟研究
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作者 郑鑫智 豆世骥 +6 位作者 刘翔 赵晨淅 赵世龙 杨月 王少义 赵宗清 马钰洁 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期85-91,共7页
利用时域有限差分算法(FDTD)对微纳结构靶的光场分布进行仿真模拟,探究微纳结构靶中的光传输机制,分析材料特性和结构参数对光传输特性和光场分布的影响。基于光场分布及演化的仿真模拟结果,对比半导体氧化铝、绝缘体二氧化硅和金属铜... 利用时域有限差分算法(FDTD)对微纳结构靶的光场分布进行仿真模拟,探究微纳结构靶中的光传输机制,分析材料特性和结构参数对光传输特性和光场分布的影响。基于光场分布及演化的仿真模拟结果,对比半导体氧化铝、绝缘体二氧化硅和金属铜三种导电性不同的材料上纳米线和纳米孔阵列微纳结构靶的激光传输特性,分析光传输过程中的光场分布变化。研究结果表明,通过改变氧化铝和二氧化硅纳米孔(线)阵列结构靶中孔洞(纳米线)直径和间距等结构参数,可以实现对微纳结构靶中光传输特性和光场分布的调制,实现光场在介质材料和真空区域间的周期振荡分布,或是以一种稳定形态传输;激光在铜纳米孔阵列中传输时,透光性随孔洞半径的增加而增加。基于光场分布及演化的仿真模拟结果,对比不同材料、不同微纳结构靶的激光传输演化特性,给出物理图像及对应现象规律,根据光场调控需求,给出微纳结构靶设计。 展开更多
关键词 纳米孔阵列结构靶 纳米线阵列结构靶 氧化铝 二氧化硅 光场分布
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ZrO_2陶瓷表面Cu-Ti复合渗镀研究
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作者 马丽莉 张红霞 王文先 《太原科技大学学报》 2012年第3期216-219,共4页
应用加弧辉光复合渗镀技术和自制Cu-Ti二元金属复合靶,对ZrO2陶瓷表面进行Cu-Ti复合渗镀。采用X射线能量色散谱分析(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)面扫描、X射线衍射(XRD)、声发射划痕等试验方法对渗镀层的元素组成、成分分布、相组成、界... 应用加弧辉光复合渗镀技术和自制Cu-Ti二元金属复合靶,对ZrO2陶瓷表面进行Cu-Ti复合渗镀。采用X射线能量色散谱分析(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)面扫描、X射线衍射(XRD)、声发射划痕等试验方法对渗镀层的元素组成、成分分布、相组成、界面结合强度进行分析测试。结果表明渗镀层中存在Cu、Ti及Fe元素,各组分分布较为均匀,没有明显的成分偏聚现象;渗镀层由Cu2Ti、Cu2Ti4O、Ti8O15组成;渗镀层与陶瓷基体结合良好,在100 N最大载荷下未出现剥离和崩落现象。 展开更多
关键词 ZRO2陶瓷 加弧辉光 复合渗镀 cu-Ti复合靶 表面合金化
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纳米Cu固体材料的X射线衍射与正电子湮没研究 被引量:7
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作者 楚广 罗江山 +3 位作者 刘伟 唐永建 雷海乐 杨世源 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期160-164,共5页
采用自悬浮-冷压法,在不同压力下制得纳米Cu固体材料并对其在不同温度和保温时间下进行退火,利用X射线衍射(XRD)和正电子湮没寿命谱(PAS)分析对材料的结构和微观缺陷进行了表征。XRD分析表明,压制而得的样品晶粒度为20 nm,低于300℃退火... 采用自悬浮-冷压法,在不同压力下制得纳米Cu固体材料并对其在不同温度和保温时间下进行退火,利用X射线衍射(XRD)和正电子湮没寿命谱(PAS)分析对材料的结构和微观缺陷进行了表征。XRD分析表明,压制而得的样品晶粒度为20 nm,低于300℃退火3 h后并未发现晶粒显著长大;PAS分析表明,压制后的样品缺陷主要为单空位和空位团,大空隙很少,随着退火温度的升高和退火时间的延长,单空位通过扩散结合成空位团,大空隙也在温度较高时分解为空位团,导致空位团的含量增加,而单空位和大空隙的含量降低。 展开更多
关键词 自悬浮-冷压法 纳米cu X射线衍射(XRD) 正电子湮没谱(PAS)ICF靶材料
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离子束溅射组装均质Cu-W膜不同铜钨靶功率、气压对膜结构的影响
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作者 李久明 王珍吾 +2 位作者 艾永平 刘祥辉 刘利军 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期35-36,55,共3页
目前,对磁控溅射组装Cu-W均质复合膜的工艺及成膜机理研究不够深入。通过磁控溅射组装均质Cu-W薄膜,考察了溅射工艺参数对膜结构的影响。结果表明:直流磁控溅射组装均质Cu-W薄膜时,钨是以β-钨为骨架固溶进部分铜的方式存在;随铜靶功率... 目前,对磁控溅射组装Cu-W均质复合膜的工艺及成膜机理研究不够深入。通过磁控溅射组装均质Cu-W薄膜,考察了溅射工艺参数对膜结构的影响。结果表明:直流磁控溅射组装均质Cu-W薄膜时,钨是以β-钨为骨架固溶进部分铜的方式存在;随铜靶功率的增加,铜的晶粒尺寸先变大后变小;随钨靶功率的增大,β-钨有向非晶态转变的趋势,且铜的晶粒尺寸会明显变小;薄膜的沉积速率主要由钨靶功率决定;工作气体氩气气压低于1.0 Pa时,随气压升高,铜的晶粒尺寸变小,高于1.0 Pa时,气压对薄膜结构没有影响。 展开更多
关键词 cu—W均质薄膜 磁控溅射 晶粒尺寸 靶功率 气压
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高质量Cu_2ZnSnS_4薄膜的两步法制备及表征 被引量:1
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作者 周珊珊 谭瑞琴 +3 位作者 姜欣 沈祥 许炜 宋伟杰 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期396-402,共7页
采用直流磁控溅射方法,以Cu-Zn-Sn合金为靶材,结合后续硫化工艺成功制备出高质量Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜。利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、场发射扫描电子显微镜和能量色散谱对Cu-Zn-Sn(CZT)前驱体及CZTS薄膜的结构、形貌和组分进行了表征,... 采用直流磁控溅射方法,以Cu-Zn-Sn合金为靶材,结合后续硫化工艺成功制备出高质量Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜。利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、场发射扫描电子显微镜和能量色散谱对Cu-Zn-Sn(CZT)前驱体及CZTS薄膜的结构、形貌和组分进行了表征,并使用紫外-可见分光光度计测量了CZTS薄膜的吸收光谱。研究结果表明:直流溅射的溅射功率和工作气压会影响CZTS薄膜的质量。采用30 W功率,在1 Pa气压条件下直流溅射制备的CZT前驱体薄膜形貌均匀致密,经硫化后可得到接近化学计量比、高质量、单一锌黄锡矿结构的CZTS薄膜,其光学禁带宽度约为1.49 eV,适合作为薄膜太阳能电池的吸收层材料。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 CZTS薄膜 cu—Zn-Sn合金靶 两步法
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靶基距对Cu/Si(100)薄膜结构和残余应力的影响 被引量:2
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作者 孟笛 蒋智韬 +2 位作者 李玉阁 高剑英 雷明凯 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期86-92,共7页
采用高功率调制脉冲磁控溅射(MPPMS)技术在Si(100)基体上沉积Cu薄膜,SEM观察薄膜厚度及生长特征、XRD分析薄膜晶体结构、nanoindentor测量薄膜纳米硬度和弹性模量、Stoney公式计算薄膜残余应力,研究沉积过程靶基距对Cu/Si(100)薄膜沉积... 采用高功率调制脉冲磁控溅射(MPPMS)技术在Si(100)基体上沉积Cu薄膜,SEM观察薄膜厚度及生长特征、XRD分析薄膜晶体结构、nanoindentor测量薄膜纳米硬度和弹性模量、Stoney公式计算薄膜残余应力,研究沉积过程靶基距对Cu/Si(100)薄膜沉积速率、微结构及残余应力的影响。随着靶基距的增大,薄膜沉积速率降低,薄膜的生长结构由致密T区向I区转变,Cu(111)择优生长的晶粒逐渐减小,薄膜纳米硬度和弹性模量也相应降低,残余拉应力约为400 MPa。较小靶基距时增加的沉积离子通量和能量,决定了薄膜晶粒合并长大体积收缩过程的主要生长形式,导致了Cu/Si(100)薄膜具有的残余拉应力状态。MPPMS工艺的高沉积通量和粒子能量可实现对Cu/Si(100)薄膜残余应力的调控。 展开更多
关键词 高功率调制脉冲磁控溅射(MPPMS) cu/Si(100) 薄膜 靶基距 残余应力 Stoney公式
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^(58)Ni(p,γ)^(59)Cu反应的天体热核反应率
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作者 刘绍湘 刘兆远 +3 位作者 马树勋 蔡晓红 柳纪虎 冯嘉祯 《兰州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1991年第1期35-40,共6页
用能量为1.2MeV—3.4MeV的质子轰击纯镍厚靶,测得了~958)Ni(p,γ)^(59)Cu反应的产额,给出了测量方法.由测得的产额计算出爆发式核素合成时相应温度下的天体热核反应率,所得结果与理论预期值及他人实验结果作了比较.并对结果作了讨论.
关键词 天体 热核反应率 ^58Ni ^59cu 厚靶
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太行山北段赤瓦屋铜钼矿及外围地-物-化-遥综合信息找矿靶区预测
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作者 栾卓然 马国玺 +6 位作者 李谦谦 吕凤军 许立风 安跃辉 袁兆宪 王丰翔 汪海城 《中国地质》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期1139-1160,共22页
【研究目的】赤瓦屋铜钼矿位于太行山北段成矿带,属于找矿突破战略的重点勘查区域,目前找矿工作进入瓶颈期,本研究对下一步找矿突破具有重要指导意义。【研究方法】本文基于对赋矿岩体、矿床地质特征、地球物理、地球化学和遥感地质的... 【研究目的】赤瓦屋铜钼矿位于太行山北段成矿带,属于找矿突破战略的重点勘查区域,目前找矿工作进入瓶颈期,本研究对下一步找矿突破具有重要指导意义。【研究方法】本文基于对赋矿岩体、矿床地质特征、地球物理、地球化学和遥感地质的综合研究,分析找矿标志。【研究结果】认为赤瓦屋铜钼矿与深部花岗斑岩有关,具有斑岩型矿床的典型矿化特征,形成于早白垩世;研究区环形构造发育,大型环形构造与赤瓦屋岩体及外围隐伏岩体有关,小微型环形构造多数与隐蔽爆破角砾岩或隐伏小岩株有关;地球化学异常及遥感蚀变异常的空间分布吻合程度高,对矿化具有显著的控制作用;提出了4个找矿靶区。【结论】在赤瓦屋岩体内部应把确定隐爆角砾岩体和隐伏花岗斑岩体的空间位置作为找矿工作的重点,以寻找Cu、Mo矿为主;外围应以Cu、Au、Ag多金属矿为主。 展开更多
关键词 铜钼矿 综合找矿信息 靶区预测 太行山北段 赤瓦屋 河北省 矿产勘查工程
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