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组分对Cu-Zn-In-S/ZnS核壳量子点发光性能的影响 被引量:2
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作者 华杰 刘洋 +2 位作者 单美玲 赵家龙 李海波 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期122-126,共5页
利用热注射法通过调控Cu/Zn比例制备了不同组分的Cu-Zn-In-S/ZnS核壳量子点,通过紫外-可见吸收光谱以及稳态和时间分辨光谱分析Cu/Zn比例对量子点发光性能的影响.结果表明,不同组分Cu-Zn-In-S/ZnS核壳量子点呈现闪锌矿结构且晶粒尺寸接... 利用热注射法通过调控Cu/Zn比例制备了不同组分的Cu-Zn-In-S/ZnS核壳量子点,通过紫外-可见吸收光谱以及稳态和时间分辨光谱分析Cu/Zn比例对量子点发光性能的影响.结果表明,不同组分Cu-Zn-In-S/ZnS核壳量子点呈现闪锌矿结构且晶粒尺寸接近;随着Cu/Zn比例的减小,Cu-Zn-In-S/ZnS核壳量子点的带隙变宽,导致吸收光谱发生蓝移;当Cu/Zn比例从6/1减小到1/6时,量子点的发光峰位从640nm蓝移529nm.由于Zn2+替代Cu+能够减少Cu原子缺陷的形成,从而提高了量子点的荧光效率;当Cu/Zn=1/6时,样品中观测到Cu+离子发光和较长的荧光寿命. 展开更多
关键词 量子点 cu-zn-in-s/zns 热注入法 荧光性质 组分
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氢氟酸处理InP/GaP/ZnS量子点的光学性能及其发光二极管应用
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作者 陈晓丽 陈佩丽 +3 位作者 卢思 朱艳青 徐雪青 苏秋成 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期69-77,共9页
采用氢氟酸(HF)原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点。通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响。实验结果表明,HF刻蚀减少了量... 采用氢氟酸(HF)原位注入法制备了InP/GaP/ZnS量子点。通过紫外/可见/近红外光谱、光致发光光谱、透射电镜、球差校正透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱等测试手段分析了HF对InP量子点的发光性能影响。实验结果表明,HF刻蚀减少了量子点表面氧化缺陷状态,有效控制了InP核表面的氧化,并且原子配体形式的F-钝化了量子点表面的悬挂键,显著提升了量子点的光学性能。HF处理的InP/GaP/ZnS量子点具有最佳的发光性能,PLQY高达96%。此外,用HF处理InP/GaP/ZnS量子点制备的发光二极管,其发光的电流效率为6.63 cd/A,最佳外量子效率(EQE)为3.83%。 展开更多
关键词 HF InP/GaP/zns量子点 光学性能 发光二极管
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ZnS@CdS/HAP复合微球的SILAR法制备及光催化性能
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作者 杨莉 靳晓曼 +2 位作者 姜晓雪 王柯 罗玥 《中国环境科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期851-858,共8页
以酵母模板法制备的中空羟基磷灰石(HAP)微球为基底,通过连续离子层吸附反应法(SILAR)制备ZnS@CdS/HAP复合微球,利用XRD、SEM、UV-vis等表征手段分析材料的晶体结构、微观形貌和光吸收能力等,同时结合亚甲基蓝的光催化降解实验探讨复合... 以酵母模板法制备的中空羟基磷灰石(HAP)微球为基底,通过连续离子层吸附反应法(SILAR)制备ZnS@CdS/HAP复合微球,利用XRD、SEM、UV-vis等表征手段分析材料的晶体结构、微观形貌和光吸收能力等,同时结合亚甲基蓝的光催化降解实验探讨复合微球的光催化机理.结果表明:利用SILAR法成功实现了ZnS@CdS/HAP复合微球的制备,ZnS@CdS/HAP复合微球的直径约为3~5μm且分散性良好,在可见光区有良好的吸收性能,具有优异的光催化活性,在催化剂添加量1g/L、pH=7、温度为25℃的条件下,对50mL浓度为10mg/L的亚甲基蓝溶液可见光催化100min时去除率高达93%.机理分析证实,ZnS@CdS/HAP光催化可能存在的Z型电荷迁移机制在有效抑制光生载流子复合的同时有效抑制光生腐蚀的发生,提升了ZnS@CdS/HAP复合微球的光催化活性和稳定性. 展开更多
关键词 CDS zns 光腐蚀 HAP 光催化 稳定性
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GaSe/ZnS异质结的结构和界面性质的第一性原理研究
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作者 鲍爱达 马永强 郭鑫 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第4期669-675,共7页
本文设计了一种GaSe/ZnS范德瓦耳斯异质结构(vdWH),并用第一性原理计算系统地分析了该异质结构的几何、电子、输运性质。通过结合能、声子谱、从头算分子动力学(AIMD)模拟验证了所构建GaSe/ZnS范德瓦耳斯异质结构的稳定性。详细计算了Ga... 本文设计了一种GaSe/ZnS范德瓦耳斯异质结构(vdWH),并用第一性原理计算系统地分析了该异质结构的几何、电子、输运性质。通过结合能、声子谱、从头算分子动力学(AIMD)模拟验证了所构建GaSe/ZnS范德瓦耳斯异质结构的稳定性。详细计算了GaSe/ZnS vdWH界面性质中的平面平均电子密度差和平均静电势。结果表明,GaSe/ZnS vdWH是一种直接带隙为2.19 eV,载流子迁移率较高的异质结构。其中,沿x方向的电子迁移率可达1394.63 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),而沿y方向的电子迁移率可达1913.18 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),性能优异,有望应用于电子纳米器件。 展开更多
关键词 第一性原理 密度泛函理论 GaSe/zns范德瓦耳斯异质结构 声子色散谱 载流子迁移率
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ZnS/BiVO_(4)纳米复合材料的制备及其光催化性能研究 被引量:1
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作者 冯好胜 钟译瑱 +2 位作者 张奇晰 赵燕熹 黄涛 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期94-100,106,共8页
以BiVO_(4)纳米棒为载体,采用室温共沉淀法制备了BiVO_(4)负载ZnS量子点的纳米复合材料,利用SEM、TEM、XRD和FT-IR等对其组成、结构、形貌进行表征;以四环素(TC)为污染物,考察了ZnS/BiVO_(4)复合材料的光催化性能。结果表明,与纯ZnS和Bi... 以BiVO_(4)纳米棒为载体,采用室温共沉淀法制备了BiVO_(4)负载ZnS量子点的纳米复合材料,利用SEM、TEM、XRD和FT-IR等对其组成、结构、形貌进行表征;以四环素(TC)为污染物,考察了ZnS/BiVO_(4)复合材料的光催化性能。结果表明,与纯ZnS和BiVO_(4)相比,ZnS/BiVO_(4)复合材料对TC光催化降解的性能显著增强,其中,Zn/Bi摩尔比为2/1的ZnS/BiVO_(4)-2/1样品对TC的降解效果最佳,1 h内TC(20 mg/L)清除率达到83.5%。自由基猝灭实验证实光生空穴(h^(+))、超氧自由基(·O_(2)^(-))及羟基自由基(·OH)均在ZnS/BiVO_(4)-2/1样品光催化降解TC过程中发挥作用,初步阐述了ZnS/BiVO_(4)-2/1光催化TC降解的Z型异质结机理。 展开更多
关键词 zns BiVO_(4) 四环素 光催化 降解
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Pt NPs增强ZnO@ZnS核-壳异质纳米棒光催化产氢性能研究
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作者 朱泉雯 任华娟 +3 位作者 刘学方 张军 陈铭 侯建华 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2024年第11期215-222,共8页
采用原位光沉积方法将铂纳米颗粒(Pt NPs)负载在核-壳异质纳米棒ZnO@ZnS表面,制备出ZnO@ZnS/Pt复合光催化剂。调控Pt NPs在ZnO@ZnS表面的负载量,探究了不同质量的Pt NPs对光催化产氢气性能的影响。结果表明,当贵金属Pt的负载量为2%(ZnO@... 采用原位光沉积方法将铂纳米颗粒(Pt NPs)负载在核-壳异质纳米棒ZnO@ZnS表面,制备出ZnO@ZnS/Pt复合光催化剂。调控Pt NPs在ZnO@ZnS表面的负载量,探究了不同质量的Pt NPs对光催化产氢气性能的影响。结果表明,当贵金属Pt的负载量为2%(ZnO@ZnS/Pt-2)时,复合光催化产H_(2)性能最好,产氢速率为4.52 mmol/(g·h),是ZnO@ZnS的1.8倍,催化剂表现出优异的催化稳定性。在此复合材料中,贵金属Pt纳米颗粒作为助催化剂,Pt对H~+具有较低的吸附能,优先吸附H~+,光生电子转移到Pt纳米粒子表面,H^(+)在其表面得到光生电子,被还原为氢气,成功地抑制了光生电子和空穴的复合,有效地提升了催化剂的催化性能。 展开更多
关键词 znO@zns核-壳纳米棒 Pt助催化剂 复合光催化剂 光催化产氢 产氢性能
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ZnS纳米微球及其力响应结构色织物的制备与性能
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作者 陈安琪 李程程 +2 位作者 苏醒 赵亚萍 蔡再生 《印染》 CAS 北大核心 2024年第9期37-41,45,共6页
采用硫化锌(ZnS)为光子晶体结构色材料,利用化学液相沉淀法制备了平均粒径在120~260 nm的单分散ZnS纳米微球,并以水性聚氨酯(WPU)为背景材料,以涤氨织物为基底,成功制备了力响应光子晶体结构色织物,当受到应力拉伸时,ZnS-WPU结构色织物... 采用硫化锌(ZnS)为光子晶体结构色材料,利用化学液相沉淀法制备了平均粒径在120~260 nm的单分散ZnS纳米微球,并以水性聚氨酯(WPU)为背景材料,以涤氨织物为基底,成功制备了力响应光子晶体结构色织物,当受到应力拉伸时,ZnS-WPU结构色织物从红色转变为蓝色,且在500次拉伸循环后仍能保持良好的力响应性能。 展开更多
关键词 力响应织物 光子晶体 zns 结构色
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CdS/ZnS-PVDF/PSF光催化膜的制备及其刚果红降解性能研究
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作者 伊鲁东 王浩 +5 位作者 张宇 张本贵 谢英鹏 温远光 刘晨 王志煜 《辽宁化工》 CAS 2024年第9期1332-1337,共6页
光催化膜分离耦合技术处理废水是水处理研究方向之一,它是将膜分离技术与光催化技术结合,有效地解决了催化剂回收难的问题,同时也缓解了膜污染问题。利用水热法制备了CdS和CdS/ZnS光催化剂,用相转化法分别制备出聚偏氟乙烯/聚砜(PVDF/P... 光催化膜分离耦合技术处理废水是水处理研究方向之一,它是将膜分离技术与光催化技术结合,有效地解决了催化剂回收难的问题,同时也缓解了膜污染问题。利用水热法制备了CdS和CdS/ZnS光催化剂,用相转化法分别制备出聚偏氟乙烯/聚砜(PVDF/PSF)膜,以及CdS和CdS/ZnS光催化剂嵌入其中的CdS-PVDF/PSF光催化膜和CdS/ZnS-PVDF/PSF光催化膜。将刚果红溶液作为污染物,氙灯作为光源,分别对这3种膜的膜通量、截留率和刚果红降解率进行测试比较和分析。结果表明:反应进行360 min后,CdS/ZnS-PVDF/PSF光催化膜的膜通量能够达到63.0 L·h^(-1)·m^(2),相比PVDF/PSF膜(36.0L·h^(-1)·m^(2))和CdS-PVDF/PSF光催化膜(52.1L·h^(-1)·m^(2))的膜通量有显著增加,说明CdS/ZnS的负载有效缓解了PVDF/PSF膜的膜通量由于刚果红分子堵塞孔道引起的衰减。在膜通量增加的同时,CdS/ZnS-PVDF/PSF光催化膜的截留率在360min后依然保持在100%。CdS/ZnS-PVDF/PSF光催化膜对刚果红的降解率可以达到86.9%,分别比使用PVDF/PSF膜和CdS-PVDF/PSF光催化膜提高了18.1%和6.2%。CdS/ZnS-PVDF/PSF光催化膜能够获得最高的膜通量和降解率,因此用于降解废水中的有机污染物具有很好的应用前景。 展开更多
关键词 光催化膜 CdS/zns光催化剂 聚偏氟乙烯 聚砜
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基于^(6)LiF/ZnS(Ag)和导光束的微型耐高温中子探测器设计与测试
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作者 吴培玮 赵立宏 叶佳伟 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2024年第3期438-446,共9页
堆内中字注量率的测量对于反应堆的安全运行至关重要。闪烁体光纤中子探测器因其工作稳定、抗干扰能力强以及能够深入狭窄空间的特性在堆内中字注量率在线监测中发挥重要作用。将^(6)LiF/ZnS(Ag)混合材料和导光束相结合,设计了一种微型... 堆内中字注量率的测量对于反应堆的安全运行至关重要。闪烁体光纤中子探测器因其工作稳定、抗干扰能力强以及能够深入狭窄空间的特性在堆内中字注量率在线监测中发挥重要作用。将^(6)LiF/ZnS(Ag)混合材料和导光束相结合,设计了一种微型耐高温中子探测器。使用蒙特卡罗软件Geant4和光学仿真软件Trace Pro完成了探头结构的优化设计,并采用毛细玻璃管解决了粉末状闪烁材料在形状应用上的限制,显著提高了光产率。利用中国核动力研究院零功率实验堆和南华大学中子实验放射源进行了性能测试,结果表明探测器高温工作稳定性好、计数率高、响应灵敏以及γ抑制能力强,具备相对中字注量率在线监测能力,为将来适用于更高温度环境的高计数率微型闪烁体中子探测器的研制奠定了坚实基础。 展开更多
关键词 中子探测器 微型 耐高温 ^(6)LiF/zns(Ag) 导光束
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ZnS分子激发态光谱性质的理论研究
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作者 吕浩男 李瑞 +2 位作者 桑纪群 刘晓军 任晓辉 《高师理科学刊》 2024年第4期60-67,共8页
采用考虑了戴维森修正的多参考组态相互作用(MRCI+Q)方法计算了ZnS分子能量最低的四条解离极限相关的18个Λ-S态的电子结构,并给出了势能曲线(PECs).计算中纳入了相对论效应和Zn原子3d轨道的芯-价电子关联效应.通过求解一维径向Schr?din... 采用考虑了戴维森修正的多参考组态相互作用(MRCI+Q)方法计算了ZnS分子能量最低的四条解离极限相关的18个Λ-S态的电子结构,并给出了势能曲线(PECs).计算中纳入了相对论效应和Zn原子3d轨道的芯-价电子关联效应.通过求解一维径向Schr?dinger方程,拟合出了一些典型束缚态的光谱常数,与之前的实验数据符合得很好.还计算了ZnS分子的永久偶极矩(PDMs),通过对PDMs的分析,阐明了ZnS分子中Zn原子与S原子的成键特性与分子极性.借助耦合矩阵元说明了电子态之间的扰动作用和预解离机制.最后,计算了^(1)Σ^(+)-^(1)Σ^(+)和^(1)Π-^(1)Σ^(+)态的跃迁偶极矩(TDMs)、Franck-Condon因子(FCFs)和振动能级信息以及自发辐射寿命. 展开更多
关键词 zns 光谱常数 辐射寿命 多参考组态相互作用方法
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机器人抛光M-ZnS去除函数建模与工艺参数优化
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作者 臧艺凯 朱蓓蓓 +6 位作者 秦琳 尚瑶 尚俊豪 佘中迪 陈肖 肖峻峰 许剑锋 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第15期2387-2400,共14页
为研究M-ZnS在机器人抛光过程中的材料去除模型和优化参数组合,探究M-ZnS光学元件的高精度、低成本、批量化制造方案,采用有限元法和数值仿真法,对M-ZnS的机器人抛光材料去除函数模型进行修正。基于有限元法建立了抛光盘的压力分布模型... 为研究M-ZnS在机器人抛光过程中的材料去除模型和优化参数组合,探究M-ZnS光学元件的高精度、低成本、批量化制造方案,采用有限元法和数值仿真法,对M-ZnS的机器人抛光材料去除函数模型进行修正。基于有限元法建立了抛光盘的压力分布模型,采用曲线拟合方法得到了压力分布函数。仿真模型和实验数据对比表明,去除函数模型与实验数据中心相对偏差小于8%,证实了修正去除函数模型的有效性。然后,对抛光关键工艺参数进行优化,通过单因素实验法,获得了机器人抛光M-ZnS的优化工艺参数组合:对于10 mm的沥青盘,推荐压力为0.12~0.18 MPa,推荐的转速比为200/-10~200/-50 r/min。最后,采用修正的去除函数模型和优化工艺参数对100 mm口径的M-ZnS平面光学元件进行抛光,并对抛光前后的表面粗糙度和面形精度进行测量和对比。实验结果表明,经过单轮80.39 min抛光,表面质量明显提高,元件淡黄色逐渐褪去,表现为透明材料,面形PV从0.668μm降至0.229μm,收敛率为65%,表面粗糙度Sa从7.911 nm降低至2.472 nm,收敛率为68%。机器人抛光技术可作为M-ZnS光学元件高效高质量加工的重要手段。 展开更多
关键词 机器人抛光 M-zns 去除函数 工艺优化 面形精度 表面粗糙度
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Vacancy engineering mediated hollow structured ZnO/ZnS S-scheme heterojunction for highly efficient photocatalytic H_(2) production
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作者 Fangxuan Liu Bin Sun +3 位作者 Ziyan Liu Yingqin Wei Tingting Gao Guowei Zhou 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE CAS CSCD 2024年第9期152-165,共14页
Designing a step-scheme(S-scheme)heterojunction photocatalyst with vacancy engineering is a reliable approach to achieve highly efficient photocatalytic H_(2)production activity.Herein,a hollow ZnO/ZnS S-scheme hetero... Designing a step-scheme(S-scheme)heterojunction photocatalyst with vacancy engineering is a reliable approach to achieve highly efficient photocatalytic H_(2)production activity.Herein,a hollow ZnO/ZnS S-scheme heterojunction with O and Zn vacancies(VO,Zn-ZnO/ZnS)is rationally constructed via ion-exchange and calcination treatments.In such a photocatalytic system,the hollow structure combined with the introduction of dual vacancies endows the adequate light absorption.Moreover,the O and Zn vacancies serve as the trapping sites for photo-induced electrons and holes,respectively,which are beneficial for promoting the photo-induced carrier separation.Meanwhile,the S-scheme charge transfer mechanism can not only improve the separation and transfer efficiencies of photo-induced carrier but also retain the strong redox capacity.As expected,the optimized VO,Zn-ZnO/ZnS heterojunction exhibits a superior photocatalytic H_(2) production rate of 160.91 mmol g^(-1)h^(-1),approximately 643.6 times and 214.5 times with respect to that obtained on pure ZnO and ZnS,respectively.Simultaneously,the experimental results and density functional theory calculations disclose that the photo-induced carrier transfer pathway follows the S-scheme heterojunction mechanism and the introduction of O and Zn vacancies reduces the surface reaction barrier.This work provides an innovative strategy of vacancy engineering in S-scheme heterojunction for solar-to-fuel energy conversion. 展开更多
关键词 Hollow structure znO/zns S-scheme heterojunction Vacancy engineering Photocatalytic H_(2) production
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空心绣球状MoS_(2)/ZnS/ZnO异质结材料的制备及太阳光下降解四环素的研究
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作者 李荡 张杨 李远勋 《贵州师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第3期122-128,共7页
采用水热法制备绣球状ZnO纳米微球,再以其为晶核,通过原位生长及氨的渗入腐蚀成功制备了空心绣球状MoS_(2)/ZnS/ZnO异质结光催化材料。采用SEM、TEM、XRD、XPS、BET及UV-VIS对样品的形貌、组织结构、成分、比表面积及光吸收等性能进行... 采用水热法制备绣球状ZnO纳米微球,再以其为晶核,通过原位生长及氨的渗入腐蚀成功制备了空心绣球状MoS_(2)/ZnS/ZnO异质结光催化材料。采用SEM、TEM、XRD、XPS、BET及UV-VIS对样品的形貌、组织结构、成分、比表面积及光吸收等性能进行了表征。探讨了空心绣球状MoS_(2)/ZnS/ZnO异质结材料的形成机制,研究了空心绣球状MoS_(2)/ZnS/ZnO异质结材料催化降解机理及四环素的降解过程。结果表明:尺寸均一、比面积大的空心绣球状MoS_(2)/ZnS/ZnO异质结材料不仅能实现宽窄带隙材料的有效杂化,促进材料对太阳光中可见光的利用,还能使光生电子及空穴分别转移至ZnO CB和MoS_(2)VB中,有效地分离了光生电子空穴,光催化性能最佳。在太阳光模拟器的照射下反应2 h之后,8 h合成的空心绣球状MoS_(2)/ZnS/ZnO异质结材料对四环素的降解效果最好,降解率高达91%。 展开更多
关键词 空心绣球状 MoS_(2)/zns/znO 原位生长 催化降解机理 四环素
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火柴状Ag_(2)S-ZnS纳米棒的一步法合成及光学性质研究
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作者 刘佩丰 雷俊宇 +1 位作者 秦瑞雪 蔡婧 《安徽化工》 CAS 2024年第2期106-109,113,共5页
采用[(C_(4)H_(9))_(2)NCS_(2)]Ag和[(C_(4)H_(9))_(2)NCS_(2)]2Zn为前驱体,通过一步法合成了Ag_(2)S-ZnS异质结。不同温度下合成的Ag_(2)S-ZnS异质结的形貌类似火柴状结构,尺寸随着反应温度的变化而变化。当反应温度从110oC升高至170℃... 采用[(C_(4)H_(9))_(2)NCS_(2)]Ag和[(C_(4)H_(9))_(2)NCS_(2)]2Zn为前驱体,通过一步法合成了Ag_(2)S-ZnS异质结。不同温度下合成的Ag_(2)S-ZnS异质结的形貌类似火柴状结构,尺寸随着反应温度的变化而变化。当反应温度从110oC升高至170℃时,火柴头部Ag_(2)S纳米颗粒以及杆部ZnS纳米棒平均直径越来越小,两者之间的差值越来越大,这可能是由于不同温度下[(C_(4)H_(9))_(2)NCS_(2)]Ag和[(C_(4)H_(9))_(2)NCS_(2)]2Zn活性差异导致的。不同温度下制备的Ag_(2)S-ZnS异质结的光学带隙不同,当反应温度从110℃升高至170℃时,ZnS纳米棒的平均直径从(7.0±1.1)nm降低到(6.3±0.8)nm,光学带隙从3.79 eV增加到3.84 eV。 展开更多
关键词 zns纳米棒 异质结 温度调变 光学带隙
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GaN衬底上ZnS纳米薄膜的结构、光学和电学特性
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作者 王彩凤 邢震岳 《山东航空学院学报》 2024年第4期55-59,共5页
采用脉冲激光沉积技术在GaN衬底上制备了ZnS纳米薄膜。通过XRD和SEM对薄膜结晶情况和截面结构进行了表征,并测量了ZnS纳米薄膜的透射光谱和ZnS/GaN异质结的Ⅰ-Ⅴ特性曲线。ZnS纳米薄膜在可见光区的透过率较高,平均透过率在80%以上,经过... 采用脉冲激光沉积技术在GaN衬底上制备了ZnS纳米薄膜。通过XRD和SEM对薄膜结晶情况和截面结构进行了表征,并测量了ZnS纳米薄膜的透射光谱和ZnS/GaN异质结的Ⅰ-Ⅴ特性曲线。ZnS纳米薄膜在可见光区的透过率较高,平均透过率在80%以上,经过退火处理,透过率增大。Ⅰ-Ⅴ特性曲线表明,ZnS/GaN形成了异质结,具有和普通二极管相似的整流特性。在正向偏压下电流随着电压的增加而增大。退火处理后异质结的导通电压减小。这些特性表明,ZnS纳米薄膜在无人机载传感器和航空电子系统中的光电二极管、光电探测器、光伏电池等领域有着潜在的应用价值。 展开更多
关键词 zns纳米薄膜 GaN衬底 脉冲激光沉积 透射光谱 Ⅰ-Ⅴ特性曲线
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ZnS(Ag)/^(10)B_(2)O_(3)闪烁体烧制过程中内部孔隙对探测效率的模拟研究
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作者 罗陈冉 肖思敏 李兴隆 《科技视界》 2024年第10期60-64,共5页
为探究ZnS(Ag)/^(10)B_(2)O_(3)闪烁体内部不同孔隙大小、含量对探测效率的影响,通过基于Monte Carlo方法的Geant4模拟软件构建了相同占空比下不同孔隙大小、相同孔隙大小不同占空比的闪烁体几何模型进行模拟,得到孔隙的存在会影响闪烁... 为探究ZnS(Ag)/^(10)B_(2)O_(3)闪烁体内部不同孔隙大小、含量对探测效率的影响,通过基于Monte Carlo方法的Geant4模拟软件构建了相同占空比下不同孔隙大小、相同孔隙大小不同占空比的闪烁体几何模型进行模拟,得到孔隙的存在会影响闪烁体的最优探测效率,表现为探测效率随着占空比的增大而变小,孔隙的直径与探测效率并未呈现出严格的反比例关系,仅在闪烁体厚度大于0.4 mm范围上呈现出孔隙直径0.2 mm到孔隙直径0.05 mm探测效率下降的趋势,在小于0.4 mm厚度的范围上并未出现明显的规律。 展开更多
关键词 孔隙 探测效率 zns(Ag)/^(10)B_(2)O_(3)闪烁体
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高电场下ZnS:Cu 复合涂层的电致发光机理 被引量:1
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作者 朱明晓 郭小渤 +2 位作者 李孟陶 董磊 陈继明 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第14期5693-5702,共10页
输变电设备安装运行过程中不可避免产生各种绝缘缺陷,将电致发光材料引入绝缘系统,能够直观显示高电场区,进而实现绝缘缺陷的自检测。该文针对ZnS:Cu复合涂层在高电场下的电致发光机制进行研究,利用棒–板结构电极在变压器油与空气中的... 输变电设备安装运行过程中不可避免产生各种绝缘缺陷,将电致发光材料引入绝缘系统,能够直观显示高电场区,进而实现绝缘缺陷的自检测。该文针对ZnS:Cu复合涂层在高电场下的电致发光机制进行研究,利用棒–板结构电极在变压器油与空气中的不同特点,通过发光分布、放电电流与表面电荷等特性的观测,分别考察在无放电和有放电情况下的电致发光特征。结果表明,ZnS:Cu复合涂层的电致发光来源于无放电时的电荷极化发光与高电场下的气体放电诱导发光,其中电荷极化发光分布与电场强度密切相关;放电起始后,气体放电沉积在涂层表面的正负电荷向ZnS:Cu迁移形成激子,进而以辐射跃迁的方式产生发光。实验获得了ZnS:Cu复合涂层的基本发光机制,对在电场分布定性表征与绝缘缺陷自诊断中的应用具有指导意义。 展开更多
关键词 zns:Cu复合涂层 电致发光机制 电荷极化发光 气体放电诱导发光 绝缘缺陷自检测
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不同预时效挤压态Mg−Gd−Y−Zn−Zr合金的再结晶行为和强化机制 被引量:1
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作者 徐健 郑杰 +5 位作者 刘莞尔 黄有旺 闫钊鸣 张治民 王强 薛勇 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第2期480-503,共24页
通过控制预时效时间制备3种不同状态的试样,研究不同预时效状态对挤压态Mg−9.5Gd−4Y−2.2Zn−0.5Zr(质量分数,%)合金的动态再结晶行为(DRX)和性能的影响。结果表明,欠时效挤压(UAE)样品的细晶体积分数为17.4%,而峰时效挤压(PAE)和过时效挤... 通过控制预时效时间制备3种不同状态的试样,研究不同预时效状态对挤压态Mg−9.5Gd−4Y−2.2Zn−0.5Zr(质量分数,%)合金的动态再结晶行为(DRX)和性能的影响。结果表明,欠时效挤压(UAE)样品的细晶体积分数为17.4%,而峰时效挤压(PAE)和过时效挤压(OAE)样品的细晶体积分数分别达到89.7%和50.4%。在晶粒内部和晶界处分布的致密、细小的β颗粒相通过粒子激发形核机制显著提高了形核位点和位错密度。然而,致密针状γ'相抑制位错滑移,延迟DRX形核。PEA和OAE样品中细小晶粒的差异归因于原始颗粒相的数量和尺寸的不同,而其拉伸性能的差异归因于不同的显微组织。由于晶界强化和析出强化机制的贡献更大,PAE样品具有更优异的拉伸性能。 展开更多
关键词 Mg−Gd−Y−zn−Zr合金 预时效处理 再结晶行为 强化机制 粒子刺激形核
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强γ抑制的^(6)Li F/ZnS(Ag)中子探测器研制及性能测试
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作者 夏庆中 蒋勇 +1 位作者 夏广新 何铁 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期2218-2224,共7页
在慢热中子探测领域,为应对3He气体资源的日益短缺,迫切需要研究新型中子探测器以替代3He气体探测器。基于^(6)Li F/ZnS(Ag)的闪烁体材料由于具有中子截面大、探测效率高、γ抑制强等特点,是较为理想的中子探测材料。本文采用蒙特卡罗程... 在慢热中子探测领域,为应对3He气体资源的日益短缺,迫切需要研究新型中子探测器以替代3He气体探测器。基于^(6)Li F/ZnS(Ag)的闪烁体材料由于具有中子截面大、探测效率高、γ抑制强等特点,是较为理想的中子探测材料。本文采用蒙特卡罗程序MCNP5构建闪烁体结构模型,在不同质量比、厚度参数条件下计算了中子探测效率,并对闪烁体结构参数进行了优化设计。利用纯国产的^(6)Li F和ZnS(Ag)材料研制了不同质量比和不同厚度的^(6)Li F/ZnS(Ag)闪烁体。通过252 Cf源和60 Co源测试了不同厚度和不同质量比条件下^(6)Li F/ZnS(Ag)闪烁体的探测效率及γ灵敏度。测试结果表明,^(6)Li F和ZnS(Ag)质量比1∶3、厚度400μm是较为理想的中子探测参数。新研制的^(6)Li F/ZnS(Ag)闪烁体的热中子探测效率达到30%以上,对γ具有较强的抑制能力,在45 mV阈值设置条件下γ灵敏度可达10-7。 展开更多
关键词 3He短缺 探测效率 ^(6)Li F/zns(Ag)闪烁体 Γ灵敏度
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CdTe/ZnS核壳结构半导体量子点的荧光特性研究
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作者 杨璐璐 《科技资讯》 2023年第19期222-225,共4页
纳米技术研究体系中量子点是重要的研究模块之一,量子点尺寸非常小,具有独特的光物理特性。该文旨通过实验进行分析,实验过程选择99%纯度硼氢化钠、99%纯度硫酸锌、S212恒速搅拌器、TG16-WS高速离心机、0.310 mL巯基乙酸等,制备0.4565 g... 纳米技术研究体系中量子点是重要的研究模块之一,量子点尺寸非常小,具有独特的光物理特性。该文旨通过实验进行分析,实验过程选择99%纯度硼氢化钠、99%纯度硫酸锌、S212恒速搅拌器、TG16-WS高速离心机、0.310 mL巯基乙酸等,制备0.4565 g CdCl_(2)·2.5H_(2)O混合液,当样本溶液呈现橙色时,表明CdTe核已制备完成。实验结果显示:单脉冲能量增加时,τ_(-rise)与τ_(2)有所降低,τ_(1)数值增加,τ_(-rise)与壳层厚度呈正比关系。通过对量子点荧光特性的分析,有利于促进核壳结构量子点的制备。 展开更多
关键词 CdTe/zns核壳结构 半导体量子点 荧光特性 壳层厚度
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