Cu_1Zr_1Ce_9O_δ催化剂选择性氧化CO性能的研究

用共沉淀法制备了Cu1Zr1Ce9Oδ催化剂，考察了反应温度和反应气体中各组分对Cu1Zr1Ce9Oδ催化剂上选择性氧化CO反应的影响。结果表明，降温的过程中Cu1Zr1Ce9Oδ催化剂的活性滞后。H2的存在有利于CO的脱附，促进了低温下选择性氧化CO的反应；而温度较高时，H2氧化副反应的发生降低了CO的转化率，反应气中H2O和CO2降低了催化剂的活性和选择性，最佳反应温度为（160—200）℃，O2的进入量取3为宜。

CO选择性氧化用Cu_1Zr_1Ce_9O_δ催化剂的红外光谱研究

采用共沉淀法制备了Cu1Zr1Ce9Oδ催化剂,用于富氢气体中CO的选择性氧化反应,利用原位漫反射红外光谱技术考察了Cu1Zr1Ce9Oδ催化剂表面上的吸附物种和反应中间产物。研究发现,H2,O2和CO物种竞争吸附于Cu1Zr1Ce9Oδ表面相同的吸附位上。氢气预处理会引起Cu1Zr1Ce9Oδ催化剂上Cu+物种的深度还原,降低了CO的吸附量。氧气预处理为催化剂提供了较多的活性氧物种,同时抑制了Cu+物种的深度还原。氦气预处理仅起到净化催化剂表面的作用。180℃时Cu1Zr1Ce9Oδ催化剂在2938.7和2843.8cm-1处出现桥式和双齿型甲酸根物种的红外吸收峰。Cu1Zr1Ce9Oδ催化剂上活性较高的氧阴离子在常温下即可将催化剂表面上吸附的CO氧化成表面碳酸根。甲酸根和碳酸根物种占据Cu1Zr1Ce9Oδ催化剂的吸附中心,导致催化剂活性降低。300℃下用氦气吹扫Cu1Zr1Ce9Oδ催化剂表面,双齿型的甲酸根物种分解生成碳酸根物种,碳酸根物种再继续分解生成CO2,释放出催化剂表面的吸附位,恢复了Cu1Zr1Ce9Oδ催化剂的活性。

CuO在Ce_(0.5)Zr_(0.5)O_2上的分散状态及其CO氧化性能的研究

以硝酸铈和硝酸锆为原料 ,采用共沉淀法制备了不同摩尔比 (0 ,0 .1,0 .2～ 0 .9,1.0 )的Cem Zr1-m O2 样品 .并以 Ce0 .5Zr0 .5O2 为载体 ,采用浸渍法负载不同含量的 Cu O,在色谱流动法上考察其对CO的氧化活性 .并用 XRD,TPR和 BET等技术对 Cu O/ Ce0 .5Zr0 .5O2 各样品进行了表征 .结果表明 ,当Cu O负载量为 5 .0 %时 ,其 CO的氧化活性最高 .XRD测定表明其氧化活性的高低与铜物种在 Ce0 .5Zr0 .5O2 上的分散状态有关 .TPR结果亦显示活性的高低与 Ce0 .5Zr0 .5O2 上分散较好的铜物种的 α还原峰及分散较差的γ还原峰的峰温及形状有关 .

Sr(Cu_(0.5)W_(0.5))O_3掺杂Ba_(0.85)Ca_(0.15)Zr_(0.1)Ti_(0.9)O_3压电陶瓷性能研究

采用固相合成法制备了Sr(Cu0.5W0.5)O3(SCW)掺杂的Ba0.85Ca0.15Zr0.1Ti0.9O3(BCZT)无铅压电陶瓷,研究了SCW的掺杂量对陶瓷的晶体结构、介电和压电性能的影响。结果显示:SCW的加入,能显著降低BCZT陶瓷的烧结温度,达1 350℃,当SCW的掺杂量质量分数为0.1%时,制得BCZT压电陶瓷具有最佳的压电性能:d33=478 pC/N,tC为95℃,tanδ为1.5%,Kp为0.552。