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Effect of Deposition Potential on Synthesis, Structural,Morphological and Photoconductivity Response of Cu2O Thin Films by Electrodeposition Technique 被引量:2
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作者 K.P.Ganesan N.Anandhan +2 位作者 T.Marimuthu R.Panneerselvam A.Amali Roselin 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第9期1065-1074,共10页
The present work describes the effect of deposition potentials on structural,morphological,optical,electrical and photoconductivity responses of cuprous oxide(Cu2O)thin films deposited on fluorine-doped tin oxide glas... The present work describes the effect of deposition potentials on structural,morphological,optical,electrical and photoconductivity responses of cuprous oxide(Cu2O)thin films deposited on fluorine-doped tin oxide glass substrate by employing electrodeposition technique.X-ray diffraction patterns reveal that the deposited films have a cubic structure grown along the preferential(111)growth orientation and crystallinity of the film deposited at.0.4 V is improved compared to the films deposited at.0.2,.0.3 and.0.5 V.Scanning electron microscopy displays that surface morphology of Cu2O film has a well-defined three-sided pyramid-shaped grains which are uniformly distributed over the surface of the substrates and are significantly changed as a function of deposition potential.Raman and photoluminescence spectra manifest that the film deposited at.0.4 V has a good crystal quality with higher acceptor concentration compared to other films.UV–visible analysis illustrates that the absorption of Cu2O thin film deposited at.0.4 V is notably higher compared to other films and the band gap of Cu2O thin films decreases from 2.1 to 2.04 eV with an increase in deposition potential from.0.2 to.0.5 V.The frequency–temperature dependence of impedance analysis shows that the film deposited at.0.4 V has a high conductivity.I– V measurements elucidate that the film deposited at.0.4 V exhibits a good photoconductivity response compared to films deposited in other deposition potentials. 展开更多
关键词 ELECTRODEPOSITION cu2o thin films PHOTOCONDUCTIVITY RESPONSE I-V measurement
原文传递
Temperature Effects on Gas Sensing Properties of Electrodeposited Chlorine Doped and Undoped n-Type Cuprous Oxide Thin Films 被引量:1
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作者 Nayana Bandara Charith Jayathilaka +1 位作者 Dhammika Dissanayaka Sumedha Jayanetti 《Journal of Sensor Technology》 2014年第3期119-126,共8页
As one of the most widely used domestic fuels, the detection of possible leakages of Liquefied Petroleum (LP) gas from production plants, from cylinders during their storage, transport and usage is of utmost importanc... As one of the most widely used domestic fuels, the detection of possible leakages of Liquefied Petroleum (LP) gas from production plants, from cylinders during their storage, transport and usage is of utmost importance. This article discusses a study of the response of undoped and chlorine doped electrodeposited n-type Cuprous Oxide (Cu2O) films to of LP gas. Undoped n-type Cu2O films were fabricated in an electrolyte bath containing a solution of sodium acetate and cupric acetate whereas n-type chlorine doped Cu2O thin films were prepared by adding a 0.02 M cuprous chloride (CuCl2) into an electrolyte solution containing lactic acid, cupric sulfate and sodium hydroxide. The n-type conductivity of the deposited films was determined using spectral response measurements. The structural and morphological properties of the fabricated films were monitored using X-ray diffraction (XRD) and Scanning Electron Microscopy (SEM). Due to doping, the overall conductivity of the chlorine doped n-type Cu2O films increased by several orders of magnitude. The temperature dependent gas responses of both the undoped and chlorine doped n-type Cu2O thin films to the LP gas was monitored by measuring the electrical resistance (R), and using the contact probe method at a constant gas flow rate of 0.005 ml/s. Upon exposure to gases, both doped and undoped films showed a good response to the gas by increasing/decreasing the electrical resistance by ΔR. The undoped n-type Cu2O thin films showed a negative response (ΔR 2O thin films initially showed a positive response (ΔR > 0) to the LP gas which then reversed its sign to give a negative response which peaked at 52°C. The positive response shown by the chlorine doped Cu2O films vanished completely at 42°C. 展开更多
关键词 Liquefied Petroleum GAS ELECTRODEPOSITION cu2o thin films CHLORINE DOPED Undoped GAS Response
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能量过滤磁控溅射技术制备Cu2O/TiO2复合薄膜及其光催化性能 被引量:2
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作者 王朝勇 黄晓亚 +5 位作者 魏瑞朋 田高旗 刘志清 王新练 张飞鹏 姚宁 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期132-137,共6页
目的制备具备良好光催化性能的Cu2O/TiO2叠层复合薄膜。方法利用直流磁控溅射技术(DMS)和能量过滤直流磁控溅射技术(EFMS)在玻璃基底上制备Cu2O/TiO2叠层复合薄膜,利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、椭偏仪和光催化测试系统表征和分... 目的制备具备良好光催化性能的Cu2O/TiO2叠层复合薄膜。方法利用直流磁控溅射技术(DMS)和能量过滤直流磁控溅射技术(EFMS)在玻璃基底上制备Cu2O/TiO2叠层复合薄膜,利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、椭偏仪和光催化测试系统表征和分析了薄膜的表面形貌、结构、透射率和光催化性能。结果DMS技术和EFMS技术制备的TiO2和Cu2O薄膜都有良好的结晶特性,其中TiO2为单一的锐钛矿结构。相对于DMS技术制备的Cu2O薄膜,EFMS样品中的Cu2O薄膜的衍射峰较弱,而且衍射峰的宽度变宽,衍射曲线比较平滑。薄膜表面较平整,颗粒均匀,较细小,边界明显。DMS和EFMS两种技术制备的薄膜的平均晶粒直径分别为15.4 nm和10.8 nm。透射光谱测试结果表明,EFMS技术制备的复合薄膜平均透射率较大,在350~800 nm范围内,平均透射率为0.388,DMS薄膜的值为0.343。对罗丹明B(RhB)的光催化降解结果表明,EFMS技术制备的薄膜的降解速率为−0.00411,大于DMS技术制备的薄膜的降解速率-0.00334。结论EFMS技术制备的Cu2O/TiO2叠层复合薄膜对罗丹明B具有较大的光催化降解速率。 展开更多
关键词 cu2o/TiO2 磁控溅射 能量过滤 叠层复合薄膜 光催化
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溅射功率对脉冲磁控溅射沉积Cu2O薄膜结构和光学性能的影响 被引量:2
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作者 自兴发 杨雯 +3 位作者 杨培志 彭柳军 邓双 宋肇宁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期1003-1008,共6页
利用脉冲磁控溅射制备技术,采用单质金属铜靶作为溅射靶,在氧气(O2)和氩气(Ar)的混合气氛下,在石英玻璃衬底上制备了Cu2O薄膜。研究了溅射功率对脉冲反应磁控溅射沉积法在室温下对生长Cu2O薄膜结构、表面形貌及光学性能的影响。结... 利用脉冲磁控溅射制备技术,采用单质金属铜靶作为溅射靶,在氧气(O2)和氩气(Ar)的混合气氛下,在石英玻璃衬底上制备了Cu2O薄膜。研究了溅射功率对脉冲反应磁控溅射沉积法在室温下对生长Cu2O薄膜结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,在O2、Ar流量比(O2/Ar)为30∶80的气氛条件下,在60~90 W的溅射功率范围内可获得〈111〉取向的Cu2O薄膜;薄膜的表面粗糙度的均方根值随溅射功率的增加而增大;薄膜的光谱吸收范围为300~670 nm,不同溅射功率下制备的薄膜均在430 nm附近出现明显的带边吸收,其光学带隙(Eg)在2.15~2.53 eV之间变化。 展开更多
关键词 cu2o薄膜 溅射功率 表面粗糙度 光学带隙
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氧氩比及基底温度对脉冲磁控溅射Cu2O薄膜结构和光学性能的影响 被引量:1
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作者 自兴发 杨雯 +3 位作者 杨培志 段良飞 张力元 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1802-1807,共6页
利用脉冲磁控溅射制备技术,采用单质金属铜靶作为溅射靶,在氧气(O2)和氩气(Ar)的混合气氛下在石英玻璃基底上制备Cu2O薄膜,研究了O2和Ar流量比(O2/Ar)及基底温度对沉积的Cu2O薄膜结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明:在O2/Ar为30... 利用脉冲磁控溅射制备技术,采用单质金属铜靶作为溅射靶,在氧气(O2)和氩气(Ar)的混合气氛下在石英玻璃基底上制备Cu2O薄膜,研究了O2和Ar流量比(O2/Ar)及基底温度对沉积的Cu2O薄膜结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明:在O2/Ar为30∶80的气氛条件下,基底温度在室温(RT)和100℃时均可获得单相的Cu2O<111>薄膜;薄膜表面致密、颗粒呈球状,粗糙度的均方根(RMS)值随基底温度增加而增大;薄膜的光谱吸收范围为300~650 nm,紫外区吸收较强,可见光区吸收强度较弱,吸收强度隨基底温度的增加而增强,光学带隙(E g)随基底温度的增加而减小。 展开更多
关键词 脉冲磁控溅射 cu2o薄膜 氧氩比 基底温度 光学特性
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沉积温度对 Cu2O 薄膜生长过程及光电性能的影响(英文)
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作者 董金矿 徐海燕 陈琛 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第3期689-695,共7页
以硫酸铜为铜源,采用一步化学浴沉积法制备出了晶粒尺寸可调的纳米晶Cu2O薄膜。通过X射线衍射、扫描电镜和紫外可见分光光度法研究了沉积温度对薄膜晶体结构、成核密度、晶粒尺寸、薄膜厚度和光电性能的影响。结果表明,当在60~90 ℃... 以硫酸铜为铜源,采用一步化学浴沉积法制备出了晶粒尺寸可调的纳米晶Cu2O薄膜。通过X射线衍射、扫描电镜和紫外可见分光光度法研究了沉积温度对薄膜晶体结构、成核密度、晶粒尺寸、薄膜厚度和光电性能的影响。结果表明,当在60~90 ℃范围内调节温度时,能够很好地控制晶粒尺寸、薄膜厚度,并将禁带宽度控制在33~51 nm、392~556 nm和2.47~2.61 eV范围内;随着晶粒尺寸的减小,紫外可见光谱的吸收边有明显的蓝移。此外还对薄膜的生长过程,成核密度和颗粒尺寸变化的机理进行了讨论。 展开更多
关键词 cu2o薄膜 沉积温度 晶粒尺寸 成核密度 禁带宽度
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氧化亚铜薄膜的研究进展 被引量:2
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作者 董国波 张铭 +2 位作者 兰伟 董培明 严辉 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A04期1499-1501,共3页
氧化亚铜(Cu2O)具有优越的光电性质,是一种具有广泛用途的材料,而且它的制备方法很多。结合最近的研究进展综述了Cu2O薄膜的制备方法与基本性质,分析了Cu2O薄膜研究开发现状,展望了Cu2O薄膜在太阳能电池应用方面的前景。
关键词 cu2o薄膜 转化效率 电导率 P-N结
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衬底温度对Cu_2O薄膜结构和性能的影响 被引量:2
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作者 董国波 张铭 +5 位作者 王玫 李英姿 李朝荣 李华 黄安平 严辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期457-460,467,共5页
采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了Cu2O薄膜。系统研究了衬底温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。XRD的结果显示,在所有衬底温度条件下均可得到单相的Cu2O结构,而且随着衬底温度由500 K升至800 K,薄膜表现出(111)择优取向的... 采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了Cu2O薄膜。系统研究了衬底温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。XRD的结果显示,在所有衬底温度条件下均可得到单相的Cu2O结构,而且随着衬底温度由500 K升至800 K,薄膜表现出(111)择优取向的生长特点。电学和光学测试结果表明,室温电导率和光学带隙随着衬底温度的升高而增加,800 K制备的薄膜的带隙值最高约为2.58 eV。 展开更多
关键词 cu2o薄膜 电导率 光学带隙 衬底温度
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通过氧化Cu膜制备Cu_2O薄膜 被引量:2
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作者 孙杰 高斐 +4 位作者 权乃承 晏春愉 张佳雯 郝培风 刘立慧 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期949-951,923,共4页
通过热蒸镀Cu膜并在空气中退火制备Cu2O薄膜,利用X射线衍射(XRD)、能量分散X射线谱(EDX)和原子力显微镜(AFM)研究了已沉积和不同温度退火薄膜的晶体结构、成份和表面形貌。结果表明,Cu膜在200℃退火30分钟可以得到具有单一成份的Cu2O薄... 通过热蒸镀Cu膜并在空气中退火制备Cu2O薄膜,利用X射线衍射(XRD)、能量分散X射线谱(EDX)和原子力显微镜(AFM)研究了已沉积和不同温度退火薄膜的晶体结构、成份和表面形貌。结果表明,Cu膜在200℃退火30分钟可以得到具有单一成份的Cu2O薄膜。四探针测量得到所制备的Cu2O薄膜电阻率为0.22Ωcm。用紫外可见光分光光度计(UV-vis)研究了Cu2O薄膜的光学特性,得出其光学带隙为2.4eV。 展开更多
关键词 cu2o薄膜 热蒸镀 CU膜 退火
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化学浴沉积法制备纳米氧化亚铜薄膜 被引量:12
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作者 刘明辉 张丽莎 +2 位作者 贾志勇 唐一文 余颖 《华中师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2006年第1期75-78,共4页
用改进后的化学浴沉积法制备了纳米Cu2O薄膜,并对成膜条件及膜的性能进行了研究.结果表明:化学浴沉积法改进后有利于制备高质量的纳米Cu2O薄膜;最佳反应温度为60~70C,此温度范围内Cu2O薄膜的膜厚随着循环次数线性增加.制备的薄... 用改进后的化学浴沉积法制备了纳米Cu2O薄膜,并对成膜条件及膜的性能进行了研究.结果表明:化学浴沉积法改进后有利于制备高质量的纳米Cu2O薄膜;最佳反应温度为60~70C,此温度范围内Cu2O薄膜的膜厚随着循环次数线性增加.制备的薄膜纯度较高.表面较平整和致密,Cu2O粒径为14~22nm,其禁带宽度为2.01eV. 展开更多
关键词 纳米氧化亚铜 化学浴沉积法 改进 薄膜
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Cu_2O薄膜的制备方法 被引量:2
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作者 孙杰 高斐 +4 位作者 权乃承 晏春愉 张佳雯 郝培风 刘立慧 《材料开发与应用》 CAS 2009年第4期93-96,共4页
氧化亚铜(Cu2O)薄膜在太阳能电池及其它光电器件上有重要应用,它具有无毒、制备成本低、材料广泛易得等优点。制备Cu2O薄膜的方法主要有热蒸发、溅射、化学气相沉积和电化学沉积等,本文对Cu2O薄膜的制备方法进行了综述与展望。
关键词 氧化亚铜薄膜 热蒸发 溅射 化学气相沉积
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pH值和热处理对氧化亚铜薄膜结构和光学性能的影响 被引量:1
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作者 杨静静 张雪 +3 位作者 张晨纯 李秋旭 汪琼 王龙成 《浙江理工大学学报(自然科学版)》 2014年第4期406-412,共7页
在三电极电化学池中,以ITO透明导电玻璃作为工作电极,在硫酸铜-乳酸钠体系中采用恒电位电化学沉积法制备Cu2O薄膜,并讨论pH值和热处理对Cu2O薄膜结构和光学性能的影响。利用X射线衍射仪(XRD),场发射扫描电镜(FESEM)和紫外-可见光光谱仪(... 在三电极电化学池中,以ITO透明导电玻璃作为工作电极,在硫酸铜-乳酸钠体系中采用恒电位电化学沉积法制备Cu2O薄膜,并讨论pH值和热处理对Cu2O薄膜结构和光学性能的影响。利用X射线衍射仪(XRD),场发射扫描电镜(FESEM)和紫外-可见光光谱仪(UV-vis)表征Cu2O薄膜物相结构、表面形貌以及光学性能。结果表明:沉积溶液的pH值和热处理均可提高Cu2O薄膜结晶性能,随着pH值的增加Cu2O薄膜的禁带宽度降低,热处理对Cu2O薄膜的禁带宽度影响不大。 展开更多
关键词 电化学沉积法法 cu2o薄膜 PH值 热处理 禁带宽度
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电沉积法制备微纳米Cu2_O薄膜与催化降解亚甲基蓝研究 被引量:1
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作者 徐玲 张峰君 +3 位作者 徐海燕 吴世彪 王峰 李静 《安徽建筑工业学院学报(自然科学版)》 2012年第2期68-70,共3页
以硫酸铜和NaOH为原料、乳酸为络合剂,通过电沉积法在导电玻璃片上成功制备了微纳米Cu2O薄膜。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见分光光度计对其Cu2O薄膜结构及形貌进行了表征。在碘钨灯照射下和外加H2O2环境下,采用光度分... 以硫酸铜和NaOH为原料、乳酸为络合剂,通过电沉积法在导电玻璃片上成功制备了微纳米Cu2O薄膜。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见分光光度计对其Cu2O薄膜结构及形貌进行了表征。在碘钨灯照射下和外加H2O2环境下,采用光度分析法考察了Cu2O薄膜对亚甲基蓝的催化降解情况。结果表明:不同电沉积时间的Cu2O薄膜的降解效果均较好,且在碘钨灯照射下3h的降解率达到97%以上。 展开更多
关键词 电沉积 氧化亚铜薄膜 光催化 降解 亚甲基蓝
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p沟道Cu_2O半导体薄膜场效应晶体管的制备及Ⅳ特性研究 被引量:1
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作者 李梦轲 吕东徽 +2 位作者 赵佳佳 周施彤 刘丹妮 《辽宁师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2019年第1期47-53,共7页
采用磁控溅射掩膜制备工艺,在n型Si衬底上分别制备了底栅型p沟道Cu_2O半导体薄膜场效应晶体管(TFTs).用XRD、SEM、XPS等检测分析方法对不同条件下制备的Cu_2O薄膜的晶体结构、表面形貌、化学成分进行了表征.对O_2通量、退火温度及沟道... 采用磁控溅射掩膜制备工艺,在n型Si衬底上分别制备了底栅型p沟道Cu_2O半导体薄膜场效应晶体管(TFTs).用XRD、SEM、XPS等检测分析方法对不同条件下制备的Cu_2O薄膜的晶体结构、表面形貌、化学成分进行了表征.对O_2通量、退火温度及沟道宽度等因素对半导体薄膜及器件特性的影响进行了对比研究.研究发现,O_2通量是制备Cu_2O半导体薄膜的关键因素,器件I_(DS)电流的绝对值随着栅压的绝对值的增大而增大,具有典型的p沟道增强型场效应晶体管特征.其Ⅳ特性与溅射沉积时间、沟道宽度、退火因素等有关,真空退火处理后有助于提高器件的I_(DS)的绝对值.测试表明,制备的沟道宽度为50μm的典型器件的电导率、电流开关比和阈值电压分别为0.63S/cm,1.5×10~2及-0.6V. 展开更多
关键词 cu2o 半导体薄膜 场效应晶体管
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电沉积制备Cu_2O薄膜及其在光催化中的应用进展
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作者 姜震 王浩人 +1 位作者 陈丽铎 姬磊 《化学工程师》 CAS 2016年第1期50-54,共5页
制备Cu_2O薄膜的手段多种多样,其中电化学技术制备纳米Cu_2O具有制备流程短、能耗低、容易制备面积较大的薄膜等优点而备受关注。众所周知,催化剂的形貌与其催化性能有着密切的联系。因此,控制Cu_2O的形貌合成对提高其光催化性能具有深... 制备Cu_2O薄膜的手段多种多样,其中电化学技术制备纳米Cu_2O具有制备流程短、能耗低、容易制备面积较大的薄膜等优点而备受关注。众所周知,催化剂的形貌与其催化性能有着密切的联系。因此,控制Cu_2O的形貌合成对提高其光催化性能具有深远的意义。本文综述了采用电化学法制备纳米氧化亚铜的工艺条件、影响因素、形成机理对Cu_2O薄膜形貌的调控作用及其对光催化性能的影响,并指出现阶段研究存在的不足和以后的研究方向与趋势。 展开更多
关键词 cu2o薄膜 电沉积 光催化 形貌 机理
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溅射沉积CuO薄膜的光学和电学特性 被引量:3
16
作者 王俪蓉 刘卫国 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期722-726,共5页
以金属铜为靶材,氧气为反应气体,保持200℃的基底温度不变,通过调节氧氩比(OFR)和反应压强,利用直流反应磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了一系列氧化铜薄膜。利用能谱对薄膜材料的元素含量进行测量和分析,结果显示:OFR=1∶1和2∶1时,... 以金属铜为靶材,氧气为反应气体,保持200℃的基底温度不变,通过调节氧氩比(OFR)和反应压强,利用直流反应磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了一系列氧化铜薄膜。利用能谱对薄膜材料的元素含量进行测量和分析,结果显示:OFR=1∶1和2∶1时,铜元素和氧元素的含量比约在0.90-0.97的范围内变动。用四探针测试仪对薄膜的电阻率进行测量,用分光光度计测量薄膜的透过率,并用外推法推导出氧化铜薄膜的禁带宽度。利用霍尔效应测试仪对薄膜的电学参数进行测量和分析。 展开更多
关键词 CuO薄膜 禁带宽度 反应磁控溅射 cu2o薄膜
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金属电阻率Cu/Cu_2O半导体弥散复合薄膜的制备及其偏压效应 被引量:2
17
作者 刘阳 马骥 +3 位作者 唐斌 蒋美萍 苏江滨 周磊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期205-209,共5页
采用平衡直流磁控溅射技术,通过改变衬底偏压在玻璃衬底上制备了Cu/Cu2O 弥散复合薄膜,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计等进行表征与分析.研究发现,Cu/Cu2O 弥散复合薄膜表现出金属和半导体双特... 采用平衡直流磁控溅射技术,通过改变衬底偏压在玻璃衬底上制备了Cu/Cu2O 弥散复合薄膜,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计等进行表征与分析.研究发现,Cu/Cu2O 弥散复合薄膜表现出金属和半导体双特性,其电阻率范围为(5.23-9.98)×10^-5 Ω·cm,禁带宽度范围为2.23-2.47eV.同时,研究还发现衬底偏压对Cu/Cu2O 弥散复合薄膜的形貌、结构、电学和光学性能都产生了较大的影响,特别是当衬底偏压为-100V时薄膜样品的表面最为致密,结晶程度最好,电阻率最低,禁带宽度最窄.进一步地,对平衡磁控溅射过程的偏压效应进行了分析,并提出了两种区别于传统轰击和再溅射作用的新机制. 展开更多
关键词 Cu/cu2o 弥散复合薄膜 磁控溅射 衬底偏压 电阻率 禁带宽度
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棒状纳米Cu_2O薄膜的制备及其光电性能 被引量:2
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作者 王晶晶 江瑶瑶 +3 位作者 黎燕 莫德清 朱义年 钟福新 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期539-546,共8页
以硫酸铜、乳酸和乙二胺四乙酸二钠(Na2EDTA)为反应体系,采用电化学沉积法制备棒状纳米氧化亚铜(Cu2O)薄膜,探讨了Na2EDTA和十二烷基苯磺酸钠(SDBS)用量、p H值、沉积电压和沉积时间对棒状纳米Cu2O开路电压的影响。结果表明,当沉... 以硫酸铜、乳酸和乙二胺四乙酸二钠(Na2EDTA)为反应体系,采用电化学沉积法制备棒状纳米氧化亚铜(Cu2O)薄膜,探讨了Na2EDTA和十二烷基苯磺酸钠(SDBS)用量、p H值、沉积电压和沉积时间对棒状纳米Cu2O开路电压的影响。结果表明,当沉积液中含有30 m L的0.1 mol/L CuSO4溶液、10 m L的3 mol/L乳酸溶液、3 m L的0.2 mol/L Na2EDTA和4 m L的0.1 mol/L SDBS,其p H值为12.5,沉积电压为1.3 V,电沉积30 min时,所得样品的开路电压可达0.392 V。能谱仪(EDS)分析结果显示,样品Cu2O中Cu和O元素的质量分数分别为56.85%和27.99%,原子数分数分别为26.68%和52.18%,对Cu元素的原子数分数进行归一化处理,O的质量分数和原子数分数分别为7.16%和13.34%。扫描电子显微镜(SEM)结果显示,样品Cu2O为棒状,长度为50200 nm,直径约为10 nm。X射线衍射(XRD)分析结果表明,在2θ为29.632°,36.503°,42.402°,61.520°和73.699°处出现5个衍射峰,分别对应于Cu2O(110),(111),(200),(220)和(311)晶面,为立方晶型。 展开更多
关键词 电化学沉积法 棒状纳米氧化亚铜 制备 开路电压 薄膜
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A method to access the electro-mechanical properties of superconducting thin film under uniaxial compression 被引量:2
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作者 Xiyang Su Cong Liu +2 位作者 Jun Zhou Xingyi Zhang Youhe Zhou 《Acta Mechanica Sinica》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第5期1046-1050,I0002,共6页
Superconducting thin films are widely used in superconducting quantum interferometers,microwave devices,etc.The electrical performance of a superconducting thin film is often affected by structural deformation or stre... Superconducting thin films are widely used in superconducting quantum interferometers,microwave devices,etc.The electrical performance of a superconducting thin film is often affected by structural deformation or stress.Based on four-point bending of a Cu-Be beam,we constructed a device that could apply uniaxial,uniform.compressive strain to a superconducting thin film at both room temperature and the temperature of liquid nitrogen.The thin film was placed into a slot carved in the Cu-Be beam.We optimized the size of this slot via numerical simulation.Our results indicated that the slot width was optimal when it was same as the width of the Cu-Be beam.Notably,the sample bended hardly after machining two slits along width direction on both sides of the slot.A YBa2Cu3O7-δSrTiO3(YBCO-STO)film was used as an example.It was loadedby the aforementioned device to determine its electrical characteristics as functions of the uniaxial-uniform-compressive strain.The optimized design allowed the sample to be compressed to a larger strain without breaking it. 展开更多
关键词 YBa2Cu3O7-δthin film Compressive strain Critical current density
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n型氧化亚铜薄膜的制备及其光电化学特性 被引量:1
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作者 赵翀 文圆 +2 位作者 邹苑庄 文思逸 胡飞 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期26-31,共6页
采用三电极系统在硫酸铜-乳酸体系中电化学沉积法制备Cu2O薄膜,控制电沉积溶液的温度和pH得到n型Cu2O薄膜,并通过光电流(I-t)测试、莫特-肖特基(M-s)曲线测试薄膜的光电性能。结果表明当pH值为8.5~10时,成功地制备出了n型Cu2O薄膜,且当... 采用三电极系统在硫酸铜-乳酸体系中电化学沉积法制备Cu2O薄膜,控制电沉积溶液的温度和pH得到n型Cu2O薄膜,并通过光电流(I-t)测试、莫特-肖特基(M-s)曲线测试薄膜的光电性能。结果表明当pH值为8.5~10时,成功地制备出了n型Cu2O薄膜,且当电解液的pH值为8.5,温度为60℃时,n型Cu2O薄膜光电性能最佳。对Cu2O薄膜进行退火处理,有助于改善氧化亚铜薄膜的光电性能。在此基础上,我们对n型Cu2O薄膜进行不同离子掺杂。离子的掺杂能继续提高Cu2O薄膜的光电性能。其中当Cl-为40 mM条件下,Cu2O薄膜的光电化学性能最佳。 展开更多
关键词 n型cu2o薄膜 光电化学性能 离子掺杂
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