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One-Pot Aqueous Synthesis of Highly Biocompatible Near Infrared CulnS2 Quantum Dots for Target Cell Imaging 被引量:1
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作者 Anila Arshad Hongli Chen +2 位作者 Xilin Bai Suying Xu Leyu Wang 《Chinese Journal of Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2016年第6期576-582,共7页
In this study, we report a novel and facile autoclave strategy for synthesis of near-infrared (NIR) CulnS2 QDs by employing glutathione (GSH) as capping ligand and stabilizer in aqueous media under 100 ~C. Various... In this study, we report a novel and facile autoclave strategy for synthesis of near-infrared (NIR) CulnS2 QDs by employing glutathione (GSH) as capping ligand and stabilizer in aqueous media under 100 ~C. Various experi- mental parameters including the ratio of precursors, reaction time, reaction temperature, pH effect and stability have been systematically studied. The QDs were characterized by X-ray diffraction (XRD), transmission electron micro- scope (TEM), and Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR). The as-synthesized NIR QDs exhibited low cytotoxicity and maintained excellent cell viability even up to 100 gg/mL. After bioconjugation with Arg-Gly-Asp (RGD) peptide, the obtained CulnS2-RGD QDs have demonstrated high targeting ability with good fluorescence cell imaging performance. 展开更多
关键词 culns2 quantum dots hydrophilic synthesis PHOTOLUMINESCENCE cell imaging
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CuInS_2量子点敏化太阳能电池中尺寸依赖的电子注入和光电性质 被引量:2
2
作者 朱德华 钟蓉 +4 位作者 曹宇 彭志辉 冯爱新 向卫东 赵家龙 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第10期1861-1866,共6页
研究了CuInS2(CIS)量子点敏化太阳能电池(QDSSCs)的电子注入和器件性能与粒子尺寸之间的依赖关系.首先合成了不同尺寸的CuInS2量子点(QDs),制备了CuInS2量子点敏化的TiO2薄膜,并组装了量子点敏化太阳能电池.通过循环伏安法确定了CuInS2... 研究了CuInS2(CIS)量子点敏化太阳能电池(QDSSCs)的电子注入和器件性能与粒子尺寸之间的依赖关系.首先合成了不同尺寸的CuInS2量子点(QDs),制备了CuInS2量子点敏化的TiO2薄膜,并组装了量子点敏化太阳能电池.通过循环伏安法确定了CuInS2量子点的能级位置.采用时间分辨荧光光谱分析测量了CuInS2量子点到TiO2薄膜的电子转移速率和效率.结果发现,随着粒子尺寸从4.0 nm减小到2.5 nm,电子注入速率略微增加而电子注入效率减小,同时量子点敏化太阳能电池的开路电压基本不变,而光电转换效率、短路电流和填充因子(FF)均减小.上述研究结果表明量子点敏化太阳能电池性能的优化可以通过改变量子点的尺寸来实现. 展开更多
关键词 量子点敏化太阳能电池 culns2量子点 电子转移 荧光寿命 时间分辨荧光光谱
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用于太阳电池吸收层CuInS_2薄膜的RF反应溅射制备及其表征 被引量:2
3
作者 邵乐喜 张昆辉 黄惠良 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期123-126,共4页
该文报道采用射频反应溅射技术,以铜银合金为靶材、H2S为反应气体,在Soda-Lime玻璃衬底上沉积高质量CuInS2薄膜的实验结果。分别运用扫描电镜、能量散射X-射线谱、X-射线衍射谱和表面轮廓仪等对沉积样品的结构形貌和组成成分等特性进行... 该文报道采用射频反应溅射技术,以铜银合金为靶材、H2S为反应气体,在Soda-Lime玻璃衬底上沉积高质量CuInS2薄膜的实验结果。分别运用扫描电镜、能量散射X-射线谱、X-射线衍射谱和表面轮廓仪等对沉积样品的结构形貌和组成成分等特性进行了分析表征,研究了这些特性对沉积参数的依赖关系。通过对溅射功率、衬底温度和H2S流量等工艺参数的优化,获得了单一黄铜矿相结构且沿单一晶向(112)生长的高质量富铜薄膜,晶粒线度达400 nm,薄膜中成分的原子比[Cu+In]/[S]和[Cu]/[Cu+In]可分别接近于1和0.5,并对结果进行了简单讨论。该技术成本低廉、可靠性高,适合于高效太阳电池吸收层薄膜的高均匀度大面积沉积,具有规模化工业生产的推广价值。 展开更多
关键词 culns2薄膜 射频(RF)反应溅射 太阳电池
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石墨烯基杂化聚合物太阳能电池中光活性层组成对器件性能的影响 被引量:1
4
作者 孟维利 王晴晴 +2 位作者 邵静 程宏伟 宫昊 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期613-619,共7页
利用溶剂热法可控制备了具有不同质量比的还原氧化石墨烯/CuInS_(2)量子点(rGO/CuInS_(2)-QDs)杂化材料。将rGO/CuInS_(2)-QDs杂化材料与聚(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-苯撑乙烯基)(MEH-PPV)共混作为光活性层,制备了石墨烯基杂化聚... 利用溶剂热法可控制备了具有不同质量比的还原氧化石墨烯/CuInS_(2)量子点(rGO/CuInS_(2)-QDs)杂化材料。将rGO/CuInS_(2)-QDs杂化材料与聚(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-苯撑乙烯基)(MEH-PPV)共混作为光活性层,制备了石墨烯基杂化聚合物太阳能电池,研究了rGO/CuInS_(2)-QDs杂化受体材料中rGO与CuInS_(2)-QDs的质量比(x)以及聚合物给体材料MEH-PPV与rGO/CuInS_(2)-QDs杂化受体材料的质量比(w)对器件性能的影响。结果表明,光活性层复合膜中rGO/CuInS_(2)(x=0.25)杂化受体材料含量由10%(w=9)增加到17%(w=5)时,器件的电子收集效率(ηc)由0.61提高到0.78,使得器件的光电转换效率得到提高。 展开更多
关键词 光电子学 光活性层 石墨烯 聚合物太阳能电池 杂化材料 culns2
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CIS太阳电池材料的研究进展 被引量:3
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作者 刘科高 王继扬 刘宏 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1413-1415,1421,共4页
综述了国内外太阳电池及其材料的发展概况。目前应用的光电转换材料主要有硅材料和化合物半导体材料,介绍了用这几类材料制作的太阳电池的特点,重点介绍了其光电转换效率。在薄膜电池材料中重点综述了铜铟硒(CIS)基薄膜太阳电池的研究... 综述了国内外太阳电池及其材料的发展概况。目前应用的光电转换材料主要有硅材料和化合物半导体材料,介绍了用这几类材料制作的太阳电池的特点,重点介绍了其光电转换效率。在薄膜电池材料中重点综述了铜铟硒(CIS)基薄膜太阳电池的研究进展。由于制约太阳电池发展的关键问题是制备成本高和转换效率低,提出了采用化学法制备CIS基薄膜材料及其梯度带隙,该方法将开辟高性能CIS基吸收层薄膜材料及其器件制备的低成本新途径。 展开更多
关键词 太阳电池 光电转换 CulnSe2 梯度带隙
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纤锌矿CuInS_2纳米晶的合成及其机理研究 被引量:2
6
作者 邹正光 高耀 +1 位作者 龙飞 张劲 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期2164-2170,共7页
采用一步溶剂热法合成纤锌矿结构CuInS2(W-CIS)纳米粉体,并对其生长形成机理进行了研究。利用XRD、FE-SEM及EDS对W-CIS纳米晶的结构和形貌以及元素组成进行分析,研究了溶剂热合成过程中的铜源、硫源、反应温度及反应时间对CuInS2纳米... 采用一步溶剂热法合成纤锌矿结构CuInS2(W-CIS)纳米粉体,并对其生长形成机理进行了研究。利用XRD、FE-SEM及EDS对W-CIS纳米晶的结构和形貌以及元素组成进行分析,研究了溶剂热合成过程中的铜源、硫源、反应温度及反应时间对CuInS2纳米粉体物相及形貌的影响。结果表明:以Cu Cl2·2H2O或Cu(CH3COO)2·H2O、In Cl3·4H2O和硫脲为原料,聚乙二醇-400、乙二胺为溶剂于200℃下反应2 h可以成功合成出结晶性良好的CuInS2纳米片,直径约为300 nm,厚度大约为10~20 nm。通过研究发现,乙二胺对形成纤锌矿结构CuInS2起着关键的作用,并且该粉体对亚甲基蓝的降解率可达75.04%。 展开更多
关键词 溶剂热法 纤锌矿 CuInS2纳米晶 亚甲基蓝 降解率
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Se化Cu_2In_2O_5法制备CuInSe_2薄膜的机理及性能研究 被引量:2
7
作者 杨静 马鸿文 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期146-148,共3页
黄铜矿型CuInSe2 (CIS)多晶薄膜具有优良的光伏特性。在对现有制备工艺进行对比分析的基础上 ,首次采用sol-gel法制备了Cu2 In2 O5(CIO)薄膜 ,经Se化获得了结构均匀、表面平整、组成接近于化学计量比的CIS薄膜 ,其电阻率介于 10 5~ 10 ... 黄铜矿型CuInSe2 (CIS)多晶薄膜具有优良的光伏特性。在对现有制备工艺进行对比分析的基础上 ,首次采用sol-gel法制备了Cu2 In2 O5(CIO)薄膜 ,经Se化获得了结构均匀、表面平整、组成接近于化学计量比的CIS薄膜 ,其电阻率介于 10 5~ 10 6Ω·cm之间 ,与国外采用其它高成本工艺制备的薄膜性能相当。基于上述实验 ,对Se化CIO法制备CIS半导体薄膜的机理及材料的光伏性能进行了分析。 展开更多
关键词 CulnSe2 Sol-Gel工艺 硒化 性能 多晶薄膜
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CuInS_2纳米晶的制备及三阶非线性光学性质的研究 被引量:2
8
作者 杨帆 向卫东 +5 位作者 张希艳 杨昕宇 冯丽 王芸 梁晓娟 金怀东 《长春理工大学学报(自然科学版)》 2011年第3期96-100,共5页
以无水醋酸铜(Cu(AC)2)为铜源,氯化铟(InCl3)为铟源,正十二硫醇(DDT)为硫源,1-十八稀(ODE)为溶剂在240℃条件下反应3h,合成了金字塔形的CuInS2纳米晶。用X射线粉末衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS),透射电子显微镜(TEM),能量分散光谱(EDS... 以无水醋酸铜(Cu(AC)2)为铜源,氯化铟(InCl3)为铟源,正十二硫醇(DDT)为硫源,1-十八稀(ODE)为溶剂在240℃条件下反应3h,合成了金字塔形的CuInS2纳米晶。用X射线粉末衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS),透射电子显微镜(TEM),能量分散光谱(EDS),Z-Scan技术对粉体的结构、形貌、相组成、三阶非线性光学特性进行表征。结果表明:通过一锅法可以合成单分散颗粒尺寸为5-7nm的金字塔形CuInS2纳米晶;分散在正己烷中的CuInS2纳米晶的三阶光学非线性折射率γ,三阶光学非线性吸收系数β以及三阶光学非线性极化率χ(3)分别为3.444×10-17m2/W,4.526×10-7m/W和1.390×10-8esu。 展开更多
关键词 一锅法 CuInS2纳米晶 太阳电池材料 三阶光学非线性
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硫化温度对CuInS_2薄膜微结构和光学性能的影响 被引量:1
9
作者 夏冬林 刘俊 +1 位作者 张兴良 赵修建 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期7-9,19,共4页
采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积Cu-In合金预置膜,采用固态硫源在N2气氛下硫化热处理的方法制备了CuInS2薄膜。研究了硫化温度对CuInS2薄膜的晶相结构、表面形貌和光学带隙等性能的影响。采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、... 采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积Cu-In合金预置膜,采用固态硫源在N2气氛下硫化热处理的方法制备了CuInS2薄膜。研究了硫化温度对CuInS2薄膜的晶相结构、表面形貌和光学带隙等性能的影响。采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、紫外-可见光谱(UV-Vis)等测试手段对薄膜的晶相结构、表面形貌、光学性能进行了表征。结果表明,Cu-In合金预置膜经550℃硫化热处理20min可制备出黄铜矿结构的CuInS2薄膜,并具有(112)面的择优取向,所制备的CuInS2薄膜晶粒粒径约为1μm,光学带隙为1.51eV。 展开更多
关键词 磁控溅射 CuInS2薄膜 硫化 微观结构 光学带隙
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机械力诱导自蔓延法制备CuInSe_2光伏材料 被引量:1
10
作者 武素梅 薛钰芝 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1408-1412,共5页
将Cu、In、Se单质粉末研磨制备了黄铜矿型的CuInSe_2(CIS)多晶粉末。研磨过程中冒出红色烟雾,发生了机械力诱导自蔓延反应(MSR)。通过实时温度监测,发现研磨初期温度变化不明显;发生反应时,温度迅速升高。讨论了MSR法制备CIS光伏材料的... 将Cu、In、Se单质粉末研磨制备了黄铜矿型的CuInSe_2(CIS)多晶粉末。研磨过程中冒出红色烟雾,发生了机械力诱导自蔓延反应(MSR)。通过实时温度监测,发现研磨初期温度变化不明显;发生反应时,温度迅速升高。讨论了MSR法制备CIS光伏材料的反应机理,并用SEM、EDS、XRD和TEM对制备的粉末进行了表征,观察和分析了样品的表面形貌、成分和组织结构。结果表明,粉末样品的颗粒尺寸小于15μm,产物为富铜的黄铜矿型CuInSe_2化合物,且为多晶态。 展开更多
关键词 机械力诱导自蔓延反应 CulnSe2 光伏材料
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耦联剂辅助吸附法制备CuInS_2量子点敏化太阳电池(英文)
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作者 王楠 梁柱荣 +4 位作者 王欣 徐雪青 方军 王军霞 郭华芳 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第7期1331-1337,共7页
分别以Cu I和In Ac3作为铜源和铟源,十二硫醇(DDT)作为硫源,采用直接加热法合成不同尺寸的Cu In S2(CIS)量子点.运用X射线衍射(XRD),拉曼光谱(Raman),高分辨率透射电镜(HRTEM),紫外-可见(UVVis)吸收光谱表征其相结构、形貌及光学性能.... 分别以Cu I和In Ac3作为铜源和铟源,十二硫醇(DDT)作为硫源,采用直接加热法合成不同尺寸的Cu In S2(CIS)量子点.运用X射线衍射(XRD),拉曼光谱(Raman),高分辨率透射电镜(HRTEM),紫外-可见(UVVis)吸收光谱表征其相结构、形貌及光学性能.结果表明:制备的CIS量子点为黄铜矿结构,且随着时间的延长,量子点逐渐长大,吸收光谱的激子吸收峰逐渐红移,表现出量子尺寸效应.采用巯基乙酸为双功能耦联剂辅助吸附法制备CIS敏化的Ti O2薄膜.通过衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)分析得出,巯基乙酸上的羧基与Ti O2表面羟基连接,另一端上的巯基代替长链的DDT与CIS耦联,将CIS成功锚定在Ti O2表面.该方法不仅操作简单,而且容易实现CIS在Ti O2表面的吸附.太阳电池光电性能测试表明,粒径大小约为3.6 nm的CIS量子点表现出最优的吸附能力以及光电转换性能.进一步采用连续离子吸附层法对CIS敏化的Ti O2薄膜进行Cd S包覆,光电转换性能大大提高,其效率达到2.83%,这主要源于Cd S的包覆钝化了CIS的表面缺陷,有效地降低了电子复合. 展开更多
关键词 铜铟硫 量子点 敏化太阳电池 多功能耦联剂 巯基乙酸 辅助吸附
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超声喷雾热解法一步合成CuInS_2薄膜及其性能研究
12
作者 许积文 张啸 +3 位作者 王华 杨玲 任明放 袁昌来 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期1182-1185,共4页
采用超声喷雾热解法在玻璃基底上一步合成富Cu的CuInS2薄膜。研究基底生长温度对CuInS2薄膜相结构、表面形貌、导电性、透光率及禁带宽度的影响。XRD分析表明薄膜的主相为CuInS2,同时存在Cu2S和Au-Cu第二相,薄膜具有沿(112)择优取向生... 采用超声喷雾热解法在玻璃基底上一步合成富Cu的CuInS2薄膜。研究基底生长温度对CuInS2薄膜相结构、表面形貌、导电性、透光率及禁带宽度的影响。XRD分析表明薄膜的主相为CuInS2,同时存在Cu2S和Au-Cu第二相,薄膜具有沿(112)择优取向生长特性。拉曼分析证明黄铜矿存在CuInS2相、Cu-Au相及Cu2S相。SEM表明薄膜的表面平整、均匀,有较高的致密性。随着生长温度的不断升高,Cu2S衍射强度增强,相含量增加;薄膜结晶性逐渐改善,导电性提高。可见光光谱分析表明薄膜对可见光具有较强的吸收性,禁带宽度为1.43eV。 展开更多
关键词 超声喷雾热解法 CuInS2薄膜 基底温度 禁带宽度
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硫化对Cu-In预制膜微结构的影响
13
作者 阎有花 刘迎春 +5 位作者 方玲 赵海花 朱景森 李德仁 卢志超 周少雄 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期60-64,共5页
采用电沉积-硫化法制备了CuInS2薄膜,考察了硫源温度对CuInS2薄膜微结构的影响,并分析了硫化过程中的反应动力学。采用扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)观察并分析了薄膜的表面形貌和组分,采用X射线衍射仪(XRD)表征了薄膜的组织... 采用电沉积-硫化法制备了CuInS2薄膜,考察了硫源温度对CuInS2薄膜微结构的影响,并分析了硫化过程中的反应动力学。采用扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)观察并分析了薄膜的表面形貌和组分,采用X射线衍射仪(XRD)表征了薄膜的组织结构。结果表明,硫化过程的生长动力学不同于硒化过程,CuInS2薄膜的生长遵循扩散机制,当硫源温度在300~340℃之间,均可制得单一黄铜矿相结构且沿(112)面择优取向生长的CuInS2薄膜,且硫源温度为340℃制备的CuInS2薄膜均匀、致密,晶粒尺寸约为1μm,适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层。 展开更多
关键词 Cu-In预制膜 CuInS2薄膜 硫源温度
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黄铜矿结构CuInS_2陶瓷和薄膜的制备及性能研究
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作者 尚勋忠 方金钢 +3 位作者 王志强 黎明锴 周桃生 何云斌 《湖北大学学报(自然科学版)》 CAS 2013年第1期89-92,共4页
采用固相烧结法,在真空管式炉中于960℃下保温2h,制备得到具有纯黄铜矿结构均匀致密的CuInS2陶瓷,所制备的陶瓷呈现p型导电且导电性能良好.此外,以自制的CuInS2陶瓷为靶材,采用脉冲激光沉积法在c轴取向的蓝宝石单晶衬底上制备得到高质... 采用固相烧结法,在真空管式炉中于960℃下保温2h,制备得到具有纯黄铜矿结构均匀致密的CuInS2陶瓷,所制备的陶瓷呈现p型导电且导电性能良好.此外,以自制的CuInS2陶瓷为靶材,采用脉冲激光沉积法在c轴取向的蓝宝石单晶衬底上制备得到高质量的外延CuInS2薄膜.XRD分析表明薄膜具有良好的沿(112)方向外延取向性,透射光谱测试分析得到薄膜光学带隙为1.4eV. 展开更多
关键词 CuInS2 陶瓷 薄膜 脉冲激光沉积
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CuInS_2微米颗粒的液相回流法制备、表征与工艺优化 被引量:2
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作者 李绍文 周继承 游亮 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期1380-1387,共8页
以三乙烯四胺和乙二醇(1:1,体积比)为混合溶剂,在常压下于200℃反应2 h,由液相回流法合成了CuInS2微米颗粒。用XRD、SEM、EDS和UV-Vis spectra技术分别表征产物的物相、形貌、组分以及光学特性。结果表明:所合成的产物为纯相黄铜矿结构C... 以三乙烯四胺和乙二醇(1:1,体积比)为混合溶剂,在常压下于200℃反应2 h,由液相回流法合成了CuInS2微米颗粒。用XRD、SEM、EDS和UV-Vis spectra技术分别表征产物的物相、形貌、组分以及光学特性。结果表明:所合成的产物为纯相黄铜矿结构CuInS2微米颗粒,结晶度良好,满足化学计量比,光学禁带宽度为1.43 eV。反应温度对产物的物相影响较大,而对形貌的影响较小;反应温度为200℃时,CuInS2的性能最佳。反应时间对产物的物相和形貌的影响不大,反应时间达2 h,反应基本完成。 展开更多
关键词 CuInS2 太阳能电池材料 液相回流法 光学特性
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还原石墨烯-CuInS_2复合材料的制备及光伏性能 被引量:2
16
作者 李涛 夏友付 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期461-465,共5页
利用溶剂热法制备了新型的还原石墨烯-CuInS2(rGO-CuInS2)复合材料.通过 X射线衍射(XRD)、Raman光谱、紫外-可见吸收光谱( UV-Vis)、荧光光谱( PL)、透射电子显微镜( TEM)及高分辨透射电子显微镜( HRTEM)等对所得材料的结... 利用溶剂热法制备了新型的还原石墨烯-CuInS2(rGO-CuInS2)复合材料.通过 X射线衍射(XRD)、Raman光谱、紫外-可见吸收光谱( UV-Vis)、荧光光谱( PL)、透射电子显微镜( TEM)及高分辨透射电子显微镜( HRTEM)等对所得材料的结构进行了表征.结果表明, rGO-CuInS2复合材料中CuInS2的尺寸为3-5 nm.将不同组成的rGO-CuInS2复合材料应用于杂化太阳能电池,结果发现,与还原石墨烯( rGO)的能量转换效率相比, rGO-CuInS2复合材料的能量转换效率得到明显提高,通过对不同组成的rGO-CuInS2复合材料制备的太阳能电池器件进行分析,得到性能达到最高效率(1.10%)时复合物的最佳组成. 展开更多
关键词 石墨烯 CuInS2 光伏性能 溶剂热合成
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溶剂热法制备CuInS_2纳米粉体与薄膜的微观结构与光学性能 被引量:1
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作者 夏慧 段学臣 +3 位作者 李历历 刘扬林 段文杰 杨薇薇 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 北大核心 2015年第4期568-575,共8页
以硫化钠、氯化铜、氯化铟为原料,分别以乙醇、乙二醇、乙醇胺、乙二胺为溶剂,采用溶剂热法制备CuInS2纳米粉体,用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、紫外可见–分光光度计(UV-Vis)分析该粉体的微观结... 以硫化钠、氯化铜、氯化铟为原料,分别以乙醇、乙二醇、乙醇胺、乙二胺为溶剂,采用溶剂热法制备CuInS2纳米粉体,用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、紫外可见–分光光度计(UV-Vis)分析该粉体的微观结构和光学性能,研究不同溶剂与反应温度对粉末结构与性能的影响。结果表明:在180℃下以乙醇胺或乙二胺为溶剂时,不仅有黄铜矿相CuInS2,还形成纤锌矿相CuInS2;以乙二醇或乙醇为溶剂时,所得粉末为黄铜矿相CuInS2。采用乙二胺为溶剂,当反应温度达到180℃时,粉体中出现部分纤锌矿相CuInS2,粉末呈颗粒状,颗粒尺寸为20~40 nm。采用溶剂热法与化学水浴沉积法相结合的工艺一步合成CuInS2薄膜,薄膜沿(112)晶面择优生长。CuInS2粉体和薄膜的光学带隙范围为1.35~1.56 e V。 展开更多
关键词 溶剂热 CuInS2 纳米 太阳能电池 光吸收 形貌
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CuInS_2薄膜的制备及光学特性 被引量:1
18
作者 谢俊叶 李健 王延来 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第B02期129-132,共4页
真空共蒸发在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜。研究不同Cu、In、S元素配比、不同热处理条件对薄膜的结构、化学计量比及光学性能的影响.实验结果给出:在元素配比中S的原子比x选择极为重要(实验选0.2≤x≤2),本实验Cu、In、S最佳原子比为1∶0.... 真空共蒸发在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜。研究不同Cu、In、S元素配比、不同热处理条件对薄膜的结构、化学计量比及光学性能的影响.实验结果给出:在元素配比中S的原子比x选择极为重要(实验选0.2≤x≤2),本实验Cu、In、S最佳原子比为1∶0.1∶1.2。用x(Cu)∶x(In)∶x(S)=1∶0.1∶1.2原子比混合沉积的薄膜,经400℃热处理20min后,得到黄铜矿结构的CuInS2薄膜,沿[112]晶向择优生长,平均晶粒尺寸为38.06nm;薄膜表面致密平整,厚度为454.8nm,表面粗糙度为13nm;薄膜中元素的化学计量比为1∶0.9∶1.5,光学吸收系数达105cm-1,直接光学带隙1.42eV。 展开更多
关键词 真空共蒸发 CuInS2薄膜 热处理 光学特性
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三元共蒸发法制备CuInSe_2膜 被引量:1
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作者 高卫东 李长健 《功能材料》 EI CAS CSCD 1992年第2期88-91,116,共5页
采用三元共蒸发法制备CuInSe_2薄膜,需要较精确的蒸发速率控制。对于电阻蒸发来讲,保持蒸发器电阻为恒定值,再通以恒定电流就可获得恒定功率,从而获得稳定的蒸发速率。本文根据这一原则,通过改进钼舟,在普通的蒸发设备上较容易地实现了... 采用三元共蒸发法制备CuInSe_2薄膜,需要较精确的蒸发速率控制。对于电阻蒸发来讲,保持蒸发器电阻为恒定值,再通以恒定电流就可获得恒定功率,从而获得稳定的蒸发速率。本文根据这一原则,通过改进钼舟,在普通的蒸发设备上较容易地实现了蒸发速率的控制。另外,为了更好地恒定蒸发速率,需要对源温进行监测,本文对源温的测量提出了新的见解。通过对CuInSe_2膜的测量发现,在较高衬底温度下沉积的CuInSe_2膜有较强的(112)结晶取向,同时发现不同的衬底材料对生成的CuInSe_2膜有极大影响。 展开更多
关键词 共蒸发法 制备 CulnSe2膜
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Synthesis of High Quality CulnSe2 Films with Oxygen Precursor by Non-vacuum Process
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作者 蒋帅 江国顺 +1 位作者 刘伟峰 朱长飞 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2010年第5期587-590,622,共5页
The CulnSe2 absorber was synthesized by non-vacuum process with a simple and low-cost method, which fabricated absorber layer of thin-film solar cell. The extra amount of Se was added into the ink to help reduction of... The CulnSe2 absorber was synthesized by non-vacuum process with a simple and low-cost method, which fabricated absorber layer of thin-film solar cell. The extra amount of Se was added into the ink to help reduction of the oxide and solid Se fountain was used to provide Se atmosphere during the selenization progress. The influence of same factors was investigated, such as the time of reduction in H2, the time of selenization and the Se vapor pressure. The selenizaion, processed at 550 ℃ for 60 min with the Se vapor pressure at 1.90 kPa, resulted in high quality CulnSe2 layer with very good chemical composition. 展开更多
关键词 Thin film CulnSe2 Non-vacuum NANOPARTICLE
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