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电流增益截止频率为441 GHz的InGaAs/InAlAs InP HEMT
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作者 封瑞泽 曹书睿 +4 位作者 冯识谕 周福贵 刘同 苏永波 金智 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期329-333,共5页
本文设计并制作了fT>400 GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT)。采用窄栅槽技术优化了寄生电阻。器件栅长为54.4 nm,栅宽为2×50μm。最大漏极电流IDS.max为957 mA/mm,最大跨导gm.... 本文设计并制作了fT>400 GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT)。采用窄栅槽技术优化了寄生电阻。器件栅长为54.4 nm,栅宽为2×50μm。最大漏极电流IDS.max为957 mA/mm,最大跨导gm.max为1265 mS/mm。即使在相对较小的VDS=0.7 V下,电流增益截止频率fT达到了441 GHz,最大振荡频率fmax达到了299 GHz。该器件可应用于太赫兹单片集成放大器和其他电路中。 展开更多
关键词 铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMTs) INGAAS/INALAS 电流增益截止频率(f_(T)) 最大振荡频率(f_(max)) 栅槽
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Physical modeling of direct current and radio frequency characteristics for In P-based InAlAs/InGaAs HEMTs 被引量:1
2
作者 孙树祥 吉慧芳 +4 位作者 姚会娟 李胜 金智 丁芃 钟英辉 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第10期509-512,共4页
Direct current(DC) and radio frequency(RF) performances of InP-based high electron mobility transistors(HEMTs)are investigated by Sentaurus TCAD. The physical models including hydrodynamic transport model, Shock... Direct current(DC) and radio frequency(RF) performances of InP-based high electron mobility transistors(HEMTs)are investigated by Sentaurus TCAD. The physical models including hydrodynamic transport model, Shockley–Read–Hall recombination, Auger recombination, radiative recombination, density gradient model and high field-dependent mobility are used to characterize the devices. The simulated results and measured results about DC and RF performances are compared, showing that they are well matched. However, the slight differences in channel current and pinch-off voltage may be accounted for by the surface defects resulting from oxidized InAlAs material in the gate-recess region. Moreover,the simulated frequency characteristics can be extrapolated beyond the test equipment limitation of 40 GHz, which gives a more accurate maximum oscillation frequency( f;) of 385 GHz. 展开更多
关键词 InP-based HEMT hydrodynamic model the current gain cutoff frequency(f_T) the maximum oscillation frequency(f_(max))
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直接电流注入在电磁兼容中的频率应用范围 被引量:16
3
作者 徐加征 蒋全兴 王巍 《电波科学学报》 EI CSCD 北大核心 2006年第4期488-491,共4页
利用点匹配法计算了直接电流注入模拟装置中高阶模的频率,给出了不同截面尺寸的模拟装置与其有效使用频率范围的关系,装置的特性阻抗与其最高使用频率范围呈反比的关系。根据理论计算和对作者研制的模拟装置内场强与频率关系的测量,对... 利用点匹配法计算了直接电流注入模拟装置中高阶模的频率,给出了不同截面尺寸的模拟装置与其有效使用频率范围的关系,装置的特性阻抗与其最高使用频率范围呈反比的关系。根据理论计算和对作者研制的模拟装置内场强与频率关系的测量,对直接电流注入技术在电磁兼容测试中的频率应用范围进行了评估,其有效使用频率范围在400MHz以下。 展开更多
关键词 点匹配法 直接电流注入 截止频率 电磁兼容测试
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基于磁感应原理的自积分式冲击电流测量系统校准 被引量:4
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作者 赵军 陈维江 +3 位作者 张建功 高飞 倪园 闵绚 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期3007-3013,共7页
研制的基于磁感应原理的自积分式冲击电流测量系统可以用于在变电站或高压试验室内测量雷电或操作冲击电流,针对冲击电流幅值高、频谱宽的特点,需要对测量系统频率响应特性和刻度因数进行严格的校准。为此分析了测量系统的测量原理,提... 研制的基于磁感应原理的自积分式冲击电流测量系统可以用于在变电站或高压试验室内测量雷电或操作冲击电流,针对冲击电流幅值高、频谱宽的特点,需要对测量系统频率响应特性和刻度因数进行严格的校准。为此分析了测量系统的测量原理,提出了基于阶跃响应的校准方法,自行设计搭建了校准试验平台,分析了A类和B类测量不确定度,完成了测量系统的校准。校准结果为:测量系统低频截止频率最佳估计值为0.952 Hz,扩展不确定度为0.025 Hz,有效自由度为9;高频截止频率最佳估计值为14.09 MHz,扩展不确定度为0.17 MHz,有效自由度为10;刻度因数最佳估计值为10.1 m V/A,扩展不确定度为0.18 m V/A,有效自由度为36。可见,该测量系统可以满足冲击电流测量要求。 展开更多
关键词 冲击电流 校准 截止频率 刻度因数 测量不确定度
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不同特征频率高频硅双极晶体管静电放电机器模型敏感特性 被引量:3
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作者 张希军 董康宁 杨洁 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1631-1636,共6页
为了发掘不同特征频率的高频硅双极晶体管在静电放电(ESD)机器模型(MM)作用下敏感特性的相关规律,选取了12种典型的高频硅双极晶体管进行静电放电效应试验。试验结果表明:由于发射极E基极B之间的PN结(EB结)基区宽度比集电极C和基极B之间... 为了发掘不同特征频率的高频硅双极晶体管在静电放电(ESD)机器模型(MM)作用下敏感特性的相关规律,选取了12种典型的高频硅双极晶体管进行静电放电效应试验。试验结果表明:由于发射极E基极B之间的PN结(EB结)基区宽度比集电极C和基极B之间的PN结(CB结)窄,因而反偏注入MM ESD时,高频硅硅双极晶体管(BJT)的ESD最敏感端对是EB反偏结;当特征频率fT=600 MHz时,失效电压最大,并且随着fT的升高或降低,器件的失效电压逐渐减小;随着注入电压的升高,当fT≤600 MHz时,共发射极电流增益hFE突变至失效,当fT>600MHz时,hFE渐变至失效。该研究结果对于分析高频硅BJT在ESD作用下的敏感特性具有指导意义。 展开更多
关键词 硅双极晶体管 静电放电 机器模型 特征频率 基区宽度 电流增益
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电流密度法在高聚物防渗墙完整性检测中的应用 被引量:2
6
作者 赵祥 张宏兵 +2 位作者 冷元宝 王萍 杨磊 《人民黄河》 CAS 北大核心 2022年第7期125-127,共3页
针对高聚物防渗墙具有绝缘性和渗透系数小的特点,采用电流密度法对高聚物防渗墙完整性进行无损检测。在防渗墙发生渗漏的部位,电流密度会显著增大,电流密度曲线出现突变;当防渗墙完整性较好时,电流密度曲线平缓。室内模拟试验和现场试... 针对高聚物防渗墙具有绝缘性和渗透系数小的特点,采用电流密度法对高聚物防渗墙完整性进行无损检测。在防渗墙发生渗漏的部位,电流密度会显著增大,电流密度曲线出现突变;当防渗墙完整性较好时,电流密度曲线平缓。室内模拟试验和现场试验表明,电流密度法在检测高聚物防渗墙的完整性方面具有快速、便捷、高效的优点。 展开更多
关键词 电流密度法 高聚物 防渗墙 完整性
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光电效应实验中用“顺序增量调整法”求普朗克常量 被引量:2
7
作者 郭秀芝 陈若辉 +1 位作者 陈传国 刘海旭 《吉林化工学院学报》 CAS 2011年第5期71-73,共3页
分析光电效应实验中产生误差的主要原因,总结出确定遏止电压的新方法——"顺序增量调法".用此方法求普朗克常量,简捷方便、减少了测量误差.
关键词 光电效应 普朗克常量 遏止电压 反向光电流 顺序增量调整法
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矩形波导时域仿真中的激励源设置和参数提取
8
作者 张量 沙威 吴先良 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期233-236,共4页
文章采用时域有限差分方法对矩形波导的多模截止频率和不连续性问题进行了分析,提出一种新的电磁流激励和电磁能量提取方法,求解矩形波导的截止频率,与单一的电流源激励方案相比,该方案能更有效地激励多种模式;为了在一次计算中抽取宽... 文章采用时域有限差分方法对矩形波导的多模截止频率和不连续性问题进行了分析,提出一种新的电磁流激励和电磁能量提取方法,求解矩形波导的截止频率,与单一的电流源激励方案相比,该方案能更有效地激励多种模式;为了在一次计算中抽取宽频带的散射参量,引入特征阻抗的概念用于分离入射电压波和反射电压波;通过对部分填充介质的三维WR-3矩形波导的数值实验,证明了该散射参量计算方法的可靠性。 展开更多
关键词 时域有限差分方法 电磁流源 截止频率 波导不连续性 散射参数
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低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型
9
作者 黄流兴 魏同立 郑茳 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期103-105,共3页
本文综合考虑了多晶硅发射极的载流子输运障碍,界面氧化物遂穿、晶粒间界杂质分凝和界面能带弯曲等因素,以及禁带变窄效应、低温下的载流子冻析效应和浅能级补偿杂质陷阱效应,建立了低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析... 本文综合考虑了多晶硅发射极的载流子输运障碍,界面氧化物遂穿、晶粒间界杂质分凝和界面能带弯曲等因素,以及禁带变窄效应、低温下的载流子冻析效应和浅能级补偿杂质陷阱效应,建立了低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型,对电流增益和截止频率的温度关系进行了理论分析并与300K和77K下的实测结果进行了比较。 展开更多
关键词 双极晶体管 多晶硅发射极 电流增益 截止频率 低温
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电流增益截止频率为236 GHz的InAlN/GaN高频HEMT
10
作者 宋旭波 吕元杰 +4 位作者 刘晨 魏碧华 房玉龙 韩婷婷 冯志红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期275-278,299,共5页
研制了高电流增益截止频率(f_T)的In Al N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长n^+GaN非合金欧姆接触工艺将器件源漏间距缩小至600 nm,降低了源、漏寄生电阻,有利于改善器件的寄生效应;使用低压化学... 研制了高电流增益截止频率(f_T)的In Al N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长n^+GaN非合金欧姆接触工艺将器件源漏间距缩小至600 nm,降低了源、漏寄生电阻,有利于改善器件的寄生效应;使用低压化学气相沉积(LPCVD)生长SiN作为栅下介质,降低了InAlN/GaN HEMT栅漏电;利用电子束光刻实现了栅长为50 nm的T型栅。此外,还讨论了寄生效应对器件f_T的影响。测试结果表明,器件的栅漏电为3.8μA/mm,饱和电流密度为2.5 A/mm,f_T达到236 GHz。延时分析表明,器件的寄生延时为0.13 ps,在总延时中所占的比例为19%,优于合金欧姆接触工艺的结果。 展开更多
关键词 InAlN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 再生长n+GaN欧姆接触 电流增益截止频率 低压化学气相沉积(LPCVD)
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低压接地故障保护与等电位联结
11
作者 王晓丽 韩成浩 靖辉 《吉林建筑工程学院学报》 CAS 1997年第4期31-36,共6页
本文分析了目前低压供配电系统存在的问题,依据我国现行国家标准,分析论述了等电位联结的作用.
关键词 接地故障保护 自动切断故障电流 总等电位联结 辅助等电位联结 低压供电系统
全文增补中
一种用于电子镇流器的谐振型变换器
12
作者 李行 宋庆国 朱忠尼 《空军预警学院学报》 2017年第6期450-453,共4页
针对传统电子镇流器存在稳态工作期间硬开关的问题,提出一种双半桥并联LC谐振变换器设计.首先分析了该变换器的工作原理和工作模态,然后采用基波分析法对变换器电路参数进行了设计.仿真结果表明,通过控制开关频率可实现开关管的零电流... 针对传统电子镇流器存在稳态工作期间硬开关的问题,提出一种双半桥并联LC谐振变换器设计.首先分析了该变换器的工作原理和工作模态,然后采用基波分析法对变换器电路参数进行了设计.仿真结果表明,通过控制开关频率可实现开关管的零电流导通和零电流电压关断,降低了开关损耗和开关噪声,同时消除了二极管的反向恢复损耗.最后进行了实验,实验结果验证了所提设计方法的正确性和可行性. 展开更多
关键词 LC谐振变换器 零电流导通 零电流电压关断 电子镇流器
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按温度比例因子的低温双极晶体管优化设计
13
作者 高梅芳 《江苏石油化工学院学报》 2000年第1期53-57,共5页
提出了一种按温度比例因子设计低温双极晶体管的设计规则。在考虑双极晶体管低温效应的前提下,着重分析了双极晶体管发射区和基区的浓度及宽度在低温下的变化情况。结合按温度比例子变化后任何特定温度下的双极晶体管电流增益和截止频... 提出了一种按温度比例因子设计低温双极晶体管的设计规则。在考虑双极晶体管低温效应的前提下,着重分析了双极晶体管发射区和基区的浓度及宽度在低温下的变化情况。结合按温度比例子变化后任何特定温度下的双极晶体管电流增益和截止频率的优化结果,给出了这些参数在按温度比例因子规则设计时温度比例因子的变化参数。 展开更多
关键词 温度比例因子 电流增益 截止频率 晶体管设计
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SOI基横向SiGe HBT高频功率性能改善技术 被引量:1
14
作者 金冬月 吴玲 +5 位作者 张万荣 那伟聪 杨绍萌 贾晓雪 刘圆圆 杨滢齐 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第12期1280-1288,共9页
为了在高频下兼顾电流增益β和击穿电压V_(CBO)、V_(CEO)的同步改善,从而有效提升器件的高频功率性能,利用SILVACO TCAD建立了npn型绝缘层上硅(silicon-on-insulator,SOI)基横向硅锗(SiGe)异质结双极晶体管(heterojunction bipolar tran... 为了在高频下兼顾电流增益β和击穿电压V_(CBO)、V_(CEO)的同步改善,从而有效提升器件的高频功率性能,利用SILVACO TCAD建立了npn型绝缘层上硅(silicon-on-insulator,SOI)基横向硅锗(SiGe)异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)的器件模型.研究结果表明:通过基区Ge的摩尔分数的梯形分布设计,可在基区引入电子加速场,并减小有效基区宽度,一方面有利于缩短基区渡越时间,提高器件的特征频率f_(T);另一方面也有利于降低电子在基区的复合,提高基区输运系数,从而增大β.然而,在基区Ge的物质的量一定的情况下,随着Ge的摩尔分数的梯形拐点位置向集电结一侧不断靠近,集电结一侧对应的Ge的摩尔分数也将随之增加,此时,器件的集电极电流处理能力将显著下降,因此,需对摩尔分数值进行优化.同时,通过在衬底施加正偏压的衬底偏压结构设计,可在埋氧层上方形成电子积累层,提高发射结注入效率,从而增大β,但会退化击穿特性.进一步通过优化衬底偏压结构,设计出了兼具复合衬底偏压结构和基区Ge的摩尔分数的梯形分布设计的SOI基横向SiGe HBT.结果表明,与常规器件相比,新器件在保持峰值特征频率f_(Tm)=306.88 GHz的情况下,峰值电流增益βm提高了84.8,V_(CBO)和V_(CEO)分别改善了41.3%和21.2%. 展开更多
关键词 SOI基横向SiGe HBT Ge的摩尔分数的梯形分布 衬底偏压结构 电流增益 特征频率 击穿电压
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ZWF-12智能分界开关研究 被引量:1
15
作者 王奉启 《现代制造技术与装备》 2012年第4期25-26,34,共3页
计算机和微电子技术的发展,传统电磁式电流、电压互感器已不能满足现代智能高压开关的要求,采用电子式电流、电压互感器,小功率永磁分闸装置,数字化远动技术;具备测量、单相接地和过流保护功能,是新一代数字化户外高压开关电器产品的发... 计算机和微电子技术的发展,传统电磁式电流、电压互感器已不能满足现代智能高压开关的要求,采用电子式电流、电压互感器,小功率永磁分闸装置,数字化远动技术;具备测量、单相接地和过流保护功能,是新一代数字化户外高压开关电器产品的发展方向。 展开更多
关键词 分界开关 电子式电流互感器 电子式电压互感器 智能远动控制
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电视机安全检验中的抗电强度试验
16
作者 杜宇芳 张英莉 《信息技术》 2002年第4期21-21,24,共2页
简要介绍了抗电强度试验在电视机的安全检验中的实际作用并介绍了判定电流、升压方式的选择。
关键词 电视机 安全检验 抗电强度试验
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一种基于忆阻器的截流型过电流保护电路
17
作者 谭斌冠 《机械制造与自动化》 2018年第4期183-184,204,共3页
用忆阻器替代传统截流型保护电路的接地端分压电阻,从而更快速地提高保护电路三极管的基极电压,其中忆阻器作为一个二端元件,一端接到三极管基极上,另一端接地。所设计的过流保护电路,能获得更高的阀值,降低电路的灵敏度,防止了电路的... 用忆阻器替代传统截流型保护电路的接地端分压电阻,从而更快速地提高保护电路三极管的基极电压,其中忆阻器作为一个二端元件,一端接到三极管基极上,另一端接地。所设计的过流保护电路,能获得更高的阀值,降低电路的灵敏度,防止了电路的误触发,且响应时间更快。 展开更多
关键词 过电流保护 忆阻器 截流型
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铜冶炼电热沉降炉电气系统的改进
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作者 李光田 《有色冶金节能》 2017年第2期34-36,共3页
铜冶炼电热沉降炉电气系统存在谐波超标;现场高压开关柜内真空灭弧室炸裂和避雷器烧损严重;变压器功率波动大;系统功率因数低等问题。通过增加并联电容器吸收谐波电流、改变6 kV回路的配置接线降低截流过电压和控制工艺参数等方法,解决... 铜冶炼电热沉降炉电气系统存在谐波超标;现场高压开关柜内真空灭弧室炸裂和避雷器烧损严重;变压器功率波动大;系统功率因数低等问题。通过增加并联电容器吸收谐波电流、改变6 kV回路的配置接线降低截流过电压和控制工艺参数等方法,解决了上述问题,实现了电热沉降炉变压器安全经济平稳运行。 展开更多
关键词 铜冶炼 高压开关柜 电热沉降炉 变压器 谐波电流 截流过电压 工艺参数
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Impact of strained silicon on the device performance of a bipolar charge plasma transistor 被引量:1
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作者 Sangeeta Singh 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2018年第12期120-126,共7页
In this manuscript we analyze a unique approach to improve the performance of the bipolar charge plasma transistor(BCPT) by introducing a strained Si/SiGe1-x layer as the active device region. For charge plasma realiz... In this manuscript we analyze a unique approach to improve the performance of the bipolar charge plasma transistor(BCPT) by introducing a strained Si/SiGe1-x layer as the active device region. For charge plasma realization different metal work-function electrodes are used to induce n+ and p+ regions on undoped strained silicon-on-insulator(sSOI or SiGe) to realize emitter, base, and collector regions of the BCPT. Here,by using a calibrated 2-D TCAD simulation the impact of a Si mole fraction x(in SiGe) on device performance metrics is investigated. The analysis demonstrates the band gap lowering with decreasing Si content or effective strain on the Si layer, and its subsequent advantages. This work reports a significant improvement in current gain, cutoff frequency, and lower collector breakdown voltage(BVCEO) for the proposed structure over the conventional device. The effect of varying temperature on the strained Si layer and its implications on the device performance is also investigated. The analysis demonstrates a fair device-level understanding and exhibits the immense potential of the SiGematerial as the device layer. In addition to this, using extensive 2-D mixed-mode TCAD simulation, a considerable improvement in switching transient times are also observed compared to its conventional counterpart. 展开更多
关键词 bipolar charge plasma transistor(BCPT) strained Si layer mole fraction band gap lowering current gain(β) cutoff frequency(f_T) collector breakdown voltage(BV_(CEO))
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