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谐振隧穿晶体管数字单片集成电路
被引量:
2
1
作者
李效白
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第1期1-9,共9页
阐述了谐振隧穿器件构成的与非门、单/双稳逻辑转换电路、或非门、流水线逻辑门、D触发器、静态存储器、多值逻辑和静态分频器等数字单片集成电路,它们具有高频高速、低功耗、多值逻辑、节点少、节省器件、简化电路等显著优势,将是数字...
阐述了谐振隧穿器件构成的与非门、单/双稳逻辑转换电路、或非门、流水线逻辑门、D触发器、静态存储器、多值逻辑和静态分频器等数字单片集成电路,它们具有高频高速、低功耗、多值逻辑、节点少、节省器件、简化电路等显著优势,将是数字集成电路后续小型化最有希望的代表。指出材料生长和芯片工艺制作等问题是其实现工业化生产的瓶颈。综述了国内外在该领域的研究现状和发展趋势,特别是美国已经有高水平的谐振隧穿晶体管数字单片电路问世,我国正在开展少量的研究工作。
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关键词
谐振隧穿晶体管
D触发器
静态存储器
多值逻辑
单稳双稳转换电路
集成电路
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职称材料
题名
谐振隧穿晶体管数字单片集成电路
被引量:
2
1
作者
李效白
机构
专用集成电路国家重点实验室
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第1期1-9,共9页
文摘
阐述了谐振隧穿器件构成的与非门、单/双稳逻辑转换电路、或非门、流水线逻辑门、D触发器、静态存储器、多值逻辑和静态分频器等数字单片集成电路,它们具有高频高速、低功耗、多值逻辑、节点少、节省器件、简化电路等显著优势,将是数字集成电路后续小型化最有希望的代表。指出材料生长和芯片工艺制作等问题是其实现工业化生产的瓶颈。综述了国内外在该领域的研究现状和发展趋势,特别是美国已经有高水平的谐振隧穿晶体管数字单片电路问世,我国正在开展少量的研究工作。
关键词
谐振隧穿晶体管
D触发器
静态存储器
多值逻辑
单稳双稳转换电路
集成电路
Keywords
resonant tunneling transistor (RTT)
d-flip flop (d-ff)
static random accessmemory (SRAM)
MVL
MOBILE
integrated circuit (IC)
分类号
TN312.2 [电子电信—物理电子学]
TN32 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
谐振隧穿晶体管数字单片集成电路
李效白
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009
2
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