DBDCVD法制备a-Si:H的性能研究

本文用介质阻挡放电化学气相沉积(DBDCVD)在室温下进行了非晶氢硅薄膜制备。通过硅烷氢气流量比、DBD放电电压等工艺条件的调整,在玻璃上沉积了系列样品。研究表明,DBDCVD法可以在室温下快速制备非晶氢硅薄膜,最大沉积速率可达0.34nm/s,由于DBDCVD的高能量和室温沉积的特点,薄膜中硅-氢键以SiH2为主。随硅烷反应气体浓度的变化,薄膜的光学带隙可在1.92eV^2.18eV之间调整。