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Transport Characteristics of Charge Carriers in Normal State Superconductor YBa<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>7-<i>&delta;</i></sub>
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作者 Vilius Palenskis 《World Journal of Condensed Matter Physics》 2015年第3期118-128,共11页
The general expressions based on the Fermi distribution of the free charge carriers are applied for estimation of the transport characteristics in superconductors at the temperature well above the superconducting phas... The general expressions based on the Fermi distribution of the free charge carriers are applied for estimation of the transport characteristics in superconductors at the temperature well above the superconducting phase transition temperature TC. The Hall-effect experimental results in the normal state of the superconductor YBa2Cu3O7-δ are not finally explained. On the ground of the randomly moving charge carriers, the transport characteristics of the randomly moving charge carriers for both single type and two types of the charge carriers are presented. The particular attention has been pointed to the Hall-effect measurement results of the high-TC superconductor YBa2Cu3O7-δ. It is at the first time derived the Hall coefficient expression for two type of highly degenerate charge carriers (electrons and holes) on the ground of the randomly moving charge carriers at the Fermi surface. It is shown that the Hall coefficient and other transport characteristics are determined by the ratio between the electron-like and hole-like densities of states at the Fermi surface. 展开更多
关键词 Randomly Moving Charge Carrier density Electrical Conductivity Two-Band Model HALL Coefficient HALL MOBILITY Drift MOBILITY density of states
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稀土元素与In共掺对SnO_2导电性能影响的第一性原理研究 被引量:6
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作者 张颖 王景芹 康慧玲 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第11期2147-2153,共7页
AgSnO_2触头材料中的SnO_2近乎绝缘,为了提高触头材料的电性能提出了稀土材料La、Ce、Y和In共掺杂的方法。采用基于密度泛函的第一性原理对SnO_2以及单掺杂稀土元素的SnO_2和共掺稀土元素和In的SnO_2晶胞进行能带和态密度的计算。结果表... AgSnO_2触头材料中的SnO_2近乎绝缘,为了提高触头材料的电性能提出了稀土材料La、Ce、Y和In共掺杂的方法。采用基于密度泛函的第一性原理对SnO_2以及单掺杂稀土元素的SnO_2和共掺稀土元素和In的SnO_2晶胞进行能带和态密度的计算。结果表明:掺杂后的材料仍旧是直接带隙半导体材料,都具有热稳定性,共掺杂可以进一步使得导带底、价带顶向费米能级附近移动,进而窄化带隙;共掺杂比单掺的电子有效质量小,电导率大,其中Y和In共掺杂的导电性最好。共掺杂比单掺稀土元素更能提高AgSnO_2触头材料的导电性,为触头材料的发展提供了理论依据。 展开更多
关键词 触头材料 能带和态密度 第一性原理 稀土与in共掺杂 电导率
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Scanning Tunneling Spectroscopy Studies on Electronic Structures of GaAs(100) and Graphite Surfaces
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作者 李楠 郑幼风 +2 位作者 傅春生 钱生法 解思深 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1994年第12期983-988,共6页
Study on the electronic structure of material surfaces is an important branch ofsolid surface physics. The scanning tunneling spectroscopy(STS) developed recentlybased on STM has shown specific advantages on the surfa... Study on the electronic structure of material surfaces is an important branch ofsolid surface physics. The scanning tunneling spectroscopy(STS) developed recentlybased on STM has shown specific advantages on the surface electronic structure re-search. The most attractive feature is that it can give spatially resolved surface densityof states in valence and conduction band of materials When combined with STM. This isvery important to studies of local electronic states around different atoms or 展开更多
关键词 STS GaAs(100) GRAPHITE density of states in valence and conduction bands.
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NaI晶体电子结构的研究 被引量:1
4
作者 崔玉亭 谢凤萍 《河南大学学报(自然科学版)》 CAS 1999年第1期11-15,共5页
利用EHMO方法结合特殊点方案和自包容子程序,计算了NaI晶体的态密度.确定了价级位置。
关键词 态密度 能隙 价带宽度 碘化钠晶体 电子结构
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扩展休克尔理论对碱卤化物电子结构的研究 被引量:6
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作者 崔玉亭 《河南科学》 1997年第3期269-272,共4页
扩展休克尔方法结合特殊点方案,利用自包容子程序,我们表示了一个简单计算方法,把扩展休克尔理论应用到离子晶体。计算了碱卤化物晶体的电子结构,确定了能隙和价带位置,与实验结果符合较好。定性解释了中性基态Na,K原子的低能... 扩展休克尔方法结合特殊点方案,利用自包容子程序,我们表示了一个简单计算方法,把扩展休克尔理论应用到离子晶体。计算了碱卤化物晶体的电子结构,确定了能隙和价带位置,与实验结果符合较好。定性解释了中性基态Na,K原子的低能ESD实验的结果。 展开更多
关键词 离子晶体 碱卤化物 电子结构 扩展休克尔法
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软X射线发射光谱法研究过渡金属硅化物的价电子能带结构 被引量:1
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作者 王金良 王天民 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期754-759,共6页
用软 X射线发射光谱法对 Mn Si、Mn Si1.7这两种组成的过渡金属锰硅化物的价电子能带构造进行了研究 .首先在硅表面上形成了 Mn Si、Mn Si1.7单一相薄膜 ,并用 X射线衍射谱得到证实 .然后测量了这两种锰硅化物的软 X射线发射光谱 Si- K... 用软 X射线发射光谱法对 Mn Si、Mn Si1.7这两种组成的过渡金属锰硅化物的价电子能带构造进行了研究 .首先在硅表面上形成了 Mn Si、Mn Si1.7单一相薄膜 ,并用 X射线衍射谱得到证实 .然后测量了这两种锰硅化物的软 X射线发射光谱 Si- Kβ发射光谱和 Si- L2 ,3发射光谱 ,Si- Kβ发射光谱反映的是硅化物的价电子能带的 Si- p部分电子态密度 ,而 Si- L2 ,3发射光谱反映的是硅化物的价电子能带的 Si- s,d部分电子态密度 .Mn Si、Mn Si1.7的 Si- L2 ,3发射光谱具有不同的形状 .这些不同形状的原因 ,对比着这两种硅化物的晶体结构和价电子的能带结构进行了分析与讨论 . 展开更多
关键词 X射线发射光谱法 硅化物 价电子能带结构
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EHMO方法对KI晶体电子结构的研究 被引量:1
7
作者 崔玉亭 《河南科学》 1998年第1期40-44,共5页
EHMO方法结合特殊点方案,利用自包容子程序,计算了KI晶体的态密度,确定了价级位置,得出了其能隙和价带宽度。
关键词 态密度 能隙 EHMO法 KI晶体 电子结构
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空穴导电是怎么回事 被引量:1
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作者 张三慧 《物理与工程》 2004年第4期6-9,共4页
根据量子物理的基本概念和经典图像说明空穴概念以及空穴导电和P型霍尔效应的实质
关键词 大学物理教学 半导体物理 空穴导电 电子波 量子态 能级 能带 霍尔效应
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SiO_2中包埋纳米晶Si光电性质的计算
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作者 柴跃生 罗春云 +1 位作者 张敏刚 伍静 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1216-1220,共5页
采用第一性原理平面波赝势方法计算了SiO2基质包埋不同尺寸纳米晶粒Si3和Si5的电子结构及光学性质。结果表明,随着包埋纳米晶粒尺寸的减小,包埋Si3结构的带隙比包埋Si5结构宽,但包埋Si5结构对可见光区的吸收优于包埋Si3结构。Si3结构的... 采用第一性原理平面波赝势方法计算了SiO2基质包埋不同尺寸纳米晶粒Si3和Si5的电子结构及光学性质。结果表明,随着包埋纳米晶粒尺寸的减小,包埋Si3结构的带隙比包埋Si5结构宽,但包埋Si5结构对可见光区的吸收优于包埋Si3结构。Si3结构的第一个吸收峰在约3.9eV处,Si5结构的第一个吸收峰在约4.6eV处。计算表明,Si纳米颗粒中Si原子数与包埋基质的分子数之比为45.46%是一种较好的结构参数,对可见光区吸收效果好。 展开更多
关键词 第一性原理 密度泛函理论 价键畸变 态密度
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高压下高温超导材料YBa_2Cu_3O_7的电子结构
10
作者 王怀玉 章立源 +1 位作者 刘福绥 王恩哥 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期194-203,共10页
本文选用拟合能带的 Harrison参数构造紧束缚哈密顿矩阵,采取Recursion 方法计算了 YBa_2Cu_3O_7晶体在常压下与9 GPa高压下(此时晶格常数压缩 3%)的电子结构。讨论了高压对于电子结构的影响。给出了高压下费米面移动、能带展宽和各晶... 本文选用拟合能带的 Harrison参数构造紧束缚哈密顿矩阵,采取Recursion 方法计算了 YBa_2Cu_3O_7晶体在常压下与9 GPa高压下(此时晶格常数压缩 3%)的电子结构。讨论了高压对于电子结构的影响。给出了高压下费米面移动、能带展宽和各晶位原子价变化的定量结果。 展开更多
关键词 YBA2CU3O7 电子结构 高压
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卤化锂晶体能态密度的研究
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作者 崔玉亭 谢凤萍 《商丘师范学院学报》 CAS 1998年第S2期18-21,共4页
利用扩展休克尔方法.计算了卤化锂晶体的能态密度,确定了价级位置。
关键词 能态密度 能隙 价带宽度
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锐钛矿TiO_2(101)表面电子能带结构的理论研究 被引量:5
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作者 赵俊杰 程俊 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期45-52,共8页
二氧化钛作为一种理想的光催化和光电转换半导体材料,受到了广泛的关注和研究,其表面的电子能带结构作为其本征的化学性质之一,决定着表面上氧化还原反应发生的可能性.对二氧化钛表面电子能带结构进行深入研究对于我们从微观上认识并改... 二氧化钛作为一种理想的光催化和光电转换半导体材料,受到了广泛的关注和研究,其表面的电子能带结构作为其本征的化学性质之一,决定着表面上氧化还原反应发生的可能性.对二氧化钛表面电子能带结构进行深入研究对于我们从微观上认识并改良二氧化钛这一光电催化材料,以及进一步开发利用更好的光催化材料都具有非常好的指导意义.本论文采用密度泛函理论,计算研究了锐钛矿TiO_2(101)表面的电子能带结构,并通过与金红石TiO_2(110)晶面的对比,系统分析了两个表面电子能带结构的不同以及水分子的溶剂化作用对电子能带结构的影响. 展开更多
关键词 锐钛矿 价带顶 导带底 电子能级排列 密度泛函理论
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稀土钠钨青铜化合物Na_xLa_yWO_3结构与导电性的理论研究 被引量:1
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作者 庞晓红 张桂玲 +3 位作者 杨路清 王欣 张辉 戴柏青 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第13期1197-1201,共5页
使用密度泛函理论研究了稀土钠钨青铜化合物的结构和导电性质.在实验晶体结构数据的基础上构建NaxWO3和NaxLayWO3的模型分子,优化其几何结构,并与实验值比较.在此基础上计算了化合物的能带结构和电子能态密度.通过这些研究探讨当La3+取... 使用密度泛函理论研究了稀土钠钨青铜化合物的结构和导电性质.在实验晶体结构数据的基础上构建NaxWO3和NaxLayWO3的模型分子,优化其几何结构,并与实验值比较.在此基础上计算了化合物的能带结构和电子能态密度.通过这些研究探讨当La3+取代NaxWO3的中心Na+后对结构和导电性的影响.计算结果表明La3+的取代并没有改变结构的空间对称性,但却使晶格参数和体积略有增大;取代使电子结构发生了变化,在费米面附近,能带相互交叠更加密集,电子出现的几率增加,从而增加了其导电性.这可能是掺杂后La3+的4f和5d电子的贡献使电子轨道杂化作用增强,电子云密度分布重排的结果. 展开更多
关键词 钨青铜 NaxLayWO3 导电性 结构优化 能带结构 态密度
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扩展休克尔理论对NaCl晶体电子结构的研究
14
作者 崔玉亭 《黄淮学刊(自然科学版)》 1997年第3期28-30,56,共4页
结合特殊点方案,利用自包容子程序,应用扩展休克尔理论到离子晶体.计算了NaCl晶体的电子结构,进行了理论分析,找出了NaCl晶体的能隙和价带宽度,定性解释了中性基态Na原子的低能ESD实验的结果.
关键词 太密度 氧化钠晶体 扩展休克尔理论 电子结构
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高压对高温超导体La_(1.85)Sr_(0.15)CuO_4电子结构的影响
15
作者 郝学军 章立源 王怀玉 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期1-8,共8页
采用Recursion方法计算了常压和1GPa、4GPa、8GPa高压下La_(1.85)Sr_(0.15)CuO_4的电子结构,给出了费米能、费米能处态密度以及各晶位原子价的定量变化。结果表明:高压下T_c的变化可... 采用Recursion方法计算了常压和1GPa、4GPa、8GPa高压下La_(1.85)Sr_(0.15)CuO_4的电子结构,给出了费米能、费米能处态密度以及各晶位原子价的定量变化。结果表明:高压下T_c的变化可能源于CuO_2面上氧空穴和铜空穴数目的改变,且氧空穴数目的增加有利于超导性。 展开更多
关键词 超导体 高温超导性 高压 电子结构
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(ZnS)_n/(Si_2)_n(110)超晶格的电子结构和光学性质 被引量:1
16
作者 李开航 黄美纯 王仁智 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1996年第6期872-875,共4页
用线性Muffin-tin轨道(LMTO)能带计算方法对晶格匹配的超晶格系统(ZnS)n/(Si2)n(110)(n=2~5)进行超原胞自洽计算.在此基础上,用冻结势方法计算了该超晶格系统的价带带阶;用四面体方法计算... 用线性Muffin-tin轨道(LMTO)能带计算方法对晶格匹配的超晶格系统(ZnS)n/(Si2)n(110)(n=2~5)进行超原胞自洽计算.在此基础上,用冻结势方法计算了该超晶格系统的价带带阶;用四面体方法计算了该系统的联合态密度.结果表明,该超晶格系统的价带带阶约1.5eV.还讨论了(ZnS)n/(Si2)n(110)超晶格系统的光学性质. 展开更多
关键词 超晶格 硫化锌 半导体 电子结构 光学性质
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卤化钠晶体能态密度的研究
17
作者 崔玉亭 李雪琴 《江苏师范大学学报(自然科学版)》 1998年第3期29-32,共4页
扩展休克尔方法结合特殊点方案,利用自包容子程序,计算了卤化钠晶体的能态密度.确定了价级位置,得出了能隙和价带宽度,与实验数据及其他理论计算结果比较表明,该方法不但简便,而且所得结果与实验数据符合较好.
关键词 能态密度 能隙 价带宽度
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拓扑绝缘体在热电效应中的应用
18
作者 吴超 王海艳 《宜春学院学报》 2018年第3期1-6,共6页
拓扑绝缘体在热电转换中的应用是当今材料物理和凝聚态物理研究的前沿课题。论文综述了热电效应机理、拓扑绝缘体相,以及拓扑绝缘体和热电效应的关联;结合最新的研究文献,从物理机理的角度,阐明如何提高热电转换因子,目前存在什么困难,... 拓扑绝缘体在热电转换中的应用是当今材料物理和凝聚态物理研究的前沿课题。论文综述了热电效应机理、拓扑绝缘体相,以及拓扑绝缘体和热电效应的关联;结合最新的研究文献,从物理机理的角度,阐明如何提高热电转换因子,目前存在什么困难,以及计算和实验的方法和手段。 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 热电转换因子 带隙 态密度 迁移率 电导 热导 自旋轨道耦合
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聚吡咯并[3,4-c]吡咯的电子结构及导电性研究 被引量:1
19
作者 胡武洪 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第21期2402-2406,共5页
采用密度泛函(DFT)方法在6-31g(d)水平下研究了聚吡咯和聚吡咯并[3,4-c]吡咯,以及它们的单体和低聚物的电子结构.对中心键的键长、电荷密度以及Weberg键级的研究表明,随着主链聚合度的增加,其共轭性增强.对聚合物还进行了能带结构和态... 采用密度泛函(DFT)方法在6-31g(d)水平下研究了聚吡咯和聚吡咯并[3,4-c]吡咯,以及它们的单体和低聚物的电子结构.对中心键的键长、电荷密度以及Weberg键级的研究表明,随着主链聚合度的增加,其共轭性增强.对聚合物还进行了能带结构和态密度分析.结果发现,在3位聚合的并环化合物具有最优的导电性能,其能隙仅有0.25 eV,可以作为潜在的导电聚合物材料. 展开更多
关键词 聚吡咯并【3 4-c]吡咯 电子结构 导电性 能带结构 态密度
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