DMOS器件及工艺的研究与分析

本文介绍了DMOS器件的基本知识,包括DMOS的基本工艺及类型,介绍了实际工艺中的DMOS结构及参数。

DMOS优化软件及其在化工过程优化中的应用

DMOS软件综合运用了模式识别、支持向量机、人工神经网络、遗传算法、线性和非线性回归等多种数据挖掘技术,能有效解决复杂工业过程系统优化中普遍存在的多因子、高噪声、非线性、非高斯分布和非均匀分布的难题。将DMOS工业优化软件成功地应用于柴油加氢精制装置及丙烯腈反应装置的生产优化。根据装置DCS系统采集的生产数据,研究了装置优化操作的主要工艺参数,采用模式识别方法建立了装置生产优化操作的定性模型,并最终建立了优化目标的数学模型。

短沟DMOS阈值电压模型

该文提出了短沟DMOS阈值电压模型。基于沟道区耗尽电荷的二维分布,计算沟道区中耗尽电荷总量,由此给出短沟DMOS阈值电压模型的计算式。该模型的解析解与二维仿真器MEDICI的数值解吻合。分析表明,DMOS沟道长度小于0.80μm,就应考虑短沟效应。

DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型

提出了一种DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型。基于沟道杂质的非均匀分布,借助镜像法,导出辐照正空间电荷与沟道电离杂质的二维场和二维互作用势;求解泊松方程,由此给出DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型表示式。该模型的解析解与MEDICI仿真的数值解吻合。

横向高压DMOS单粒子辐照瞬态响应

基于单粒子辐照的等离子体输运机理,提出了横向高压DMOS单粒子辐照的瞬态响应模型。借助对横向高压DMOS的关态和开态的不同能量粒子辐照瞬态响应的二维数值分析,获得了横向高压DMOS在双结、单结和无结情况下的瞬态响应特性。其计算结果表明,横向高压DMOS的开态漏端峰值电流比关态的漏端峰值电流小,且漏端峰值电流和峰值电流出现的时间随入射粒子能量的增大而增加。

非均匀沟道DMOS器件阈值电压模型

提出了DMOS器件的二维电荷阈值电压模型。基于沟道区杂质的二维分布,求解泊松方 程,得到沟道区中耗尽电荷总量,给出DMOS二维阈值电压模型的解析式。该模型的解析解与实验 结果和数值解相吻合。并对DMOS的短沟效应和阈值电压与沟道表面扩散浓度、沟道结深和沟道 长度等参数的关系进行了深入分析,给出了短沟DMOS器件阈值电压的解析式。文中还给出了沟 道表面掺杂浓度在2.0×1016cm-3到10.0×1016cm-3范围内DMOS器件的阈值电压简明计算式。该 模型解决了习用的DMOS器件阈值电压模型解析值比实验结果大100％以上的问题。

一种计算集成VDMOS管导通电阻的3D解析模型

功率集成电路要在同一块芯片上集成功率器件和低压电路。由于集成VDMOS器件的漏极也要从芯片表面引出,与常规的VDMOS器件相比其导通电阻计算有很大的差别。文中针对三维立体结构中器件的源胞个数和排列以及芯片表面漏极布局的不同,给出了一种新的3D解析模型,可有效地计算集成VDMOS的导通电阻值,并可预测限定面积下达到最小有效导通电阻值所需要的源胞个数和排列布局。

基于DMOS管的电荷灵敏前置放大器设计

提出了一种由DMOS场效应管构成的电荷灵敏前置放大器,可用于硅,Si(Li),CdZnTe及CsI探测器。该前置放大器采用不同于传统的阻容反馈式的电路结构,完全使用MOS管搭建,该前放的设计完成为设计实现ASIC电路准备了技术基础。由Multisi m仿真结果看出该电荷灵敏前置放大器输出信号上升时间小于15ns,并且具有很好的稳定性。

英飞凌展示下一代LDMOS工艺

英飞凌近日展示了下一代LDMOS工艺。该工艺可用于制造适用于无线网络基站和中继器的功率放大器等产品的高功率RF（射频）晶体管。采用这种工艺制造的设备的工作频率，可以满足高速无线接入网络的要求，在功率密度方面，比采用英飞凌现有工艺生产的设备高出25％。此外，随LDMOS一起采用的新型塑料封装技术，可降低系统总体成本。

LMD18245 DMOS全桥电机驱动器的原理及应用

LMD18245是美国国家半导体公司采用新型电流敏感技术生产的新一代DMOS全桥电机驱动器 ,可用于有刷直流电机或单相双极性步进电机的驱动控制。本文介绍了LMD18245的性能、特点和工作原理 ,并给出了利用此芯片与单片机一起构成的一个伺服控制系统的应用电路。

IR8200单片式DMOSH电桥功率控制IC

ＩＲ８２００是ＤＭＯＳＨ电桥单片式功率控制ＩＣ，它将方电极场效应管和控制逻辑电路集成在一起，可控制额定电压为５５Ｖ、连续电流为３Ａ的负载。本文介绍了该芯片的工作特性，并给出了在四相直流马达控制中的应用。

功率DMOS器件加固技术的工艺设计

本文采用带有厚氧的新器件结构,并辅以后栅氧工艺,可以大大提高器件的抗辐射能力,在此基础上,利用半导体仿真软件对DMOS器件进行工艺设计和仿真,得到最终的整个工艺流程。

功率VDMOS(带氮化硅结构)的UIS失效改善

功率VDMOS器件是最为普遍的开关器件。而UIS发生过程是指功率VDMOS器件在整个系统中所能承受的最严峻电应力以及热应力的考验过程,所以抵抗UIS失效能力成为衡量其可靠性的重要指标。针对UIS的测试方法和机理做了简单的介绍,同时针对某款功率VDMOS产品的UIS改善方案进行了详细的描述。

DMOS Vfsd之背金工艺窗口研究

一些DMOS产品的Vfsd上限要求做得很低,这样背金工艺的窗口就非常窄、经常发生Vfsd超上限的事件。如何拓宽背金工艺窗口、满足特殊DMOS产品对Vfsd的苛刻要求,在此研究了背面减薄、背面硅腐蚀和背面注入的主要工艺关键参数对Vfsd的影响。比较减薄机研磨轮目数后发现,研磨轮目数决定背面粗糙度,进而影响背面SI与背面金属的接触电阻和Vfsd;比较硅腐蚀有、无活性剂后发现,加了活性剂的背面硅腐蚀速率温和、均匀性好,可减缓切入式减薄机的Vfsd扇形分布、Vfsd均匀性明显改善。背注能量拉偏后发现,降低背注能量可降低Vfsd的Mean值。综合以上机理分析和实验结果,找到了背面最佳工艺条件,大大拓宽了背金工艺窗口。在最佳背面工艺条件下,这些特殊的DMOS产品Vfsd超上限几率从1.5%下降到0.1%以下、良率平均上升4%,此背金最佳工艺可以成为DMOS生产的标准工艺。

SUPERTEX公司DMOS选型指南

ＳＵＰＥＲＴＥＸ公司ＤＭＯＳ选型指南１、低开启电压Ｎ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ２、低开启电压Ｐ沟增强型ＭＯＳＦＥＴ３、Ｎ沟道耗尽型ＭＯＳＦＥＴ４、Ｎ沟进增强型ＭＯＳＦＥＴ５、Ｐ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ６、低压Ｎ沟道ＭＯＳＦＥＴ阵列７、低压Ｐ沟道ＭＯＳＦＥＴ...

Allegro MicroSystems新型DMOS全桥电机驱动器

Allegro MicmSystems公司推出一款新型DMOS全桥电机驱动器，以完善其并行输入直流电机驱动器系列。该A3950型电机驱动器是为直流电机的脉宽调制（PWM）控制而设计的，峰值输出电流可达±2．8A，工作电压最高可达36V。A3950的目标应用为办公自动化，工业和医疗市场。

第五代LDMOS工艺将提高W-CDMA基站的放大器效率

皇家菲利浦电子公司的第五代横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)工艺技术将使得宽带CDMA(W-CDMA)基站能够突破RF功率放大器输出的30％效率壁垒。这项成果比目前采用的CDMA工艺所得到的基站放大器效率高出4％。W-CDMA基站使用上述工艺技术．RF功率放大器的功耗可减小15％以上。

Allegro A3916双路DMOS全桥马达驱动方案（英文）

Allegro Micro Systems公司的A3916是新型低压双极步进马达或双路马达驱动IC,集成了所有的马达控制的功能,包括固定关断时间的PWM稳压器,单电源2.7-15 V输入电压,每路输出电流高达1A,低RDS(ON)输出,低电流睡眠模式,过流保护,内部UVLO和热关断,集成了电荷泵.主要用在工业自动化,点负载,3D打印,医疗设备,CCTV,玩具市场和其它应用.本文介绍了A3916主要特性和优势,框图和典型应用电路以及演示板电路图,材料清单和PCB设计图。