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PDP列驱动芯片能量恢复效率模型
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作者 华国环 刘清惓 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期989-996,共8页
为了分析PDP列驱动芯片的能量恢复效率,提出了2种分析模型。DPLD(double-channel p-type lateral extended drain MOS)管是列驱动芯片中能量恢复电路的核心元器件。CRC(电容-电阻-电容)等效电路模型适用于漏电流能力较弱的DPLD管;VCCS(... 为了分析PDP列驱动芯片的能量恢复效率,提出了2种分析模型。DPLD(double-channel p-type lateral extended drain MOS)管是列驱动芯片中能量恢复电路的核心元器件。CRC(电容-电阻-电容)等效电路模型适用于漏电流能力较弱的DPLD管;VCCS(压控电流源)模型适用于漏电流能力较强的DPLD管;测试结果显示CRC和VCCS模型都具备较高的精度,模型误差分别是2.26%和4.04%。CRC模型揭示了影响列驱动芯片能量恢复效率的因素有3个,分别是:充电时间、沟道电阻、负载电容。2种模型分析的对比结果表明,沟道电阻对列驱动芯片的能量恢复效率影响很大,使用较小沟道电阻的DPLD管可以显著提高PDP列驱动芯片的能量恢复效率。CRC和VCCS模型可用于精确预测列驱动芯片的能量恢复效率。 展开更多
关键词 分析模型 PDP列驱动芯片 dpld 寻址功耗 能量恢复效率
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