基于miR-665/DRAM1信号介导的自噬探讨补阳还五汤延缓血管衰老的作用

目的研究补阳还五汤对血管衰老的延缓作用,探讨其机制是否与microRNA-665(miR-665)/DNA损伤调节自噬调控因子1(DNA damage-regulated autophagy modulator 1,DRAM1)信号介导的自噬有关。方法将自然衰老雄性SD大鼠随机分为衰老组,补阳还五汤低、中、高(9.25、18.5、37.0 g·kg^(-1))剂量组和白藜芦醇组(80 mg·kg^(-1)),同时设立年轻组。分离胸主动脉,ELISA法测定血管组织衰老相关β-半乳糖苷酶(Senescence associatedβ-galactosidase,SA-β-Gal)活性和晚期糖基化终末产物(Advanced glycation end products,AGEs)水平;HE、Masson和EVG染色观察血管组织形态结构;qPCR检测血管组织miR-665表达;生物信息学分析和双荧光素酶报告基因实验验证miR-665与DRAM1靶向关系;透射电镜观察血管内自噬小体;Western blot法检测血管组织p16、DRAM1蛋白及自噬相关蛋白LC3、Beclin1和p62的表达;免疫组织化学法检测血管组织DRAM1的蛋白表达。结果与年轻组相比,衰老组大鼠血管中SA-β-Gal活性、AGEs水平和p16蛋白表达增加(P<0.01);血管组织排列紊乱,中膜增厚,胶原纤维增加,弹力纤维出现断裂、紊乱;miR-665基因表达上调(P<0.01);自噬小体数量减少,Beclin1和LC3Ⅱ/Ⅰ蛋白表达降低(P<0.01),p62蛋白表达升高(P<0.01);DRAM1蛋白表达降低(P<0.01)。与衰老组相比,补阳还五汤和白藜芦醇干预能够降低衰老大鼠血管中SA-β-Gal活性(P<0.01)、AGEs水平和p16蛋白表达(P<0.05,P<0.01);改善血管形态和弹力纤维结构,降低血管组织胶原纤维含量。高剂量补阳还五汤明显下调miR-665基因表达(P<0.01),增加血管内自噬小体数量;不同剂量补阳还五汤明显上调Beclin1蛋白表达(P<0.05,P<0.01),中剂量和高剂量补阳还五汤显著上调LC3Ⅱ/Ⅰ蛋白表达(P<0.01),下调p62蛋白表达(P<0.01);高剂量补阳还五汤明显上调DRAM1蛋白表达(P<0.05)。生物信息学分析显示,miR-665与DRAM1基因序列存在特异性互补结合位点,双荧光素酶报告实验证实miR-665靶向DRAM1基因并负调控DRAM1蛋白表达。结论补阳还五汤可能通过靶向抑制miR-665促进DRAM1蛋白表达,进而促进血管自噬,延缓血管衰老。

嵌入式系统中的内生存储器PUF研究综述

物理不可克隆函数(Physical Unclonable Functions,PUF)可视为一种“芯片指纹”,具有轻量级、不可预测、难以克隆等特性,已经成为物联网硬件安全机制的重要组成部分。然而,传统PUF的实现需要在硬件层面增加FPGA或专用集成电路,会增加硬件成本。对于数以亿计的现有物联网嵌入式设备,难以通过硬件改造来增加PUF安全属性。因此,从现有设备的硬件结构中挖掘固有PUF(Intrinsic PUF,IPUF)成为PUF研究与产业化的关键组成部分。本工作将对已有的IPUF,尤其是基于存储器的IPUF(Memroy based Intrinsic PUF,MIPUF)相关工作进行系统综述,并针对IPUF在现有系统中的可实现性及未来的发展方向进行讨论,以推动该技术的工程应用。

空间太阳望远镜的星载固态存储器研制

空间太阳望远镜有五个载荷仪器 ,其每天产生的数据达 172 8GB ,数据流以固态存储器为核心在星上数据处理系统各单元间调度 ,完成缓存、压缩、存储和下传 .本文分析了对固态存储器的需求 ,建立了其状态机模型 ,并确定了总体设计方案 .根据该方案用DSP和FPGA构成控制逻辑 ,用DRAM芯片阵列构成存储模块 。

DRAM芯片的最新研制进展与发展趋势

介绍了动态随机存取存储器(DRAM)的最新制造技术、0.1μm特征尺寸理论极限的突破和相关新技术的进展,并展望了3种非易失性随机存取存储器(NVRAM),如FRAM、相变RAM、MRAM和BiCMOS技术的开发前景与发展趋势。

MiR-199a-5p通过靶向DRAM1调控急性髓系白血病对阿柔比星的敏感性

目的:比较miR-199a-5p在急性髓系白血病(AML)耐药细胞株K562/ADM以及敏感细胞株K562中的表达,研究其对AML耐药的调控效应并探索其机制。方法:采用MTT法检测阿柔比星(ADM)对K562/ADM和K562细胞的生长抑制率并计算IC50。采用实时荧光定量RT-PCR的方法检测2种细胞株(K562/ADM和K562)以及患者骨髓标本(复发难治AML患者和化疗后完全缓解AML患者)中miR-199a-5p的表达。通过细胞转染的方法在K562/ADM细胞中转入miR-199a-5p mimic使其表达上调,在K562细胞中转入miR-199a-5p inhibitor使其表达下调,采用CCK-8法检测ADM对2种细胞的增殖抑制率,实时荧光定量PCR和Western blot法分别检测转染后2种细胞中DRAM1基因和蛋白的表达。双荧光素酶报告基因实验检测miR-199a-5p与DRAM13′UTR是否存在直接结合位点。采用siRNA的方法下调K562/ADM细胞中DRAM1表达,CCK-8法检测ADM对细胞增殖抑制率的变化。结果:ADM对K562/ADM和K562细胞的IC50分别为146.14±0.079和3.08±0.056μg/ml。miR-199a-5p在复发难治AML患者骨髓中的表达明显低于完全缓解患者,在K562/ADM细胞中的表达明显低于K562细胞(P<0.05)。当K562/ADM细胞中miR-199a-5p表达上调时,ADM对细胞的增殖抑制率升高,DRAM1基因和蛋白表达明显下降。当K562细胞中miR-199a-5p表达下调时,ADM对细胞的增殖抑制率明显下降,DRAM1基因和蛋白表达明显升高(P<0.05)。双荧光素酶报告基因实验显示,miR-199a-5p与DRAM1的3′UTR区存在直接结合位点。K562/ADM细胞中DRAM1在基因和蛋白水平表达均明显高于K562细胞(P<0.05)。当K562/ADM细胞中DRAM1基因表达下调后,细胞对ADM的敏感性显著升高(P<0.05)。结论:miR-199a-5p在耐药白血病细胞中呈低表达。miR-199a-5p表达能够调控AML细胞对ADM的敏感性。DRAM1是miR-199a-5p调控AML耐药的功能性靶基因。

企业外部技术获取:机理与案例分析

企业所面临的重要挑战是如何有效地将内部研究开发和外部技术源有机结合起来。简要概述了国际上外部技术源的发展趋势;以韩国三星公司DRAM技术能力成长为例,研究了企业获取外部技术的机制;从技术知识不同属性层面,说明了外部技术知识的可转移性与企业技术能力之间的关系,以及技术源从外部向内部转化的层次性。

基于贝叶斯的钢筋混凝土梁模型修正方法

本文提出了一个基于贝叶斯原理的钢筋混凝土梁有限元模型修正方法。针对钢筋混凝土梁模型修正中的方程病态问题及模态测试中测点信息不完整和模态信息不完备的实际情况,建立了适用于有限测点的目标函数和似然函数,且在目标函数中同时考虑了频率和振型信息。采用延迟拒绝自适应算法(DRAM)对待修正参数的后验概率进行了计算。数值算例表明本方法在仅使用低阶测量模态信息和不完整振型信息的情况下,仍能准确修正结构参数;实验算例表明,修正后的钢筋混凝土梁有限元模型的动力特性和测量结果一致,修正后的模型参数值和梁的轻微裂缝的位置及大小基本对应,说明了本文方法的有效性。

韩国攻克半导体关键技术的组织管理模式及启示

项目的组织管理模式在关键核心技术攻关中发挥着重要作用,是技术研发成功的基础保障。韩国半导体DRAM领域从跟跑、并跑再到领跑的跨越,离不开其组织管理模式的贡献。分析韩国DRAM攻关组织管理模式发现,对于面向国家战略需求或服务国民经济主战场的关键技术,韩国采用了由国家牵头政府与企业共同出资、产学研合作攻克"卡脖子"技术的项目管理模式;针对关键核心技术设置两种技术路线的竞争技术攻关模式;面向目标明确的产品采用跳跃式研发模式;在世界技术动向的情报监测与分析方面采取技术攻关全周期实时监测模式;并注重海外人才引进。最后,分析韩国DRAM领域组织管理模式特点的基础上,对我国开展核心技术领域攻关过程中制定合理的组织管理模式提出启示。

ASPP2以p53非依赖形式促进自噬引起Hep3B细胞凋亡

p53凋亡刺激蛋白2(apoptosis stimulating protein 2 of p53,ASPP2)能特异性地与p53蛋白结合并增强其促凋亡的功能,进而发挥抗肿瘤作用.本室前期研究发现,ASPP2可以通过p53-DRAM-自噬途径诱导细胞凋亡.在本研究中,利用ASPP2腺病毒感染Hep3B细胞(p53缺陷型肝癌细胞系)并用甲基磺酸(MMS)处理后;Calcein AM/PI和M30染色检测细胞凋亡;GFP-LC3质粒转染细胞后检测自噬;荧光定量PCR和免疫印迹检测自噬基因表达.结果表明,ASPP2在p53缺陷的Hep3B细胞内可诱导发生凋亡;在MMS存在和缺失条件下,Adr-ASPP2均引起自噬体水平升高及自噬基因的表达增加,且MMS协同Adr-ASPP2能使自噬水平增加;进一步用VPS34 siRNA和DRAM siRNA抑制自噬发现,细胞凋亡水平下降,说明由Adr-ASPP2诱发经损伤相关自噬调节蛋白(DRAM)介导的自噬参与了肝癌细胞系凋亡的发生.综上结果表明,ASPP2可以通过非p53依赖的DRAM介导自噬,并促进肝癌细胞凋亡.该研究可为肝癌的基因治疗提供新的思路.

基于DRAM的水质模拟不确定性分析和风险决策

将点源作为未知参数,结合一种新的马尔科夫链蒙特卡罗(MCMC)算法——延迟拒绝适应性Metropolis算法(DRAM),对钱塘江支流东阳江许村至义东桥河段的化学需氧量、氨氮、饱和溶解氧等3种指标的水质模型进行了贝叶斯参数估计.DRAM算法兼有延迟拒绝算法和适应性Metropolis算法的优点,且稳定收敛速度更快.基于抽样得到的马尔科夫链,对参数和模型误差项的后验分布进行了量化,并实现了点源的不确定性反演.用这个不确定性模型对污染物质量浓度的后验分布进行模拟,表现了良好的拟合效果.基于马尔科夫链,可对各类情景(如不同的水温、流量或点源排放情况)下的污染物超标风险进行直观的分析和预测,也易于实现敏感性分析.研究结果能帮助管理者制定不同水期的减排和调水风险决策,为钱塘江流域的水污染风险管理提供支持.

利用FPGA实现SDRAM控制器的设计

介绍了SDRAM的工作原理和使用方法。以一个数据通信中实际使用的SDRAM控制器为例,设计了用可编程逻辑器件(FPGA)实现SDRAM控制器的方法,给出了具体实现时需要注意的地方。

基于S3C4510B网络处理器的系统设计

基于ARM内核的32位嵌入式系统,目前已经占有75%以上的32位RISC嵌入式产品市场,在低功耗、低成本的嵌入式应用领域确立了市场领导地位。因此,有必要掌握基于ARM内核的嵌入式系统的开发。文中主要介绍基于S3C4510B的硬件系统的详细设计步骤、实现细节、硬件系统及软件系统的调试方法等,通过对S3C4510B的分析,能够对嵌入式系统开发有初步的了解。

基于PCI的微机继电保护测试仪通信控制卡的设计及其WDM驱动程序的实现

微机继电保护测试仪作为一种高速测试装置,要求具有很高的实时性和稳定性。阐述了基于PC I总线的微机继电保护测试仪通信控制卡的硬件结构及实现方法,介绍了WDM驱动程序的特点及PC I通信控制卡驱动程序主要模块的开发,完成了整个系统的整合设计。实际应用表明:该系统有效地完成了各种继保测试试验。

敲减SET8表达通过上调p53/DRAM1信号通路促进大鼠血管平滑肌细胞自噬和凋亡

目的:探讨赖氨酸甲基转移酶SET8(SET domain-containing protein 8)低表达通过p53/DRAM1(DNA damage-regulated autophagy modulator 1)通路调控大鼠血管平滑肌细胞(vascular smooth muscle cells,VSMCs)自噬和凋亡的作用及机制。方法:体外原代培养大鼠VSMCs,敲减SET8表达,将细胞分为3组:正常组、空载体对照组和SET8-shRNA组。流式细胞术检测细胞凋亡,MTT法检测细胞活力,Western blot检测SET8、p53、DRAM1、LC3、Bax和Bcl-2的蛋白水平。过表达DRAM1,将大鼠VSMCs分为3组:正常组、空载体对照组和DRAM1组。检测各组细胞活力,凋亡及DRAM1、LC3、Bax和Bcl-2的蛋白水平。敲减SET8表达的同时敲减p53或DRAM1表达,观察LC3、Bax和Bcl-2的蛋白表达情况。结果:(1)敲减SET8表达后,大鼠VSMCs凋亡显著增多,活力显著降低(P<0.05)。Western blot结果显示,敲减SET8表达后,SET8和Bcl-2表达显著降低(P<0.05),p53、DRAM1、LC3-II和Bax表达显著升高(P<0.05)。(2)过表达DRAM1后,大鼠VSMCs凋亡显著增多(P<0.05),活力显著降低(P<0.05)。Western blot结果显示,过表达DRAM1后,DRAM1、LC3-II和Bax表达显著升高(P<0.05),Bcl-2表达显著降低(P<0.05)。(3)敲减p53或DRAM1表达后,LC3-II和Bax表达降低,Bcl-2表达升高(P<0.05)。结论:敲减SET8表达可促进大鼠血管平滑肌细胞发生自噬和凋亡,可能机制是通过上调p53和DRAM1表达,促进自噬蛋白LC3-II及凋亡蛋白Bax表达实现的。

面向高性能数值计算的并行计算模型DRAM(h)

提出了一个基于存储层次的新并行计算模型DRAM (h) ,并在该模型下对两个经典并行数值计算算法的不同实现形式 :四种形式并行下三角方程求解 (PTRS)和六种形式无列选主元并行LU分解 (PLU) ,进行了分析 .模型分析表明 ,具有近乎相同时间和空间复杂性的同一算法不同实现形式 ,在该模型下会有完全不同的存储复杂度 .作者在日立公司SR2 2 0 1MPP并行机、曙光 3 0 0 0超级服务器和中国科学院科学与工程计算国家重点实验室(LSEC)的 12 8节点LinuxCluster等三种并行计算平台上对模型分析结果进行了实验验证 .结果表明 ,该模型分析在绝大多数情况下都能较好地与不同实验平台上的实验结果吻合 .个别出现偏差的分析结果 ,在根据计算平台的存储层次特点修改模型分析的假定后 ,也能够进行解释 .这说明了该模型对不同形式的算法实现进行存储访问模式区分的有效性 .对在计算模型中加入指令 /线程级并行的可行性和方法的研究是下一步的工作 .

(Ba,Sr)TiO_3铁电薄膜制备技术及其研究进展

(Ba,Sr)TiO3(简称BST)铁电薄膜较传统的铁电材料有高介电常数、高击穿场强、快响应速度、居里温度可调等优点,在DRAM、微波调节器等领域具有广阔的发展前景,是目前国际上新型功能材料研究的热点之一。通过对铁电薄膜及其制备技术研究新进展的综合评述,就BST的微观结构、性能及应用,深入分析BST铁电薄膜主要制备技术的优缺点,指出了目前铁电薄膜及其制备技术研究中应注意的问题。

基于 ispLSI 器件的 DRAM 控制器的设计(一)

对空间应用的大容量固态图像存贮器联试结果进行了分析。为提高系统的集成度和抗干扰性，我们采用了ｉｓｐＬＳＩ器件对该系统的ＤＲＡＭ控制器进行改进设计。详细分析了基于ｉｓｐＬＳＩ器件，利用ＩＳＰＳｙｎａｒｉｏＳｙｓｔｅｍ软件进行设计的过程，并给出了微机上的仿真结果。

惯性仪表数据采集模块的设计与实现

从某型惯性航姿系统的使用要求和数据特点出发,确定了数据采集模块的设计目标,为了保证数据采集的实时性和减轻主计算机的负载,采用双CPU的并行工作方式进行设计;针对模块与主计算机之间的总线接口要求,设计了基于PC104总线结构、以双口存储器(DRAM)数据传输单元的惯性仪表数据采集模块。在软件设计中,为了提高模块工作的抗干扰能力,增加了报文自动纠错功能,大大提高了模块工作的可靠性.

基于SoC的嵌入式DRAM存储器内建自测试设计

内建自测试(Built-in Self Test,BIST)是测试片上系统(System-on-Chip,SoC)中嵌入式存储器的重要技术;但是,利用BIST技术采用多种算法对嵌入式存储器进行测试仍面临诸多挑战;对此,提出了一种基于SoC的可以带有多种测试算法的嵌入式DRAM存储器BIST设计,所设计的测试电路可以复用状态机的状态,利用循环移位寄存器(Cyclic Shift Register,CSR)产生操作命令,利用地址产生电路产生所需地址;通过对3种BIST电路支持的算法,全速测试,面积开销3个方面的比较,表明提出的嵌入式DRAM存储器BIST设计在测试时间,测试故障覆盖率和测试面积开销等各方面都取得了较好的性能。