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Fabrication of Ultra Deep Electrical Isolation Trenches with High Aspect Ratio Using DRIE and Dielectric Refill
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作者 朱泳 闫桂珍 +4 位作者 王成伟 杨振川 范杰 周健 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期16-21,共6页
A novel technique to fabricate ultra deep high aspect ratio electrical isolation trenches with DRIE and dielectric refill is presented.The relationship between trench profile and DRIE parameters is discussed.By optimi... A novel technique to fabricate ultra deep high aspect ratio electrical isolation trenches with DRIE and dielectric refill is presented.The relationship between trench profile and DRIE parameters is discussed.By optimizing DRIE parameters and RIE etching the trenches’ opening,the ideal trench profile is obtained to ensure that the trenches are fully refilled without voids.The electrical isolation trenches are 5μm wide and 92μm deep with 0.5μm thick oxide layers on the sidewall as isolation material.The measured I-V result shows that the trench structure has good electrical isolation performance:the average resistance in the range of 0~100V is more than 10 11Ω and no breakdown appears under 100V.This isolation trench structure has been used in fabrication of the bulk integrated micromachined gyroscope,which shows high performance. 展开更多
关键词 deep reactive ion etching electrical isolation trenches bulk microstructures monolithic integration
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基于DRIE的太赫兹行波管硅基低损耗慢波结构工艺技术研究
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作者 吴杰 杨扬 +9 位作者 刘欣 严可 郑源 冯堃 王政焱 姜理利 黄旼 李忠辉 朱健 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第5期369-373,共5页
行波管慢波结构的制造通常采用计算机数字化控制精密机械加工技术。随着工作频率的提升,对慢波结构特征尺寸精度的要求达到微纳米级,导致加工难度大、周期长,成本高昂,一定程度上限制了技术的快速发展。硅基MEMS加工工艺具备优秀的三维... 行波管慢波结构的制造通常采用计算机数字化控制精密机械加工技术。随着工作频率的提升,对慢波结构特征尺寸精度的要求达到微纳米级,导致加工难度大、周期长,成本高昂,一定程度上限制了技术的快速发展。硅基MEMS加工工艺具备优秀的三维形貌可控性,尺寸控制精度高,批次一致性较好。本文针对太赫兹行波管功率源对双槽深折叠波导慢波结构的设计要求,开发了基于硅基底材料的三维集成工艺制造技术。采用光刻胶掩蔽结合介质掩蔽工艺方法,聚焦优化深反应离子刻蚀(Deep reactive ion etching,DRIE)中刻蚀钝化平衡参数,完成了电镀金和金金键合的完整工艺流程开发,实现了工作频率达0.65 THz、单位长度插入损耗低至1.6 dB/mm的高性能硅基太赫兹慢波结构150 mm晶圆级工艺制备,为太赫兹行波管的技术突破和应用发展建立了技术基础。 展开更多
关键词 太赫兹 慢波结构 低损耗 硅基 MEMS 深反应离子刻蚀(drie)
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Formation mechanism of multi-functional black silicon based on optimized deep reactive ion etching technique with SF_6/C_4F_8 被引量:2
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作者 ZHU Fu Yun ZHANG Xiao Sheng ZHANG Hai Xia 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第2期381-389,共9页
This paper reports a controllable multi-functional black silicon surface with nanocone-forest structures fabricated by an optimized deep reactive ion etching(DRIE)technique using SF6/C4F8 in cyclic etching-passivation... This paper reports a controllable multi-functional black silicon surface with nanocone-forest structures fabricated by an optimized deep reactive ion etching(DRIE)technique using SF6/C4F8 in cyclic etching-passivation process,which is maskless,effective and controllable.The process conditions are investigated by systematically comparative experiments and core parameters have been figured out,including etching process parameters,pre-treatment,patterned silicon etching and inclined surface etching.Based on the experimental data,the formation mechanism of nanocone shape is developed,which provides a novel view for in-depth understanding of abnormal phenomena observed in the experiments under different process situations.After the optimization of the process parameters,the black silicon surfaces exhibit superhydrophobicity with tunable reflectance.Additionally,the quantitative relationship between nanocones aspect ratio and surface reflectance and static contact angle is obtained,which demonstrates that black silicon surfaces with unique functional properties(i.e.,cross-combination of reflectance and wettability)can be achieved by controlling the morphology of nanostructures. 展开更多
关键词 formation mechanism black silicon nanocone-forest deep reactive ion etching (drie properties characterization
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Statistical key variable analysis and model-based control for improvement performance in a deep reactive ion etching process
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作者 陈山 潘天红 +1 位作者 李正明 郑西显 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2012年第6期118-124,共7页
This paper proposes to develop a data-driven via's depth estimator of the deep reactive ion etching process based on statistical identification of key variables.Several feature extraction algorithms are presented to ... This paper proposes to develop a data-driven via's depth estimator of the deep reactive ion etching process based on statistical identification of key variables.Several feature extraction algorithms are presented to reduce the high-dimensional data and effectively undertake the subsequent virtual metrology(VM) model building process.With the available on-line VM model,the model-based controller is hence readily applicable to improve the quality of a via's depth.Real operational data taken from a industrial manufacturing process are used to verify the effectiveness of the proposed method.The results demonstrate that the proposed method can decrease the MSE from 2.2×10^(-2) to 9×10^(-4) and has great potential in improving the existing DRIE process. 展开更多
关键词 deep reactive-ion etching virtual metrology through silicon via key variable analysis model-based control
原文传递
用于E型薄膜制备的双掩膜工艺研究
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作者 郝一鸣 雷程 +4 位作者 王涛龙 余建刚 冀鹏飞 闫施锦 梁庭 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第4期505-510,共6页
在高温压力传感器中,与C型膜片相比,E型膜片的稳定性强,非线性误差小,相同挠度下灵敏度高。在微机电系统(MEMS)工艺流程中薄膜制备较重要,其形貌结构对传感器的性能影响较大。但E型薄膜的制备过程较难,为制备出形貌良好的E型(硅岛)薄膜... 在高温压力传感器中,与C型膜片相比,E型膜片的稳定性强,非线性误差小,相同挠度下灵敏度高。在微机电系统(MEMS)工艺流程中薄膜制备较重要,其形貌结构对传感器的性能影响较大。但E型薄膜的制备过程较难,为制备出形貌良好的E型(硅岛)薄膜,采用深反应离子刻蚀机,以SF_(6)为主要刻蚀气体,通过改变掩模材料对制备工艺进行优化改进,使用共聚焦显微镜和扫描电子显微镜(SEM)对刻蚀后的形貌进行表征。实验表明,通过使用ROL-7133负胶和SiO_(2)双掩膜,前烘90 s,中烘120 s,显影50 s,得到了硅岛高度为50μm、背腔深度为450μm的E型薄膜,垂直度较高且整体形貌较好,符合传感器制作要求。 展开更多
关键词 双掩膜 E型薄膜 深反应离子刻蚀 刻蚀比 刻蚀形貌
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太赫兹真空器件中超深金属慢波结构的微加工技术
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作者 姜琪 李兴辉 +2 位作者 冯进军 蔡军 潘攀 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期759-767,共9页
太赫兹真空电子器件物理结构尺寸变化随着波长的减小而减小,对微小结构的尺寸精度与表面粗糙度要求也大大增加。随着器件频率进入到太赫兹频段,慢波结构的深度达到几十微米或者百微米量级,加工的难点主要有:材料为金属,结构超深,表面粗... 太赫兹真空电子器件物理结构尺寸变化随着波长的减小而减小,对微小结构的尺寸精度与表面粗糙度要求也大大增加。随着器件频率进入到太赫兹频段,慢波结构的深度达到几十微米或者百微米量级,加工的难点主要有:材料为金属,结构超深,表面粗糙度要求达到几十纳米量级,微电铸后金属含氧量极小,结构密度大不漏气,经得起后续近千摄氏度的高温处理工艺等。文章介绍了太赫兹频段下器件慢波结构的加工方式,着重讨论利用深反应离子刻蚀(DRIE)技术和紫外−光刻、电铸(UV-LIGA)技术加工超深金属慢波结构的技术和和特点,并介绍了本实验室利用UV-LIGA加工折叠波导的研究进展。 展开更多
关键词 太赫兹真空电子器件 微机电系统 深反应离子刻蚀 紫外−光刻、电铸 慢波结构
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DRIE工艺误差对MEMS梳齿谐振器频率的影响 被引量:3
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作者 王强 高杨 +1 位作者 贾小慧 柏鹭 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第12期776-780,共5页
针对深反应离子刻蚀(DRIE)工艺加工高深宽比梳齿电容存在侧壁倾斜角的情况,分析了该倾斜角对梳齿谐振器频率的影响。为了使设计的梳齿谐振器频率符合应用要求,推导出了梳齿谐振器在正负侧壁倾斜角θ下的谐振频率计算公式。利用ANSYS Wor... 针对深反应离子刻蚀(DRIE)工艺加工高深宽比梳齿电容存在侧壁倾斜角的情况,分析了该倾斜角对梳齿谐振器频率的影响。为了使设计的梳齿谐振器频率符合应用要求,推导出了梳齿谐振器在正负侧壁倾斜角θ下的谐振频率计算公式。利用ANSYS Workbench11.0平台,分别对侧壁倾斜角为0°,0.2°,0.35°和0.5°的情形进行了有限元建模与模态仿真。仿真结果表明:随着正倾斜角的增大,谐振频率减小;负倾斜角增大时,谐振频率增大,且一阶模态振形的平稳程度越差。比较数值仿真结果与考虑了正负倾斜角误差的梳齿谐振器谐振频率计算公式计算结果对比,吻合较好。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 梳齿谐振器 深反应离子刻蚀 高深宽比 倾斜角 谐振频率
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DRIE技术加工W波段行波管折叠波导慢波结构的研究 被引量:4
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作者 李含雁 冯进军 白国栋 《中国电子科学研究院学报》 2011年第4期427-431,共5页
简要介绍了利用深反应离子刻蚀制作折叠波导慢波结构的现状及制作的工艺流程。对深反应离子刻蚀掩膜制作即光刻工艺,以及折叠波导慢波结构的深刻加工进行了深入的研究。详细分析了各光刻工艺对光刻胶图形的影响,尤其是前烘对光刻胶图像... 简要介绍了利用深反应离子刻蚀制作折叠波导慢波结构的现状及制作的工艺流程。对深反应离子刻蚀掩膜制作即光刻工艺,以及折叠波导慢波结构的深刻加工进行了深入的研究。详细分析了各光刻工艺对光刻胶图形的影响,尤其是前烘对光刻胶图像侧壁垂直度的影响;在深反应离子刻蚀中,还详细分析了刻蚀时间、下电极功率以及刻蚀气体气压对刻蚀结果的影响。经参数优化后获得最佳工艺参数,并制作出带有电子注通道的W波段折叠波导慢波结构,慢波结构深为946μm,侧壁垂直度为91°,电子注通道深为225μm,侧壁垂直度为90°。 展开更多
关键词 折叠波导 微细加工 深反应离子刻蚀 光刻工艺
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基于MEMS技术的离子门设计与制备
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作者 任家纬 贾建 +1 位作者 高晓光 何秀丽 《微纳电子技术》 CAS 2024年第10期134-140,共7页
为了提高小型离子迁移谱仪分辨率,基于微电子机械系统(MEMS)技术设计并制备了Bradbury-Nielsen(BN)离子门。首先简要介绍离子迁移谱仪原理及结构,其次通过SIMION软件对漂移管进行建模,利用统计扩散模拟(SDS)多物理场的仿真程序模拟离子... 为了提高小型离子迁移谱仪分辨率,基于微电子机械系统(MEMS)技术设计并制备了Bradbury-Nielsen(BN)离子门。首先简要介绍离子迁移谱仪原理及结构,其次通过SIMION软件对漂移管进行建模,利用统计扩散模拟(SDS)多物理场的仿真程序模拟离子团在漂移管中的运动情况。根据理论分析和有限元数值仿真研究了BN离子门电极丝参数对离子迁移谱仪性能的影响,并确定参数的优化值为:电极丝间距200μm、直径20μm。最后根据工艺条件设计了适用于小型离子迁移谱仪的MEMS离子门,并绘制了相应的掩模版图形。在此基础上详细阐述了采用剥离工艺和深反应离子刻蚀(DRIE)工艺基于4英寸(1英寸=2.54cm)绝缘体上硅(SOI)晶片制备MEMS离子门器件的方法,对比了样品电极丝参数的设计值和测量值,并验证器件的平整度。 展开更多
关键词 离子门 微电子机械系统(MEMS) 离子迁移谱 有限元仿真 深反应离子刻蚀
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A MICROFABRICATED METAL GRATING OSCILLATOR FOR ELECTRIC FIELD DETECTION
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作者 Deng Kai Xia Shanhong +2 位作者 Gong Chao Chen Shaofeng Bai Qiang 《Journal of Electronics(China)》 2005年第5期564-568,共5页
This letter proposes a novel design of a Micro Electro Mechanical System (MEMS) device featuring a metal grating vibratory mierostructure driven by electrostatic force to sense the spatial electric field. Due to the... This letter proposes a novel design of a Micro Electro Mechanical System (MEMS) device featuring a metal grating vibratory mierostructure driven by electrostatic force to sense the spatial electric field. Due to the advantages in slide-film damping and large vibration amplitude, such a device makes atmospheric packaging a low-cost option for practical manufacture. In this letter, we present the operating principles and specifications, the design structure, as well as the finite element simulation. Computational analysis shows that our design obtains good results in device parameters setting, while its simplicity and low-cost features make it an attractive solution for applications. 展开更多
关键词 Miniature Electric Field Sensor(MEFS) Anodic bonding deep reactive ion etching(drie)
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微机械陀螺DRIE刻蚀过程中的局域掩膜效应 被引量:2
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作者 冷悦 焦继伟 +3 位作者 张颖 顾佳烨 颜培力 宓斌玮 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1070-1074,共5页
在微机电系统(MEMS)制造中,深反应离子刻蚀(DRIE)过程的精度是影响器件特性的重要因素之一。本文设计了一种完全对称弹性梁结构的模态匹配式陀螺的原型器件,以此为对象研究了局域掩膜图形对于DRIE刻蚀过程的影响。器件的测试结果表明驱... 在微机电系统(MEMS)制造中,深反应离子刻蚀(DRIE)过程的精度是影响器件特性的重要因素之一。本文设计了一种完全对称弹性梁结构的模态匹配式陀螺的原型器件,以此为对象研究了局域掩膜图形对于DRIE刻蚀过程的影响。器件的测试结果表明驱动和检测模态有明显的失配,该失配的发生原因除了气体阻尼,更主要来源于驱动和检测结构弹性梁尺寸的工艺偏差。在分析了实验过程及结果的基础上可以认为,除了典型的DRIE滞后效应等因素外,器件结构的局域掩膜效应加剧了工艺偏差:对称弹性梁结构周边的非对称掩膜图形导致了刻蚀气体分布的局部不均匀,增加了DRIE刻蚀的侧蚀偏差。 展开更多
关键词 MEMS陀螺 深反应离子刻蚀 非对称结构 局域掩膜效应 模态失配
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Experimental Study on the Footing Effect for SOG Structures Using DRIE 被引量:1
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作者 丁海涛 杨振川 +1 位作者 张美丽 闫桂珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1088-1093,共6页
This paper experimentally studies the effects of the conductivity of a silicon wafer and the gap height between silicon structures and glass substrate on the footing effect for silicon on glass (SOG) structures in t... This paper experimentally studies the effects of the conductivity of a silicon wafer and the gap height between silicon structures and glass substrate on the footing effect for silicon on glass (SOG) structures in the deep reactive ion etching (DRIE) process. Experiments with gap heights of 5,20, and 50μm were carried out for performance comparison of the footing effect. Also,two kinds of silicon wafers with resistivity of 2-4 and 0.01-0. 0312Ω· cm were used for the exploration. The results show that structures with resistivity of 0.01 - 0. 0312Ω· cm have better topography than those with resistivity of 2-4Ω· cm; and structures with 50μm-high gaps between silicon structures and glass substrate suffer some- what less of a footing effect than those with 20μm-high gaps,and much less than those with Stem-high gaps. Our theoretical analysis indicates that either the higher conductivity of the silicon wafer or a larger gap height between silicon structures and glass substrate can suppress footing effects. The results can contribute to the choice of silicon type and optimum design for many microsensors. 展开更多
关键词 footing effect silicon on glass deep reactive ion etching
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Fabrication of High-Density Out-of-Plane Microneedle Arrays with Various Heights and Diverse Cross-Sectional Shapes 被引量:2
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作者 Hyeonhee Roh Young Jun Yoon +4 位作者 Jin Soo Park Dong-Hyun Kang Seung Min Kwak Byung Chul Lee Maesoon Im 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第2期60-78,共19页
Out-of-plane microneedle structures are widely used in various applications such as transcutaneous drug delivery and neural signal recording for brain machine interface.This work presents a novel but simple method to ... Out-of-plane microneedle structures are widely used in various applications such as transcutaneous drug delivery and neural signal recording for brain machine interface.This work presents a novel but simple method to fabricate high-density silicon(Si)microneedle arrays with various heights and diverse cross-sectional shapes depending on photomask pattern designs.The proposed fabrication method is composed of a single photolithography and two subsequent deep reactive ion etching(DRIE)steps.First,a photoresist layer was patterned on a Si substrate to define areas to be etched,which will eventually determine the final location and shape of each individual microneedle.Then,the 1st DRIE step created deep trenches with a highly anisotropic etching of the Si substrate.Subsequently,the photoresist was removed for more isotropic etching;the 2nd DRIE isolated and sharpened microneedles from the predefined trench structures.Depending on diverse photomask designs,the 2nd DRIE formed arrays of microneedles that have various height distributions,as well as diverse cross-sectional shapes across the substrate.With these simple steps,high-aspect ratio microneedles were created in the high density of up to 625 microneedles mm^(-2)on a Si wafer.Insertion tests showed a small force as low as~172μN/microneedle is required for microneedle arrays to penetrate the dura mater of a mouse brain.To demonstrate a feasibility of drug delivery application,we also implemented silk microneedle arrays using molding processes.The fabrication method of the present study is expected to be broadly applicable to create microneedle structures for drug delivery,neuroprosthetic devices,and so on. 展开更多
关键词 MICRONEEDLE Various heights Cross-sectional shapes Isotropic etch deep reactive ion etching
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Subtle Variations in Surface Properties of Black Silicon Surfaces Influence the Degree of Bactericidal Efficiency
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作者 Chris M.Bhadra Marco Werner +9 位作者 Vladimir A.Baulin Vi Khanh Truong Mohammad Al Kobaisi Song Ha Nguyen Armandas Balcytis Saulius Juodkazis James Y.Wang David E.Mainwaring Russell J.Crawford Elena P.Ivanova 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2018年第2期239-246,共8页
One of the major challenges faced by the biomedical industry is the development of robust synthetic surfaces that can resist bacterial colonization. Much inspiration has been drawn recently from naturally occurring me... One of the major challenges faced by the biomedical industry is the development of robust synthetic surfaces that can resist bacterial colonization. Much inspiration has been drawn recently from naturally occurring mechano-bactericidal surfaces such as the wings of cicada(Psaltoda claripennis) and dragonfly(Diplacodes bipunctata) species in fabricating their synthetic analogs. However,the bactericidal activity of nanostructured surfaces is observed in a particular range of parameters reflecting the geometry of nanostructures and surface wettability. Here,several of the nanometer-scale characteristics of black silicon(bSi) surfaces including the density and height of the nanopillars that have the potential to influence the bactericidal efficiency of these nanostructured surfaces have been investigated. The results provide important evidence that minor variations in the nanoarchitecture of substrata can substantially alter their performance as bactericidal surfaces. 展开更多
关键词 Black silicon Nanoarchitecture Bactericidal efficiency deep reactive ion etching(drie) Neural network analysis
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一种电容式微机械加速度计的设计 被引量:10
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作者 郑旭东 曹学成 +3 位作者 郑阳明 罗斯建 王跃林 金仲和 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期226-229,共4页
介绍了一种新型基于滑膜阻尼的电容式微机械加速度计。该加速度计根据差分电容极板间正对面积的改变来检测加速度大小,保证了输出电压与加速度之间的线性度。对加速度计进行了结构设计和分析。给出了加速度计的制作工艺流程,研究了解决... 介绍了一种新型基于滑膜阻尼的电容式微机械加速度计。该加速度计根据差分电容极板间正对面积的改变来检测加速度大小,保证了输出电压与加速度之间的线性度。对加速度计进行了结构设计和分析。给出了加速度计的制作工艺流程,研究了解决深反应离子刻蚀过程中的过刻蚀现象的方法。初步测试结果表明,该加速度计的灵敏度比较理想,谐振频率与理论计算相吻合。 展开更多
关键词 电容式加速度计 微机电系统 深反应离子刻蚀 滑膜阻尼
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基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析 被引量:6
16
作者 王家畴 荣伟彬 +1 位作者 李昕欣 孙立宁 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期636-641,共6页
针对纳米定位平台的构型和定位精度问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度纳米级定位平台。介绍了定位平台的相关制作工艺,并对关键工艺进行了分析,总结了导致器件失效的主要原因,探讨了减... 针对纳米定位平台的构型和定位精度问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度纳米级定位平台。介绍了定位平台的相关制作工艺,并对关键工艺进行了分析,总结了导致器件失效的主要原因,探讨了减少失效的方法。同时,提出了一种可行的面内侧面压阻加工方法。通过对深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺参数的调整,成功地刻蚀出大尺寸、大深宽比的结构释放窗口,释放了最小线宽为2.5μm,厚度为50μm的梳齿结构。 展开更多
关键词 体硅工艺 深度反应离子刻蚀 背片技术 面内侧面压阻 纳米级定位平台
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用于3D封装的带TSV的超薄芯片新型制作方法 被引量:4
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作者 袁娇娇 吕植成 +4 位作者 汪学方 师帅 吕亚平 张学斌 方靖 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第2期118-123,128,共7页
提出了一种应用于3D封装的带有硅通孔(TSV)的超薄芯片的制作方法。具体方法为通过刻蚀对硅晶圆打孔和局部减薄,然后进行表面微加工,最后从硅晶圆上分离出超薄芯片。利用两种不同的工艺实现了TSV的制作和硅晶圆局部减薄,一种是利用深反... 提出了一种应用于3D封装的带有硅通孔(TSV)的超薄芯片的制作方法。具体方法为通过刻蚀对硅晶圆打孔和局部减薄,然后进行表面微加工,最后从硅晶圆上分离出超薄芯片。利用两种不同的工艺实现了TSV的制作和硅晶圆局部减薄,一种是利用深反应离子刻蚀(DRIE)依次打孔和背面减薄,另一种是先利用KOH溶液湿法腐蚀局部减薄,再利用DRIE刻蚀打孔。通过实验优化了KOH和异丙醇(IPA)的质量分数分别为40%和10%。这种方法的优点在于制作出的超薄芯片翘曲度相较于CMP减薄的小,而且两个表面都可以进行表面微加工,使集成度提高。利用这种方法已经在实验室制作出了厚50μm的带TSV的超薄芯片,表面粗糙度达到0.02μm,并无孔洞地电镀填满TSV,然后在两面都制作了凸点,在表面进行了光刻、溅射和剥离等表面微加工工艺。实验结果证实了该方法的可行性。 展开更多
关键词 3D集成 硅通孔(TSV) 减薄 深反应离子刻蚀(drie) 湿法腐蚀 电镀
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单晶硅振动环陀螺仪的制作 被引量:5
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作者 张明 陈德勇 王军波 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期2454-2460,共7页
为了简化电容式振动环陀螺仪的制作方法,进一步提高成品率,提出了一种结合反应离子深刻蚀(DRIE)与阳极键合的陀螺仪制备方法。分析了振动环陀螺的工作原理,指出了传统工艺存在的缺陷;对该制作方法所采用的工艺流程进行了详细设计,分析... 为了简化电容式振动环陀螺仪的制作方法,进一步提高成品率,提出了一种结合反应离子深刻蚀(DRIE)与阳极键合的陀螺仪制备方法。分析了振动环陀螺的工作原理,指出了传统工艺存在的缺陷;对该制作方法所采用的工艺流程进行了详细设计,分析了不同工艺参数对陀螺仪性能的影响,并依据分析和实验结果改进了工艺流程和参数。最后,采用该方法制作了振动环式微机械陀螺仪并进行了测试。实验结果表明,采用该方法能成功制作电容间隙为3μm、厚度为80μm的振动环式陀螺仪微结构。与传统的制作方法相比,工艺流程大为简化,掩模板数量从7块减少到2块,满足器件性能可靠、工艺简单、成品率高的要求。 展开更多
关键词 微机械加工工艺 深刻蚀 阳极键合 振动环陀螺
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用于MEMS器件制造的深反应离子刻蚀设备 被引量:3
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作者 陈特超 禹庆荣 +3 位作者 龚杰洪 张冬艳 伍波 李键志 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1415-1418,共4页
深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀[1].介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备,采用ICP技术,刻蚀深宽比≥25∶1.着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法.
关键词 微电子机械系统 深反应离子 刻蚀 控制 设备
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解耦z轴微机械陀螺的研制 被引量:4
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作者 周浩 苏伟 +1 位作者 刘显学 唐海林 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期2123-2130,共8页
提出了一种检测模态解耦的z轴微机械陀螺,其检测模态被约束为1自由度振动,可抑制驱动模态的影响,降低不期望的检测模态偏置,并使用双质量结构在降低模态耦合的同时获得了较好的模态频率匹配。为满足驱动和检测模态自由度约束要求,使用了... 提出了一种检测模态解耦的z轴微机械陀螺,其检测模态被约束为1自由度振动,可抑制驱动模态的影响,降低不期望的检测模态偏置,并使用双质量结构在降低模态耦合的同时获得了较好的模态频率匹配。为满足驱动和检测模态自由度约束要求,使用了U形支撑梁。采用反应离子深刻蚀工艺制作了高深宽比结构层,获得了较大的验证质量,抑制了器件的机械热噪声,提高了陀螺分辨率。加工的陀螺面积为2 100μm×2 100μm,厚度为60μm。采用真空封装,获得了较高的机械品质因子。测试结果表明,驱动和检测模态的品质因子分别为2 000和1 800,机械热噪声为3.76(°)/h.Hz21。在±200(°)/s的量程内,刻度因子为21mV/(°).s-1,非线性度为1.426%FS,1h内测得零偏稳定性为0.057 9(°)/s。 展开更多
关键词 微机械陀螺 机械解耦 反应离子深刻蚀
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