期刊文献+
共找到10篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
热超声倒装键合过程中的非线性动力学行为 被引量:11
1
作者 韩雷 钟掘 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期2056-2063,共8页
在作为微器件电气互连主要手段的热超声键合工艺中,微细键合区域内金属变形/变性/互连所需的能量,来自于超声波功率源通过换能系统所施加的微幅压剪动载.对热超声倒装键合过程的研究说明,PZT换能系统在热超声倒装键合工艺过程中的非线... 在作为微器件电气互连主要手段的热超声键合工艺中,微细键合区域内金属变形/变性/互连所需的能量,来自于超声波功率源通过换能系统所施加的微幅压剪动载.对热超声倒装键合过程的研究说明,PZT换能系统在热超声倒装键合工艺过程中的非线性动力学行为,如换能系统启动后的初值敏感性和不确定性,键合工具与换能杆之间的不稳定动力耦合,倒装芯片运动的奇异相轨线等,是深入研究键合机理以及提高工艺可靠性的重要关键. 展开更多
关键词 热超声键合 PZT换能系统 非线性动力学 倒装芯片 封装互连
下载PDF
纳米铜在电子封装中的应用研究进展 被引量:5
2
作者 曾策 崔西会 +2 位作者 廖承举 卢茜 吕英飞 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第10期866-874,共9页
对纳米铜在电子封装领域的应用优势进行了简要分析,从材料制备、烧结技术和材料性能三个方面回顾了纳米铜性能调控技术的最新研究成果,评述了还原性稳定剂、表面配位诱导深度晶面重构以及核壳结构等纳米铜抗氧化技术的工程应用价值,分... 对纳米铜在电子封装领域的应用优势进行了简要分析,从材料制备、烧结技术和材料性能三个方面回顾了纳米铜性能调控技术的最新研究成果,评述了还原性稳定剂、表面配位诱导深度晶面重构以及核壳结构等纳米铜抗氧化技术的工程应用价值,分析了低温无压热烧结以及大气环境下的光子烧结的发展趋势。从应用模式和性能的视角介绍了纳米铜在高可靠全铜互连、下一代功率芯片键合以及新兴的柔性混合电子(FHE)等方面的应用进展、面临的挑战及尚待开展的研究。最后展望了纳米铜在电子封装领域规模化应用的前景并指出重点研究方向。 展开更多
关键词 纳米铜 电子封装 柔性混合电子(FHE) 功率芯片 烧结 键合 互连
下载PDF
FCBGA基板关键技术综述及展望 被引量:9
3
作者 方志丹 于中尧 +1 位作者 武晓萌 王启东 《电子与封装》 2023年第3期23-31,I0003,共10页
倒装芯片球栅格阵列(FCBGA)基板是人工智能、5G、大数据、高性能计算、智能汽车和数据中心等新兴需求应用的CPU、图形处理器(GPU)、FPGA等高端数字芯片的重要载体,业界对其需求量快速增长。对FCBGA基板的关键技术进行了介绍,包括精细线... 倒装芯片球栅格阵列(FCBGA)基板是人工智能、5G、大数据、高性能计算、智能汽车和数据中心等新兴需求应用的CPU、图形处理器(GPU)、FPGA等高端数字芯片的重要载体,业界对其需求量快速增长。对FCBGA基板的关键技术进行了介绍,包括精细线路技术、翘曲控制技术和局部增强技术。同时,对FCBGA基板技术的发展趋势及应用前景进行了展望。 展开更多
关键词 倒装芯片球栅格阵列 味之素增层膜 半加成工艺 翘曲 嵌入式多芯片互连桥
下载PDF
3D IC集成与硅通孔(TSV)互连 被引量:28
4
作者 童志义 《电子工业专用设备》 2009年第3期27-34,共8页
介绍了3维封装及其互连技术的研究与开发现状,重点讨论了垂直互连的硅通孔(TSV)互连工艺的关键技术及其加工设备面临的挑战,提出了工艺和设备开发商的应对措施并探讨了3DTSV封装技术的应用前景。
关键词 3D封装 芯片互连 深硅刻蚀 硅通孔(TSV) TSV刻蚀系统
下载PDF
IGBT功率模块封装中先进互连技术研究进展 被引量:13
5
作者 吴义伯 戴小平 +2 位作者 王彦刚 李道会 刘国友 《大功率变流技术》 2015年第2期6-11,共6页
随着新一代IGBT芯片结温及功率密度的提高,对功率电子模块及其封装技术的要求也越来越高。文章主要介绍了功率电子模块先进封装互连技术的最新发展趋势,重点比较了芯片表面互连、贴片焊接互连、导电端子引出互连等3种先进互连技术及其... 随着新一代IGBT芯片结温及功率密度的提高,对功率电子模块及其封装技术的要求也越来越高。文章主要介绍了功率电子模块先进封装互连技术的最新发展趋势,重点比较了芯片表面互连、贴片焊接互连、导电端子引出互连等3种先进互连技术及其封装工艺的优缺点,讨论了功率电子模块封装及互连技术所面临的问题与挑战。 展开更多
关键词 IGBT 功率模块 封装技术 互连技术 引线键合 贴片焊接 功率端子
下载PDF
Cu通孔诱导的应力对CMOS迁移率影响分析
6
作者 许建华 汪辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期221-224,共4页
利用Si片中填充Cu通孔技术实现芯片间互连是目前最有前景的三维芯片技术。利用有限元模型仿真研究了Cu通孔在Si中引起的诱导应力对CMOS晶体管迁移率的影响。分析了键合力、键合温度、通孔直径和Si片厚度等因素的影响。研究发现,Si中诱... 利用Si片中填充Cu通孔技术实现芯片间互连是目前最有前景的三维芯片技术。利用有限元模型仿真研究了Cu通孔在Si中引起的诱导应力对CMOS晶体管迁移率的影响。分析了键合力、键合温度、通孔直径和Si片厚度等因素的影响。研究发现,Si中诱导应力的主因是键合温度,且诱导应力随Si片厚度降低而减小。同时,晶体管免受区正比于通孔的直径,且PMOS迁移率变化率对应力的敏感程度要大于NMOS,因而PMOS的免受区决定整个CMOS工艺的免受区。 展开更多
关键词 通孔 键合 应力 迁移率 芯片互连 3D芯片技术
下载PDF
高密度三维封装技术 被引量:5
7
作者 李秀清 《半导体情报》 1998年第6期25-31,共7页
简要介绍为满足日益增长的低功耗、轻重量、小体积系统的应用需求而涌现出的多种裸芯片封装与多芯片叠层封装技术。详细讨论三维封装的垂直互连工艺。主要分析三维封装技术的硅效率、复杂程度、热处理、互连密度、系统功率与速度等问题。
关键词 三维封装 垂直互连 裸芯片叠层 半导体电路
下载PDF
汽车连接件多工位级进模设计
8
作者 尹子武 徐贝 《机械工程师》 2013年第3期13-15,共3页
分析了汽车连接件的冲压成形工艺,进行多次分阶段成形和逐步切除废料的11工位级进排样设计和模具结构设计,采用抬料板和整体弹压卸料板相结合的结构形式,在一副模具中同时完成冲裁、弯曲、拉深等多道工序。模具结构紧凑,卸料可靠,实现... 分析了汽车连接件的冲压成形工艺,进行多次分阶段成形和逐步切除废料的11工位级进排样设计和模具结构设计,采用抬料板和整体弹压卸料板相结合的结构形式,在一副模具中同时完成冲裁、弯曲、拉深等多道工序。模具结构紧凑,卸料可靠,实现了自动送料、卸料和出料,可进行大批量自动化生产,产品质量高,整体成本低。 展开更多
关键词 汽车连接件 多工位级进模 排样 模具结构
下载PDF
三维存储芯片堆叠封装技术探研 被引量:2
9
作者 杨建生 《电子工业专用设备》 2018年第1期36-40,共5页
新的3D封装设计能够简化诸如I/O再分布、侧墙绝缘、侧墙互连和封装成形等工艺;采用机械芯片3D封装原型成功地进行了验证,创建了最新设计的三维(3D)存储芯片堆叠封装。3D封装的制造工艺包括:把晶圆切割成为芯片分段;包含侧墙绝缘的芯片钝... 新的3D封装设计能够简化诸如I/O再分布、侧墙绝缘、侧墙互连和封装成形等工艺;采用机械芯片3D封装原型成功地进行了验证,创建了最新设计的三维(3D)存储芯片堆叠封装。3D封装的制造工艺包括:把晶圆切割成为芯片分段;包含侧墙绝缘的芯片钝化;在原始I/O焊盘上的通道开口;从中心焊盘到侧墙的再分配;采用聚合物胶粘剂的裸芯片堆叠技术;侧墙互连技术;焊球粘附。与传统3D封装相比,在此新的3D封装设计中,进行了显著的改进。此新研发封装的特点是:在芯片的I/O再分布之前,完成芯片的侧墙绝缘,这形成了芯片相对于晶圆更高的集成度;以及在随后的制造步骤中显著的工艺简化。按照此设计,可得到与传统晶圆设计相比,芯片对封装面积的比为100%。不会造成邻近芯片的任何损失,这在传统3D封装设计的I/O再分布工艺期间是常常发生的。证明3D堆叠式封装原型的机械完整性,完全满足JEDECⅢ级和85℃/85%试验的各项要求。 展开更多
关键词 裸芯片堆叠技术 可靠性试验 侧墙绝缘 三维封装技术 垂直互连
下载PDF
模具产业链协同共享制造趋势分析
10
作者 易平 《模具工业》 2020年第3期1-5,23,共6页
中国模具行业在市场规模方面已达世界前列,但是在经营管理、生产能力、产品质量等综合能力方面与世界领先的国家相比还存在一定差距。基于对中德模具行业数据的研究,探讨了中国模具行业在专业化定位、专业化分工方面的不足,并提出了基... 中国模具行业在市场规模方面已达世界前列,但是在经营管理、生产能力、产品质量等综合能力方面与世界领先的国家相比还存在一定差距。基于对中德模具行业数据的研究,探讨了中国模具行业在专业化定位、专业化分工方面的不足,并提出了基于工业互联网的产业链协同实现共享制造的探索,以期实现模具产业链集群式发展,促进中国模具做强做精。 展开更多
关键词 模具行业 工业互联 产业链协同 共享制造
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部