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RECENT DEVELOPMENTS OF DIRECT BONDED COPPER(DBC)SUBSTRATES FOR POWER MODULES 被引量:1
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作者 Dr.JuergenSchulz-Harder Dr.KarlExel curamik 《电力电子》 2003年第5期42-47,共6页
DBC substrates are the standard circuit boardsfor power modules. Using the DBC technologythick copper foils (0.125mm - 0.Tmm) arecladded to Alumina or Aluminum Nitride,The strong adhesion of the copper to ceramicbond ... DBC substrates are the standard circuit boardsfor power modules. Using the DBC technologythick copper foils (0.125mm - 0.Tmm) arecladded to Alumina or Aluminum Nitride,The strong adhesion of the copper to ceramicbond reduces the thermal expansion coefficientin horizontal direction only slightly above theTEC of the ceramic itself. This allows directsilicon attach of large dies without using TECcontrolling layers.As DBC technology is using copper foils,integralleads overhanging the ceramic can be realized... 展开更多
关键词 DBC)SUBSTRATES FOR POWER MODULES of or on with as RECENT DEVELOPMENTS OF direct bondED copper AIN
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Ceramic-copper substrate technology introduction
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作者 Zhao Qingqing Sun Wentao 《China Welding》 CAS 2022年第2期56-64,共9页
Ceramic-copper substrate is used to achieve the combination between copper and ceramic(Al_(2)O_(3) or AlN)under high temperatures by bonding or brazing process,then through dedicate lamination–etching technology to d... Ceramic-copper substrate is used to achieve the combination between copper and ceramic(Al_(2)O_(3) or AlN)under high temperatures by bonding or brazing process,then through dedicate lamination–etching technology to develop the designed layout in copper surface,finally parts go with plating and singulation process for surface treatment before shipping to the end-user.Ceramic-copper substrate has perfect performance in terms of insulation,thermal conductivity,solderability,and adhesion strength.Besides,the copper on surface can afford huge current due to the fact that ceramic has good reliability and thermal-cycling performance.According to technical visit and audit to suppliers’manufacturing process and based on several years’experience of mass production for electric vehicle power module package,this article introduces two mainstream ceramic-copper substrate processing methods currently on the market:direct bond copper(DBC)and active metal brazing(AMB)which can be widely used for the intelligent power module and electric vehicle power module,also introduces the major failure mode during application and analyzes the root cause for each failure mode,clarifies key incoming monitoring method,like crosshatch,silver plating thickness measurement and blister test.This article also clarifies the Incoming Quality Control system,which can provide guidance to process engineer during the application. 展开更多
关键词 copper ceramic bonding/brazing power module
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车用碳化硅功率模块的电热性能优化与评估 被引量:1
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作者 马荣耀 唐开锋 +3 位作者 潘效飞 邵志峰 孙鹏 曾正 《电源学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期78-86,共9页
由于在开关速度、温度特性和耐压能力等方面的优势,SiC(silicon carbide)功率模块开始逐步应用于电动汽车的电机控制器。电机控制器是电动汽车的核心部件,对功率模块的电热特性要求较高,因此对SiC封装提出了很大的挑战。以主流的HybridP... 由于在开关速度、温度特性和耐压能力等方面的优势,SiC(silicon carbide)功率模块开始逐步应用于电动汽车的电机控制器。电机控制器是电动汽车的核心部件,对功率模块的电热特性要求较高,因此对SiC封装提出了很大的挑战。以主流的HybridPACK Drive模块封装为例,优化设计了模块的驱动回路和DBC(direct bonded copper)布局,并引入了铜线键合技术,协同优化了模块的电热性能和可靠性。此外,采用响应面法优化了椭圆形Pin-Fin散热基板,提升了模块的散热性能。最后,分别制造了优化前、后的SiC功率模块样机作为对比,搭建了双脉冲和功率对拖实验平台,评估了2种方案的电热性能。实验结果显示,当芯片交错距离为芯片宽度的1/2时,所优化的功率模块可以在兼顾电性能的同时,实现更优异的热性能。 展开更多
关键词 SIC MOSFET 铜线互联 响应面法 DBC布局
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SiC功率模块封装材料的研究进展
4
作者 程书博 张金利 +2 位作者 张义政 吴亚光 王维 《科技创新与应用》 2024年第3期106-109,共4页
随着SiC功率模块的高频高速、高压大电流、高温、高散热和高可靠发展趋势,基于封装结构和封装材料的SiC功率模块封装技术也在不断地更新换代。与封装结构相比,SiC功率模块封装材料的相关研究报道较少。该文从封装材料角度出发,综述近年... 随着SiC功率模块的高频高速、高压大电流、高温、高散热和高可靠发展趋势,基于封装结构和封装材料的SiC功率模块封装技术也在不断地更新换代。与封装结构相比,SiC功率模块封装材料的相关研究报道较少。该文从封装材料角度出发,综述近年来陶瓷覆铜基板、散热底板、黏结材料、互连材料及灌封材料的研究进展,同时引出相关封装材料的研究重点,以满足SiC功率模块的应用需求。 展开更多
关键词 SiC功率模块 封装材料 陶瓷覆铜基板 散热底板 黏结材料 互连材料 灌封材料
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压延率对无氧铜板高温退火的组织及性能影响
5
作者 晏小猛 王善林 +2 位作者 陈卫民 吴懿平 李欢欢 《电子工艺技术》 2024年第2期1-4,18,共5页
高导热AMB陶瓷基板的覆铜厚板性能直接影响基板的电性能和力学性能。通过对无氧铜原料板的加工、微观组织调整以及陶瓷与铜板的活性焊料复合,达到AMB陶瓷覆铜基板最优的组织状态和电学与力学性能。首先对无氧铜板原料进行450℃和650℃... 高导热AMB陶瓷基板的覆铜厚板性能直接影响基板的电性能和力学性能。通过对无氧铜原料板的加工、微观组织调整以及陶瓷与铜板的活性焊料复合,达到AMB陶瓷覆铜基板最优的组织状态和电学与力学性能。首先对无氧铜板原料进行450℃和650℃再结晶退火0.5 h处理,得到两种原始的铜板组织。其次,对原始铜板进行压延率为15%、30%、45%、60%、75%的压延和800℃/1 h的退火处理,研究了退火铜板的微观组织及力学性能和电学性能。结果表明:当压延率在15%~75%时,随着压延率增加,晶粒逐渐被拉长变成扁平状,再变成纤维状;硬度随着压延率增加逐渐增大,铜板的延伸率逐渐减小,抗拉强度在压延率为15%~60%时逐渐增大,压延率达到75%时出现了小幅度降低。当在800℃退火1 h后,铜板表面晶粒尺寸随着压延率的增加逐渐减小,晶粒分布更加均匀,其大小稳定在400~800μm之间。铜板在压延率为15%~60%时的抗拉强度基本保持不变;当压延率到达75%时,抗拉强度出现小幅度降低。铜板硬度随着压延率增加基本保持不变。当压延率从15%变为75%时,铜板的电阻率有小幅度上升。 展开更多
关键词 无氧铜 AMB陶瓷覆铜基板 压延率 晶粒尺寸 电阻率
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三维电镀陶瓷基板激光封焊技术
6
作者 罗霖 丁勇杰 +3 位作者 苏鹏飞 赵九洲 彭洋 陈明祥 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期506-515,共10页
气密封装是推动电子器件高可靠发展的一项重要技术,传统气密封装技术存在焊接温度高、热冲击大、应用范围窄等问题,无法满足三维电镀陶瓷基板气密封装要求。本文结合脉冲激光焊接的技术优势,研究了脉冲激光焊接三维电镀陶瓷基板实现气... 气密封装是推动电子器件高可靠发展的一项重要技术,传统气密封装技术存在焊接温度高、热冲击大、应用范围窄等问题,无法满足三维电镀陶瓷基板气密封装要求。本文结合脉冲激光焊接的技术优势,研究了脉冲激光焊接三维电镀陶瓷基板实现气密封装,重点探讨了焊接过程中脉冲激光与材料相互作用模式,分析了焊接样品界面微观形貌、气密性、力学性能等。研究表明,焊接金属区裂纹的出现与基底金属铜向可伐侧的扩散密切相关;焊接过程稳定、焊接熔深小的热传导模式和过渡模式可以避免焊接裂纹出现。通过试验优化了焊接工艺参数,当激光峰值功率为120 W、脉冲宽度为1 ms、重叠率为80%时,三维陶瓷基板腔体结构获得了最佳高气密性,泄漏率为5.2×10^(-10)Pa·m^(3)/s,接头剪切强度为278.06 MPa,满足第三代半导体器件高可靠气密封装需求。 展开更多
关键词 脉冲激光 焊接模式 气密封装 三维电镀铜陶瓷基板(3-D DPC)
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基于氮化铝HTCC的表面Cu互连制备技术
7
作者 杨欢 张鹤 +1 位作者 杨振涛 刘林杰 《微纳电子技术》 CAS 2024年第7期156-161,共6页
针对高集成密度、高散热封装外壳发展需求,基于氮化铝(AlN)高温共烧陶瓷(HTCC)多层基板,结合直接镀铜(DPC)工艺,提出了一种薄厚膜相结合的高散热封装基板及其制备方法。重点对氮化铝HTCC与表面铜(Cu)层间的结合力进行研究和优化,通过扫... 针对高集成密度、高散热封装外壳发展需求,基于氮化铝(AlN)高温共烧陶瓷(HTCC)多层基板,结合直接镀铜(DPC)工艺,提出了一种薄厚膜相结合的高散热封装基板及其制备方法。重点对氮化铝HTCC与表面铜(Cu)层间的结合力进行研究和优化,通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和剥离强度测试仪分析和研究了界面的微观结构和力学性能。研究结果表明:与氮化铝/钛钨(TiW)/Cu相比,氮化铝/钛(Ti)/Cu界面的缺陷更少,金属Ti的黏附性能更优,拉脱断裂面在陶瓷基板上。当采用厚度为400 nm的Ti作为黏附层时,表面金属化剥离强度高达592 MPa,实现了高界面结合力,保证了产品封装性能的稳定性。 展开更多
关键词 氮化铝 高温共烧陶瓷(HTCC)多层基板 直接镀铜(DPC) 黏附层 钛(Ti) 剥离强度
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复合固废材料制备高性能水泥基陶瓷砖胶粘剂性能研究
8
作者 谢正奋 《广东建材》 2024年第5期4-9,共6页
本研究复合石灰石尾矿、铜矿尾砂两种固废材料替代天然骨料,由废树脂粉替代重钙粉作为填料,加入纤维素纳米晶须等外加剂来辅助改性,同时在制备工艺上改变投料顺序,使其更均匀地混合。试验得出水泥用量为40%~45%,铜矿尾砂在骨料中的比例... 本研究复合石灰石尾矿、铜矿尾砂两种固废材料替代天然骨料,由废树脂粉替代重钙粉作为填料,加入纤维素纳米晶须等外加剂来辅助改性,同时在制备工艺上改变投料顺序,使其更均匀地混合。试验得出水泥用量为40%~45%,铜矿尾砂在骨料中的比例不超过60%,且加入6%的废树脂粉,再搭配适量的纤维素纳米晶须等外加剂,可以制备出符合《陶瓷砖胶粘剂》JC/T 547-2017中C2T等级的陶瓷砖胶粘剂。 展开更多
关键词 陶瓷砖胶粘剂 石灰石尾矿 铜矿尾砂 固废材料 拉伸粘结强度
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AlN陶瓷基板覆铜技术的研究 被引量:10
9
作者 许昕睿 庄汉锐 +3 位作者 李文兰 徐素英 张宝林 江国健 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期837-842,共6页
探索了AlN陶瓷基板表面氧化状态对敷接强度的影响。结果表明:敷接过程中Cu[O]共晶液体对未经氧化处理的AlN陶瓷基板的浸润性较差,不能形成牢固的结合;AlN陶瓷表面经氧化处理后能够显著改善与Cu[O]共晶液体的浸润性,其界面结合强度与氧... 探索了AlN陶瓷基板表面氧化状态对敷接强度的影响。结果表明:敷接过程中Cu[O]共晶液体对未经氧化处理的AlN陶瓷基板的浸润性较差,不能形成牢固的结合;AlN陶瓷表面经氧化处理后能够显著改善与Cu[O]共晶液体的浸润性,其界面结合强度与氧化工艺密切相关,受热应力的影响,空气条件下氧化试样的敷接强度大于湿气氛下(N_2:O_2=10:1)氧化试样的敷接强度;空气下1300℃氧化30min制得的AlN-DBC试样,敷接强度达2.8kg·mm^(-2),其界面反应层的厚度约2~3μm,生成界面产物CuAlO_2,从而获得了较高的敷接强度。 展开更多
关键词 ALN陶瓷 氧化 敷接
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DBC 电子封装基板研究进展 被引量:11
10
作者 陈大钦 林锋 +3 位作者 肖来荣 蔡和平 蒋显亮 易丹青 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第6期76-78,82,共4页
综述了 DBC 电子封装基板的研究进展,介绍了 DBC 电子封装基板材料的选择、敷接的关键技术及其在电子封装中的使用特点,并展望了 DBC 电子封装基板的应用前景。
关键词 氮化铝 陶瓷金属化 电子封装材料 DBC 直接敷铜基板
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直接敷铜工艺制备Cu/AlN材料的界面结构及结合性能 被引量:7
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作者 谢建军 王宇 +8 位作者 汪暾 王亚黎 丁毛毛 李德善 翟甜蕾 林德宝 章蕾 吴志豪 施鹰 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期61-64,共4页
通过直接敷铜(DBC)工艺,在AlN陶瓷基板表面于1 000~1 060℃的敷接温度下制备Cu/AlN材料,利用机械剥离机、场发射扫描电子显微镜和X射线衍射仪分析了Cu/AlN的界面结合强度、界面微观形貌和物相组成。结果表明:铜箔和AlN陶瓷基板间的结合... 通过直接敷铜(DBC)工艺,在AlN陶瓷基板表面于1 000~1 060℃的敷接温度下制备Cu/AlN材料,利用机械剥离机、场发射扫描电子显微镜和X射线衍射仪分析了Cu/AlN的界面结合强度、界面微观形貌和物相组成。结果表明:铜箔和AlN陶瓷基板间的结合强度超过了8.00N·mm^(-1),铜箔和AlN陶瓷之间存在厚度约为2μm的过渡层,过渡层中主要含有Al_2O_3、CuAlO_2和Cu_2O化合物;随着敷接温度升高,Cu/AlN的界面结合强度逐渐增大。 展开更多
关键词 表面金属化 直接敷铜工艺 ALN陶瓷 界面结合强度
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铜渣基铁系磷酸盐化学键合材料的制备及其固化Pb^(2+)的研究 被引量:6
12
作者 何欢 周新涛 +2 位作者 罗中秋 史桂杰 张明琴 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第18期117-121,共5页
利用富含铁氧化物的铜渣和磷酸二氢钾反应制备铁系磷酸盐化学键合材料,并将其作为基体材料固化重金属离子Pb^(2+)。研究了原料配比、缓凝剂及硝酸铅掺量对胶凝材料初凝时间和抗压强度的影响。结果表明,当m(P)/m(CS)为1/4及硼砂掺量为2%... 利用富含铁氧化物的铜渣和磷酸二氢钾反应制备铁系磷酸盐化学键合材料,并将其作为基体材料固化重金属离子Pb^(2+)。研究了原料配比、缓凝剂及硝酸铅掺量对胶凝材料初凝时间和抗压强度的影响。结果表明,当m(P)/m(CS)为1/4及硼砂掺量为2%时,材料性能最好,自然养护28d和常压蒸汽养护24h抗压强度分别可达44.78 MPa和30.48 MPa。随着重金属铅掺量的增加,固化体抗压强度逐渐降低,铝掺量为4.5%时,自然养护28d和蒸汽养护24h固化块抗压强度均大于10 MPa。对固化体的重金属毒性浸出试验表明:铁系磷酸盐化学键合材料对重金属离子Pb^(2+)具有很好的固化效果,固化体毒性浸出质量浓度远低于国家浸出毒性鉴别标准限值(5mg/L)。通过XRD、SEM和FTIR对重金属固化体进行表征分析,发现固化体中形成了PbHPO_4和Pb_3(PO_4)_2等重金属磷酸盐产物,并被铁系磷酸盐胶凝相物质紧密包裹,从而通过化学键合和物理包裹等双重作用实现重金属Pb的稳定固化。 展开更多
关键词 铜渣 磷酸盐化学键合材料 固化 重金属毒性浸出
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铜-氮化铝陶瓷键合机理的探讨 被引量:4
13
作者 谢进 宗祥福 +1 位作者 徐传骧 钟力生 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2000年第3期55-56,60,共3页
在一定的温度下 ,由于适量的氧元素的引入 ,铜的表面将形成一层Cu Cu2 O共晶熔体 ,通过这一共晶熔体可以将铜与许多陶瓷键合在一起。研究了铜与氮化铝陶瓷直接键合的可行性 ,运用扫描电镜 (SEM )、电子能谱(EDX)对键合机理作了一定的分... 在一定的温度下 ,由于适量的氧元素的引入 ,铜的表面将形成一层Cu Cu2 O共晶熔体 ,通过这一共晶熔体可以将铜与许多陶瓷键合在一起。研究了铜与氮化铝陶瓷直接键合的可行性 ,运用扫描电镜 (SEM )、电子能谱(EDX)对键合机理作了一定的分析和探讨。 展开更多
关键词 铜-氮化铝陶瓷 键合 电力电子模块
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氮化铝陶瓷覆铜基板的研制 被引量:5
14
作者 谢进 宗祥福 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期385-387,共3页
通过高温热氧化的方法 ,在AlN陶瓷表面形成一薄层Al2 O3作为过渡层 ,成功地将铜与AlN陶瓷键合在一起 ,研制出性能优越的AlN陶瓷覆铜基板 .研究了AlN热氧化时间及温度对键合质量的影响 ,提出了较佳的氧化工艺 ,获得的键合力可达 1 1 0N/c... 通过高温热氧化的方法 ,在AlN陶瓷表面形成一薄层Al2 O3作为过渡层 ,成功地将铜与AlN陶瓷键合在一起 ,研制出性能优越的AlN陶瓷覆铜基板 .研究了AlN热氧化时间及温度对键合质量的影响 ,提出了较佳的氧化工艺 ,获得的键合力可达 1 1 0N/cm .同时 ,运用扫描电镜 (SEM )、电子能谱 (EDX)对键合结构作了分析和研究 ,AlN衬底上的氧化物相对键合过程起着重要作用 . 展开更多
关键词 氮化铝氮瓷 氧化 键合 半导体模块 覆铜基板
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ZnO陶瓷键合Cu电极技术的研究 被引量:1
15
作者 谢进 徐传骧 李盛涛 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期18-22,36,共6页
研究了Cu-ZnO陶瓷键合技术,并探讨了其作为电极用在线性ZnO陶瓷电阻器上对器件性能的影响,运用扫描电镜对Cu-ZnO陶瓷的键合结构进行了分析,测量了键合Cu电极后的接触电阻及器件耐电流冲击的稳定性,并与镀Cu、喷... 研究了Cu-ZnO陶瓷键合技术,并探讨了其作为电极用在线性ZnO陶瓷电阻器上对器件性能的影响,运用扫描电镜对Cu-ZnO陶瓷的键合结构进行了分析,测量了键合Cu电极后的接触电阻及器件耐电流冲击的稳定性,并与镀Cu、喷Al及烧Ag电极进行了分析对比.同时。 展开更多
关键词 键合 电极 氧化锌陶瓷 附着力
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内嵌陶瓷电路板的PCB基板制备及其LED封装性能 被引量:5
16
作者 王哲 王永通 +3 位作者 刘佳欣 牟运 彭洋 陈明祥 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第7期1139-1146,共8页
普通印刷电路板(PCB)材料热导率低,散热性能不佳,难以用于封装大功率器件。本文提出并制备了一种直接电镀铜陶瓷基板(DPC)的PCB基板(以下简称“内嵌基板”),利用陶瓷材料高热导率强化基板局部散热,并将其应用于大功率LED封装。使用胶粘... 普通印刷电路板(PCB)材料热导率低,散热性能不佳,难以用于封装大功率器件。本文提出并制备了一种直接电镀铜陶瓷基板(DPC)的PCB基板(以下简称“内嵌基板”),利用陶瓷材料高热导率强化基板局部散热,并将其应用于大功率LED封装。使用胶粘剂将DPC基板固定在开窗的PCB基板中,电互连后得到内嵌基板。相较于普通PCB基板,相同电流下内嵌基板表面温度低,温升趋势放缓,当电流从200 mA增加到400 mA时,内嵌基板温升比普通PCB基板低约42.1℃。当电流为350 mA时,内嵌基板封装的LED样品热阻和结温变化分别为15.55 K/W和9.36℃,其光功率随电流增加而增大,并始终高于同电流下普通PCB基板封装LED;在400 mA时,两者光功率相差约16.7%。实验表明,内嵌基板是一种高性能、低成本的封装基板,可有效提高大功率LED散热性能,满足功率器件封装应用需求。 展开更多
关键词 发光二极管(LED) 内嵌PCB 直接电镀铜陶瓷基板(DPC) 散热 光热性能
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Cu/Al_2O_3与Cu/AlN复合陶瓷基板材料制备研究 被引量:2
17
作者 谢建军 王亚黎 +6 位作者 施誉挺 李德善 丁毛毛 翟甜蕾 章蕾 吴志豪 施鹰 《陶瓷》 CAS 2015年第11期31-35,共5页
利用直接敷铜(DBC)技术制备了Cu/Al2O3、Cu/AlN复合陶瓷基板材料。通过机械剥离机和场发射扫描电子显微镜分析了Cu/Al2O3、Cu/AlN复合陶瓷基板材料的结合力、界面微观形貌与元素分布。结果表明,在Cu箔能与Al2O3基板直接结合,而AlN组需... 利用直接敷铜(DBC)技术制备了Cu/Al2O3、Cu/AlN复合陶瓷基板材料。通过机械剥离机和场发射扫描电子显微镜分析了Cu/Al2O3、Cu/AlN复合陶瓷基板材料的结合力、界面微观形貌与元素分布。结果表明,在Cu箔能与Al2O3基板直接结合,而AlN组需要预氧化然后才能与Cu箔紧密结合,Cu箔与Al2O3、预氧化AlN基板间的结合力均超过8N/mm。通过EDS能谱分析,在Cu箔与预氧化AlN基板间出现组分主要为Al2O3和CuAlO2的过渡层。 展开更多
关键词 直接敷铜 Cu/Al2O3 Cu/AlN 界面结合力 界面微观形貌
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Nb、Cu金属层厚度对Si_3N_4/Nb/Cu/Ni/Incone l600接头组织和性能的影响 被引量:2
18
作者 杨敏 邹增大 +1 位作者 曲士尧 王育福 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期54-58,共5页
采用Nb/Cu/N i作中间层,在连接温度为1 403 K、连接时间为50 m in、连接压力为7.5MPa的条件下,采用不同尺寸的中间层进行了S i3N4陶瓷与Inconel 600高温合金的部分液相扩散连接。通过改变Nb层、Cu层厚度,研究了Cu层、Nb层厚度变化对S i3... 采用Nb/Cu/N i作中间层,在连接温度为1 403 K、连接时间为50 m in、连接压力为7.5MPa的条件下,采用不同尺寸的中间层进行了S i3N4陶瓷与Inconel 600高温合金的部分液相扩散连接。通过改变Nb层、Cu层厚度,研究了Cu层、Nb层厚度变化对S i3N4/Nb/Cu/N i/Inconel 600接头的组织和性能的影响。研究发现,当Cu层厚度小于0.05 mm时,随着Cu层厚度的增加,接头中的Cu-N i合金层厚度增加,接头强度快速增加;当Cu层厚度超过0.05 mm时,接头中的Cu-N i合金层厚度由于压力的作用不明显增加,接头强度增加缓慢。随着Nb层厚度的增加,反应层厚度增加,接头的强度先增大后减小。 展开更多
关键词 部分液相扩散连接 SI3N4陶瓷 INCONEL 600高温合金 中间层
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氮化铝陶瓷金属化技术的探讨 被引量:6
19
作者 高陇桥 崔高鹏 刘征 《真空电子技术》 2020年第1期32-36,共5页
本文对目前常用的电子陶瓷(例如,氮化铝陶瓷、氧化铍陶瓷、氧化铝陶瓷)的性能和金属化技术进行了初步的比较,提出了氮化铝陶瓷要加强其应用研究,特别是要进一步提高其Mo-Mn法封接强度,论述了氧化铍陶瓷比氮化铝陶瓷DBC技术上的某些优势。
关键词 电子陶瓷 陶瓷金属化 陶瓷敷铜板直接结合
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新型陶瓷/金属化合物基板——直接敷铜板 被引量:4
20
作者 罗雁横 张瑞君 《电子与封装》 2005年第2期18-21,共4页
直接敷铜(DBC)板是用于电子学封装的一种陶瓷/金属化合物基板。这种DBC板适用于光电子学封装的采集排列制作,并可提供无源对准、好的热导率、CTE匹配及良好的可靠性。本文介绍了采用DBC板的光电子学封概念布线、制作和应用。
关键词 直接敷铜(DBC)板 封装 光电子学
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