用ECRCVD法制备的纳米碳化硅薄膜及其室温下的强光发射

用电子回旋共振化学气相沉积 (ECRCVD)方法制备了纳米碳化硅薄膜 .实验中发现 :在高氢稀释反应气体和高微波功率条件下 ,可以得到结构上具有纳米碳化硅晶粒镶嵌在碳化硅无序网络中的薄膜 .用高分辩透射电子显微镜、傅里叶红外吸收谱、Ram an散射和 X射线光电子谱等分析手段对薄膜的结构进行了分析 .在室温条件下 ,薄膜能够发出强烈的短波长可见光 ,发光峰位于能量为 2 .6 4 e V处 .瞬态光谱研究表明样品的光致发光寿命为纳秒数量级 ,表现出直接跃迁复合的特征 .

ECRCVD技术淀积太阳电池的减反膜

本文报道了用电子回旋共振化学气相淀积（ECRCVD）技术实现了低温（50℃）淀积SiON／SiN膜作硅太阳电池减反射膜的实验研究．探讨了影响薄膜性能的主要工艺参数，设计了具有较佳抗反效果的双层减反膜，并对膜层的反射率和太阳电池参数进行了测定．结果表明：该减反膜具有良好的减反效果，能实现较宽波段范围内的均匀增透，使太阳电池短路电流密度提高了42％，电池转换效率提高了45％．

SiON/SiN 太阳电池双层减反膜的性能研究

报道了用电子回旋共振化学气相淀积（ＥＣＲＣＶＤ）技术淀积ＳｉＯＮ／ＳｉＮ双层硅太阳电池减反膜的实验研究。用红外吸收谱、俄歇电子谱以及二次离子质谱等实验方法对薄膜的组分、结构、界面过渡区的特性以及膜层中的氢分布进行了分析，实验表明：在制备减反射膜时，要获得较佳的减反效果，应尽量降低淀积温度，增大微波功率。采用ＥＣＲＣＶＤ方法制备的ＳｉＯＮ／ＳｉＮ双层减反膜的平均反射率低于６％（波长范围３００—９００ｎｍ），电池转换效率约提高４５％。

FTIR监测金刚石薄膜生长的研究

用电子回旋共振等离子体(ECR)系统,在气压、衬底温度以及微波功率等外界条件不变的情况下,仅改变甲烷浓度制备金刚石薄膜,利用傅里叶红外吸收光谱仪(FTIR)对甲烷浓度为6%的ECR系统进行实时监测,分析研究了不同沉积时间条件下,甲烷和氢气产生的等离子体对薄膜早期成核、生长过程以及衬底的影响,并结合Raman光谱X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对金刚石薄膜进行了分析。

微波电子回旋共振法沉积的非晶碳化硅薄膜结构和性能研究

非晶碳化硅薄膜的结构可调制性及化学稳定性使它可用作超低k多孔介电薄膜的扩散阻挡层。主要改变了SiH4(80%Ar稀释)和CH4气体流量比R{R=[CH4]/([CH4]+[SiH4])},使用微波电子回旋共振化学气相沉积法制备了非化学计量比的非晶碳化硅薄膜(a-Si1-xCx∶H)。薄膜沉积过程中放电等离子体的各基团行为由等离子体的发射光谱监测,而薄膜的结构与性能则由傅立叶变换红外光谱、紫外可见光谱等来表征。结果表明,在等离子体发射光谱中H、CH谱线强度随CH4流量的增加而增强,而SiH谱线强度则呈现相反的变化趋势。红外结构表明随着气体流量比R的增加,薄膜由富硅态向富碳态转变,薄膜结构的转变是薄膜光学带隙及其介电常数变化的根本原因。