PESD测试中静电枪表现的性能的研究

在本文中,我们介绍了两种不同类型的ESD静电枪(ESS-200AX和ESD 3000),分别用两种ESD静电枪对芯片进行抗干扰度测试,研究两种类型的ESD静电枪对同种样本芯片表现的性能。结果显示,对于完全符合IEC 61000-4-2要求的不同的ESD静电枪表现出不完全的一致性。为了比较IC的ESD性能,我们目前主要采用同一系列的芯片采用相同的ESD静电枪进行测试。

系统级ESD激励源模型研究进展

芯片级和系统级静电放电(ESD)协同设计可以有效地应对电子设备面临的ESD风险,但需要对整个ESD防护网络进行建模,特别是建立精确的系统级ESD激励源模型。文章阐述了静电枪、浪涌等两种常用ESD激励源模型的基本原理、建模和仿真方法。分析了已有模型在仿真预测中面临的挑战和存在的问题。最后,指出了系统级ESD激励源模型的发展趋势。

一种基于TLP输入的系统级ESD模型分析方法（英文）

基于已有的传输线脉冲发生器(TLP)与IEC 61000-4-2应力的等效关系,提出一种以TLP应力作为输入的系统级模型分析方法。与传统的IEC应力作为系统输入的分析方法相比,该方法解决了对流入待测器件(DUT)残余能量的计算不够精确的问题,同时提高了DUT失效预测方面的精准性。通过SPICE仿真,预测了上述两种应力作为系统输入的DUT失效情况。通过相应的印制电路板(PCB)的实测验证,进一步说明新提出的方法能够提高系统级失效预测的精准性。

静电放电辐射场模拟及干扰预测

为了深入研究静电放电(ESD)过程及其辐射场情况,解决实验测量数据重复性差、近场辐射场特性难以观测等问题。通过电磁仿真与实验相结合的方法建立ESD模拟器3维电磁模型,验证分析对水平耦合板放电的辐射场特性和受试设备(EUT)的耦合电压特性。研究发现:对水平耦合板放电的辐射场在放电点有最大电场强度,且电场强度随着与放电点距离的增加而呈现先快后慢的衰减。3维电磁仿真结果表明:ESD辐射场主要通过EUT壳体表面的缝隙和接口耦合到设备内部,耦合电压与测试结果一致。因此在电子设备设计阶段可利用该3维电磁模型对其内部抗扰度进行验证,从而降低电子设备抗干扰研发成本,提高设备ESD抗扰度测试过关率。