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集成电路ESD设计验证技术
被引量:
2
1
作者
罗宏伟
肖庆中
+1 位作者
路香香
石晓峰
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期757-760,共4页
传输线脉冲(TLP)测试是当前电路设计工程师研究ESD保护器件特性和进行ESD加固设计的有力工具。分析了ESD应力作用下MOSFET的工作原理,指出精确测试保护器件或电路在ESD大电流应力下的I-V特性曲线,提取特征参数,将有利于ESD加固设计的一...
传输线脉冲(TLP)测试是当前电路设计工程师研究ESD保护器件特性和进行ESD加固设计的有力工具。分析了ESD应力作用下MOSFET的工作原理,指出精确测试保护器件或电路在ESD大电流应力下的I-V特性曲线,提取特征参数,将有利于ESD加固设计的一次成功;通过对典型TLP测试波形的分析,将TLP试验与器件的大电流响应建立联系;最后对扩散电阻和nMOSFET的TLP典型I-V特性进行了分析,并给出了实际的设计参数。
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关键词
集成电路
传输线脉冲测试
esd
加固设计
下载PDF
职称材料
题名
集成电路ESD设计验证技术
被引量:
2
1
作者
罗宏伟
肖庆中
路香香
石晓峰
机构
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期757-760,共4页
文摘
传输线脉冲(TLP)测试是当前电路设计工程师研究ESD保护器件特性和进行ESD加固设计的有力工具。分析了ESD应力作用下MOSFET的工作原理,指出精确测试保护器件或电路在ESD大电流应力下的I-V特性曲线,提取特征参数,将有利于ESD加固设计的一次成功;通过对典型TLP测试波形的分析,将TLP试验与器件的大电流响应建立联系;最后对扩散电阻和nMOSFET的TLP典型I-V特性进行了分析,并给出了实际的设计参数。
关键词
集成电路
传输线脉冲测试
esd
加固设计
Keywords
Integrated circuit
TLP test
esd robust design
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
集成电路ESD设计验证技术
罗宏伟
肖庆中
路香香
石晓峰
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
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