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Particle-in-cell simulations of EUV-induced hydrogen plasma in the vicinity of a reflective mirror
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作者 张宇强 余新刚 叶宗标 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第8期95-103,共9页
Particle-In-Cell(PIC)simulations were performed in this work to study the dynamics of the EUVinduced hydrogen plasma.The Monte-Carlo Collision(MCC)model was employed to deal with the collisions between charged particl... Particle-In-Cell(PIC)simulations were performed in this work to study the dynamics of the EUVinduced hydrogen plasma.The Monte-Carlo Collision(MCC)model was employed to deal with the collisions between charged particles and background gas molecules.The dynamic evolution of the plasma sheath,as well as the flux and energy distribution of ions impacting on the mirror surface,was discussed.It was found that the emission of secondary electrons under the EUV irradiation on the ruthenium mirror coating creates a positively charged wall and then prevents the ions from impacting on the mirror and therefore changes the flux and energy distribution of ions reaching the mirror.Furthermore,gas pressure has a notable effect on the plasma sheath and the characteristics of the ions impinging on the mirrors.With greater gas pressure,the sheath potential decreases more rapidly.The flux of ions received by the mirror grows approximately linearly and at the same time the energy corresponding to the peak flux decreases slightly.However,the EUV source intensity barely changes the sheath potential,and its influence on the ion impact is mainly limited to the approximate linear increase in ion flux. 展开更多
关键词 LITHOGRAPHY PARTICLE-IN-CELL euv euv-induced plasma PIC-MCC
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面向EUV光源的实验流体力学研究进展
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作者 邓巍巍 翟天琪 +3 位作者 高立豪 许晟昊 赵新彦 刘艳初 《力学进展》 EI CSCD 北大核心 2024年第1期138-172,共35页
EUV(极紫外)光源是EUV光刻机的核心部件,其原理是基于纳秒脉冲激光轰击锡液滴靶产生的等离子体辐射发光.EUV光源本质是一种流体光源,涉及丰富而复杂的流体力学基本问题,跨越从皮秒到毫秒的四个特征时间尺度.本文综述了面向EUV光源的实... EUV(极紫外)光源是EUV光刻机的核心部件,其原理是基于纳秒脉冲激光轰击锡液滴靶产生的等离子体辐射发光.EUV光源本质是一种流体光源,涉及丰富而复杂的流体力学基本问题,跨越从皮秒到毫秒的四个特征时间尺度.本文综述了面向EUV光源的实验流体力学研究进展.首先根据靶的类型,分别介绍了射流、液滴和液膜靶的生成与调控基本原理和技术路线.之后对三种靶与激光相互作用过程的特征时刻与典型现象进行了梳理,重点放在各个特征时间尺度内激光轰击液滴靶的研究进展,总结了不同参数激光脉冲轰击后靶的推进、变形和破碎规律.最后对EUV光源中值得重点关注的实验流体力学关键问题进行了总结和展望,提出改善激光等离子体EUV光源稳定性、亮度和寿命需要从以下三方面持续开展研究:高频率、小直径、长间距液滴靶串的精准生成和调控,激光辐照产生等离子体的膨胀和辐射规律,以及液滴靶变形破碎机理和碎屑抑制、收集及清洁技术. 展开更多
关键词 euv 激光 实验流体力学 等离子体
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Fast source mask co-optimization method for high-NA EUV lithography
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作者 Ziqi Li Lisong Dong +1 位作者 Xu Ma Yayi Wei 《Opto-Electronic Advances》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第4期44-54,共11页
Extreme ultraviolet(EUV)lithography with high numerical aperture(NA)is a future technology to manufacture the integrated circuit in sub-nanometer dimension.Meanwhile,source mask co-optimization(SMO)is an extensively u... Extreme ultraviolet(EUV)lithography with high numerical aperture(NA)is a future technology to manufacture the integrated circuit in sub-nanometer dimension.Meanwhile,source mask co-optimization(SMO)is an extensively used approach for advanced lithography process beyond 28 nm technology node.This work proposes a novel SMO method to improve the image fidelity of high-NA EUV lithography system.A fast high-NA EUV lithography imaging model is established first,which includes the effects of mask three-dimensional structure and anamorphic magnification.Then,this paper develops an efficient SMO method that combines the gradient-based mask optimization algorithm and the compressivesensing-based source optimization algorithm.A mask rule check(MRC)process is further proposed to simplify the optimized mask pattern.Results illustrate that the proposed SMO method can significantly reduce the lithography patterning error,and maintain high computational efficiency. 展开更多
关键词 computational lithography high-NA euv lithography source-mask co-optimization lithography imaging model
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End-to-end computational design for an EUV solar corona multispectral imager with stray light suppression
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作者 Jinming Gao Yue Sun +6 位作者 Yinxu Bian Jilong Peng Qian Yu Cuifang Kuang Xiangzhao Wang Xu Liu Xiangqun Cui 《Astronomical Techniques and Instruments》 CSCD 2024年第1期31-41,共11页
An extreme ultraviolet solar corona multispectral imager can allow direct observation of high temperature coronal plasma,which is related to solar flares,coronal mass ejections and other significant coronal activities... An extreme ultraviolet solar corona multispectral imager can allow direct observation of high temperature coronal plasma,which is related to solar flares,coronal mass ejections and other significant coronal activities.This manuscript proposes a novel end-to-end computational design method for an extreme ultraviolet(EUV)solar corona multispectral imager operating at wavelengths near 100 nm,including a stray light suppression design and computational image recovery.To suppress the strong stray light from the solar disk,an outer opto-mechanical structure is designed to protect the imaging component of the system.Considering the low reflectivity(less than 70%)and strong-scattering(roughness)of existing extreme ultraviolet optical elements,the imaging component comprises only a primary mirror and a curved grating.A Lyot aperture is used to further suppress any residual stray light.Finally,a deep learning computational imaging method is used to correct the individual multi-wavelength images from the original recorded multi-slit data.In results and data,this can achieve a far-field angular resolution below 7",and spectral resolution below 0.05 nm.The field of view is±3 R_(☉)along the multi-slit moving direction,where R☉represents the radius of the solar disk.The ratio of the corona's stray light intensity to the solar center's irradiation intensity is less than 10-6 at the circle of 1.3 R_(☉). 展开更多
关键词 euv solar corona imager Curved grating Stray light suppression Computational multispectral imaging
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ASML回击质疑:High-NA EUV光刻仍是未来最经济选择
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《世界电子元器件》 2024年第2期7-7,共1页
ASML首席财务官Roger Dassen近日接受了荷兰当地媒体Bits&Chips的采访。在采访中,Dassen回应了分析机构Semi Analysis的质疑,表示HighNA(高数值孔径)EUV(极紫外光)光刻机仍是未来最经济的选择。Semi Analysis之前刊发文章,认为High... ASML首席财务官Roger Dassen近日接受了荷兰当地媒体Bits&Chips的采访。在采访中,Dassen回应了分析机构Semi Analysis的质疑,表示HighNA(高数值孔径)EUV(极紫外光)光刻机仍是未来最经济的选择。Semi Analysis之前刊发文章,认为High-NA光刻技术将使用更高的曝光剂量,从而明显降低单位时间内的晶圆吞吐量。这就意味着,相较于沿用现有的0.33NA EUV光刻机并搭配多重曝光,引入High-NA在近期不会带来成本优势。 展开更多
关键词 光刻技术 曝光剂量 光刻机 euv光刻 高数值孔径 多重曝光 成本优势 吞吐量
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ASML回击质疑:High-NA EUV光刻仍是未来最经济选择
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《世界电子元器件》 2024年第2期25-25,共1页
ASML首席财务官Roger Dassen近日接受了荷兰当地媒体Bits&Chips的采访。在采访中,Dassen回应了分析机构Semi Analysis的质疑,表示HighNA(高数值孔径)EUV(极紫外光)光刻机仍是未来最经济的选择。Semi Analysis之前刊发文章,认为High... ASML首席财务官Roger Dassen近日接受了荷兰当地媒体Bits&Chips的采访。在采访中,Dassen回应了分析机构Semi Analysis的质疑,表示HighNA(高数值孔径)EUV(极紫外光)光刻机仍是未来最经济的选择。Semi Analysis之前刊发文章,认为High-NA光刻技术将使用更高的曝光剂量,从而明显降低单位时间内的晶圆吞吐量。这就意味着,相较于沿用现有的0.33NA EUV光刻机并搭配多重曝光,引入High-NA在近期不会带来成本优势。 展开更多
关键词 光刻技术 曝光剂量 光刻机 euv光刻 高数值孔径 多重曝光 成本优势 吞吐量
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太阳活动区EUV图像的生成式模型耀斑分级与预报 被引量:1
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作者 郭大蕾 张振 +1 位作者 朱凌锋 薛炳森 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第1期60-67,共8页
近年来,不断发射的空基观测台持续传送回海量日面图像及日地间气象数据,为采用人工智能技术对太阳活动进行预报预警提供了数据基础。但是,极端天气爆发少,样本量较少;中等程度爆发稍多,样本量较多;常规无爆发天气常见,样本较为集中,样... 近年来,不断发射的空基观测台持续传送回海量日面图像及日地间气象数据,为采用人工智能技术对太阳活动进行预报预警提供了数据基础。但是,极端天气爆发少,样本量较少;中等程度爆发稍多,样本量较多;常规无爆发天气常见,样本较为集中,样本不均衡状况严重影响机器学习方法在空间天气领域的广泛应用。本文面向多源多通道多尺度日面图像信息,构建了来自SOHO和SDO的1996-2015年日面活动区图像数据集;针对数据分布的不平衡,对太阳活动区图像作耀斑分级与预报。在对比分析元学习算法的基础上,设计了结合分类头设计和卷积核初始化的生成式模型;在使网络轻量化的基础上,能够将M和X级耀斑预报的检测率指标相较于普通的深度学习模型和无监督度量式模型分别提升10%和7%。 展开更多
关键词 日面图像 耀斑 分级 生成式模型 人工智能
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At wavelength coherent scatterometry microscope using high-order harmonics for EUV mask inspection 被引量:2
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作者 Yutaka Nagata Tetsuo Harada +2 位作者 Takeo Watanabe Hiroo Kinoshita Katsumi Midorikawa 《International Journal of Extreme Manufacturing》 2019年第3期1-12,共12页
In this review,we describe our research on the development of the 13.5 nm coherent microscope using high-order harmonics for the mask inspection of extreme ultraviolet(EUV)lithography.EUV lithography is a game-changin... In this review,we describe our research on the development of the 13.5 nm coherent microscope using high-order harmonics for the mask inspection of extreme ultraviolet(EUV)lithography.EUV lithography is a game-changing piece of technology for high-volume manufacturing of commercial semiconductors.Many top manufacturers apply EUV technology for fabricating the most critical layers of 7 nm chips.Fabrication and inspection of defect-free masks,however,still remain critical issues in EUV technology.Thus,in our pursuit for a resolution,we have developed the coherent EUV scatterometry microscope(CSM)system with a synchrotron radiation(SR)source to establish the actinic metrology,along with inspection algorithms.The intensity and phase images of patterned EUV masks were reconstructed from diffraction patterns using ptychography algorithms.To expedite the practical application of the CSM,we have also developed a standalone CSM,based on high-order harmonic generation,as an alternative to the SR-CSM.Since the application of a coherent 13.5 nm harmonic enabled the production of a high contrast diffraction pattern,diffraction patterns of sub-100 ns size defects in a 2D periodic pattern mask could be observed.Reconstruction of intensity and phase images from diffraction patterns were also performed for a periodic line-and-space structure,an aperiodic angle edge structure,as well as a cross pattern in an EUV mask. 展开更多
关键词 high-order harmonics coherent euv light euv lithography coherent euv scatterometry microscope synchrotron radiation euv mask inspection
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新型举国体制的历史源流和时代特征——兼论EUV光刻机研发
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作者 曲冠青 《湖南工业大学学报(社会科学版)》 2023年第6期7-14,共8页
新中国成立前,传统中国即存在类似于举国体制的模式;新中国成立后,我国建立起了计划经济基础上的传统举国体制;改革开放后,随着我国经济制度由计划经济向市场经济过渡,我国的举国体制也在不断变化;受外部环境变化的影响,中共十八大后,... 新中国成立前,传统中国即存在类似于举国体制的模式;新中国成立后,我国建立起了计划经济基础上的传统举国体制;改革开放后,随着我国经济制度由计划经济向市场经济过渡,我国的举国体制也在不断变化;受外部环境变化的影响,中共十八大后,新型举国体制走向新时代前台,并成为解决“卡脖子”问题的重要路径之一。在新的历史条件下,如何健全新型举国机制,最新一代EUV光刻机双层协同研发模式的成功,能够提供有益的参考。 展开更多
关键词 新型举国体制 历史源流 时代特征 euv光刻机
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NA值不断攀升 下一代EUV光刻机什么样
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作者 张平(编译) 《微型计算机》 2023年第12期80-84,共5页
光刻机系统(后文简称“光刻机”)是半导体制造过程中最重要的设备之一,主要分为EUV和DUV。近两年,EUV光刻机在台积电、三星、英特尔等各大半导体企业中开始广泛使用。那么,EUV光刻机目前的发展和应用情况如何?今后将有哪些变化?本文会... 光刻机系统(后文简称“光刻机”)是半导体制造过程中最重要的设备之一,主要分为EUV和DUV。近两年,EUV光刻机在台积电、三星、英特尔等各大半导体企业中开始广泛使用。那么,EUV光刻机目前的发展和应用情况如何?今后将有哪些变化?本文会带你了解这些内容。 展开更多
关键词 半导体制造 光刻机 半导体企业 euv光刻 英特尔 三星 下一代
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EUV光刻工艺全球专利发展态势研究 被引量:2
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作者 王丹 车晓璐 《中国发明与专利》 2016年第9期54-59,共6页
EUV光刻正在成为引领集成电路光刻技术发展的最具潜力的技术。本文围绕EUV光刻工艺技术领域的专利申请发展趋势、区域分布、主要申请人以及重点技术等几个方面对其全球专利申请的发展态势和布局情况进行研究,以期对政府决策和企业发展... EUV光刻正在成为引领集成电路光刻技术发展的最具潜力的技术。本文围绕EUV光刻工艺技术领域的专利申请发展趋势、区域分布、主要申请人以及重点技术等几个方面对其全球专利申请的发展态势和布局情况进行研究,以期对政府决策和企业发展战略的制定提供参考和帮助。 展开更多
关键词 euv euvL 极紫外 极紫光 光刻 微影
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MAPDST单体在EUV光刻胶制备过程中的应用
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作者 李元壮 姜靖逸 肖国民 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第S02期32-37,共6页
极紫外(EUV)光刻胶的研发作为适配未来光刻技术的发展方向,现已成为超高精度集成电路制造的最高效工艺技术。其中,(4-(甲基丙烯酰氧基)苯基)二甲基锍三氟甲磺酸盐(MAPDST)作为一种含辐射敏感锍基功能的关键单体,现已广泛应用于极紫外(E... 极紫外(EUV)光刻胶的研发作为适配未来光刻技术的发展方向,现已成为超高精度集成电路制造的最高效工艺技术。其中,(4-(甲基丙烯酰氧基)苯基)二甲基锍三氟甲磺酸盐(MAPDST)作为一种含辐射敏感锍基功能的关键单体,现已广泛应用于极紫外(EUV)光刻胶的研发生产过程中。首先,简要阐述在制约光刻胶性能提升过程中存在的分辨率(R)、线边缘粗糙度(LER)、曝光灵敏度(S)之间的平衡制约关系,即RLS平衡制约关系;随后,对MAPDST单体的优越性能以及在推动光刻胶朝着高分辨率方向发展的应用现状进行综述;最后,对EUV光刻胶材料及MAPDST单体的未来发展做出展望。 展开更多
关键词 极紫外光刻技术 极紫外光刻胶 (4-(甲基丙烯酰氧基)苯基)二甲基锍三氟甲磺酸盐单体 RLS平衡制约关系 二次电子
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激光等离子体和气体放电EUV光刻光源 被引量:7
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作者 程元丽 李思宁 王骐 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期561-564,共4页
对激光等离子体和气体放电两种EUV光刻光源的发展状况进行了详细介绍 ,分析了各种激光条件和放电方式的特点及所面临的主要问题 ,对各种方案的特点、技术参数进行了对比。气体放电装置较高能激光装置结构简单、价格低 ,故气体放电EUV光... 对激光等离子体和气体放电两种EUV光刻光源的发展状况进行了详细介绍 ,分析了各种激光条件和放电方式的特点及所面临的主要问题 ,对各种方案的特点、技术参数进行了对比。气体放电装置较高能激光装置结构简单、价格低 ,故气体放电EUV光源日益受到重视。 展开更多
关键词 极紫外光刻 euv光刻光源 激光等离子体 气体放电
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太阳X-EUV成像望远镜 被引量:20
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作者 李保权 朱光武 +11 位作者 王世金 林华安 彭吉龙 刘杰 韦飞 孔令高 陈波 巩研 邵景洪 马长生 唐玉华 邱科平 《地球物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期235-242,共8页
太阳X_EUV成像望远镜用来监测和预报影响空间天气变化的太阳活动,专门服务于空间天气预报研究.望远镜工作在4~10 0 的X射线波段和195 极紫外谱段,视场角4 5′,角度分辨5″,提供全日面、高分辨的成像观测.文中分析了太阳X、EUV波段的... 太阳X_EUV成像望远镜用来监测和预报影响空间天气变化的太阳活动,专门服务于空间天气预报研究.望远镜工作在4~10 0 的X射线波段和195 极紫外谱段,视场角4 5′,角度分辨5″,提供全日面、高分辨的成像观测.文中分析了太阳X、EUV波段的成像观测应用,介绍了X_EUV望远镜的基本设计,分析了望远镜对不同温度日冕等离子体的敏感性、对不同太阳活动现象的响应及反演日冕等离子体参数过滤片的组合利用.太阳X_EUV成像望远镜集成了掠入射望远镜和正入射望远镜两套系统,扩展了单一X射线望远镜的成像功能,能够观测更多的太阳爆发先兆现象或者伴生现象,是目前国际上同类仪器中最新的太阳成像监测仪器. 展开更多
关键词 空间天气预报 太阳活动监测 太阳X—euv成像望远镜
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下一代光刻技术的EUV光源收集系统的发展 被引量:1
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作者 左保军 祝东远 +1 位作者 张树青 李润顺 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1163-1167,共5页
当前半导体器件加工水平正在向22 nm方向发展,而最有希望实现这一尺寸的光刻技术即为EUV光刻技术。EUV光源所发出的13.5 nm辐射因为波长极短,物质对其吸收十分强烈,所以使采用透射式光学系统对辐射进行收集的可能几乎为零。如何高效地收... 当前半导体器件加工水平正在向22 nm方向发展,而最有希望实现这一尺寸的光刻技术即为EUV光刻技术。EUV光源所发出的13.5 nm辐射因为波长极短,物质对其吸收十分强烈,所以使采用透射式光学系统对辐射进行收集的可能几乎为零。如何高效地收集EUV光源发出的辐射能成为了EUV光刻技术中的一大难题。本文主要介绍了国外在EUV光源收集系统方面的发展现状,描述了两大类EUV光源收集系统(垂直入射式和掠入射式)的一些设计形式和设计实例,并对各种设计形式的EUV收集系统进行了分析和比较。还重点介绍了目前被普遍看好的内嵌式掠入射WolterⅠ型收集系统的设计与加工等情况。 展开更多
关键词 光刻 euv 垂直入射式 掠入射式 收集效率 内嵌式 WolterⅠ型
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EUV波段CCD相机及其空间分辨率测试 被引量:1
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作者 巩岩 宋谦 叶彬浔 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期56-59,共4页
研究了EUV波段CCD相机及其空间分辨率测试。EUV波段相机由荧光屏、MCP像管、光锥和可见光CCD构成,CCD像元大小为14μm,像元数2 048×2 048。在北京同步辐射装置光束线软X射线光学实验束线站3W1B上,利用透射网栅法对相机进行了空间... 研究了EUV波段CCD相机及其空间分辨率测试。EUV波段相机由荧光屏、MCP像管、光锥和可见光CCD构成,CCD像元大小为14μm,像元数2 048×2 048。在北京同步辐射装置光束线软X射线光学实验束线站3W1B上,利用透射网栅法对相机进行了空间分辨率测试,结果显示这种结构的CCD相机在17.1 nm波长处,空间分辨率达到19μm,相当于极限分辨率为26 lp/mm。 展开更多
关键词 euv MCP CCD 空间分辨率
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EUV光刻胶专利分析及技术热点综述 被引量:6
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作者 冯刚 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2019年第7期11-16,18,共7页
分析了全球EUV光刻胶领域专利申请态势、主要申请人和技术分布,重点介绍了基体树脂和光产酸剂结构改进方面的技术热点,并展示了有价值的专利技术信息。
关键词 euv光刻胶 专利分析 技术热点
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EMV和EUV理论在投资风险决策中的应用 被引量:1
18
作者 欧阳永保 《三峡大学学报(自然科学版)》 CAS 2006年第5期451-453,共3页
期望货币值(EMV)客观分析几种情况出现的收益或亏损值及可能出现的概率;计算期望值(EUV)进行方案决策,但是它没能体现投资者(决策人)的价值观、偏好、经济承受能力.期望效用值准则是决策者在确定环境下对每个方案的隐含价值或偏好的一... 期望货币值(EMV)客观分析几种情况出现的收益或亏损值及可能出现的概率;计算期望值(EUV)进行方案决策,但是它没能体现投资者(决策人)的价值观、偏好、经济承受能力.期望效用值准则是决策者在确定环境下对每个方案的隐含价值或偏好的一种量度,正好补充了期望货币值的不足,两者结合能够取长补短,达到更符合实际的决策方案. 展开更多
关键词 期望货币值(EMV) 期望效用值(euv) 投资风险决策
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Spectral Analysis in EUV Range for Study of Core Impurity Behavior in HL-2A 被引量:1
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作者 周航宇 崔正英 +8 位作者 森田繁 傅炳忠 後藤基志 孙平 冯北滨 崔学武 卢平 杨青巍 段旭如 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第2期89-92,共4页
Extreme ultraviolet (EUV) spectroscopy has been developed for impurity diagnostics in HL-2A tokamak. The EUV spectrometer consists of an entrance slit, a holographic varied-line- space (VLS) grating, a back-illumi... Extreme ultraviolet (EUV) spectroscopy has been developed for impurity diagnostics in HL-2A tokamak. The EUV spectrometer consists of an entrance slit, a holographic varied-line- space (VLS) grating, a back-illuminated charge-coupled device (CCD) and a laser light source for optical alignment. Spectral lines in wavelength region of 20-500 A observed from HL-2A plasmas were analyzed to study the impurity behavior. Spectral and temporal resolutions used for the analysis were 0.19A at CV (2×33.73 ,h,) and 6 ms, respectively. It was found that carbon, oxygen and iron impurities were usually dominant in the HL-2A plasma. They almost disappeared when the siliconization was carried out. Although the EUV spectra were entirely replaced by the silicon emissions just after the siliconization, the emissions were considerably decreased with accumulation of discharges. Aluminum and neon were externally introduced into the HL-2A plasma based on laser blow-off (LBO) and supersonic molecular beam injection (SMBI) techniques for a trial of the impurity transport study, respectively. The preliminary result is presented for time behavior of EUV spectral lines. 展开更多
关键词 euv spectroscopy euv spectra LBO SMBI
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Line identification of extreme ultraviolet (EUV) spectra from low-Z impurity ions in EAST tokamak plasmas 被引量:1
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作者 Lei LI Ling ZHANG +15 位作者 Zong XU Shigeru MORITA Yunxin CHENG Fengling ZHANG Wenmin ZHANG Yanmin DUAN Qing ZANG Shouxin WANG Shuyu DAI Guizhong ZUO Zhen SUN Liang WANG Xiaobin DING Jinping QIAN Haiqing LIU Liqun HU 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第7期15-30,共16页
Extreme ultraviolet(EUV) spectra emitted from low-Z impurity ions in the wavelength range of10–500Å were observed in Experimental Advanced Superconducting Tokamak(EAST)discharges. Several spectral lines from K-a... Extreme ultraviolet(EUV) spectra emitted from low-Z impurity ions in the wavelength range of10–500Å were observed in Experimental Advanced Superconducting Tokamak(EAST)discharges. Several spectral lines from K-and L-shell partially ionized ions were successfully observed with sufficient spectral intensities and resolutions for helium, lithium, boron, carbon,oxygen, neon, silicon and argon using two fast-time-response EUV spectrometers of which the spectral intensities are absolutely calibrated based on the intensity comparison method between visible and EUV bremsstrahlung continua. The wavelength is carefully calibrated using wellknown spectra. The lithium, boron and silicon are individually introduced for the wall coating of the EAST vacuum vessel to suppress mainly the hydrogen and oxygen influxes from the vacuum wall, while the carbon and oxygen intrinsically exist in the plasma. The helium is frequently used as the working gas as well as the deuterium. The neon and argon are also often used for the radiation cooling of edge plasma to reduce the heat flux onto the divertor plate. The measured spectra were analyzed mainly based on the database of National Institute of Standards and Technology. As a result, spectral lines of He Ⅱ, Li Ⅱ–Ⅲ, B Ⅳ–Ⅴ, C Ⅲ–Ⅵ, O Ⅲ–Ⅷ, Ne Ⅱ–Ⅹ,Si Ⅴ–Ⅻ, and Ar Ⅹ–XVI are identified in EAST plasmas of which the central electron temperature and chord-averaged electron density range in Te0=0.6–2.8 keV and ne=(0.5–6.0)×1019 m-3, respectively. The wavelengths and transitions of EUV lines identified here are summarized and listed in a table for each impurity species as the database for EUV spectroscopy using fusion plasmas. 展开更多
关键词 line identification euv spectroscopy euv spectra impurity line emissions tokamak plasmas
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