抑制晶体管有源寄生效应研究

利用基尔霍夫电流定律修正双极晶体管的EM(Ebers-Moll,EM)模型,使得它适合描述4层结构的数字集成晶体管.利用数学软件MathCAD,对获取的EM模型数据作无近似处理.通过观察流经各个PN结的电流变化,可以研究数字晶体管在不同工作状态下寄生晶体管的效应.从而作为改善高集成情况下寄生效应的理论依据.

Matlab在双极型晶体管特性曲线讲授中的应用

双极型晶体管的特性曲线是讲授双极型晶体管原理时的重要内容，现有教材给出的特性曲线都是含有一个参变量的二维图形，本文介绍了双极型晶体管的Ebers-moll模型及其特性曲线，在此基础上，利用MATLAB仿真技术实现了双极型晶体管特性曲线三维图形绘制，与二维图形相比更为直观，便于学生对双极型晶体管特性曲线的理解和掌握。

亚微米级BJT的共基极、共发射极特性分析

文章借助Matlab工具对超大规模集成电路(VLSIC)中小尺寸双极型晶体管(BJT)的共基极接法、共发射极接法的输入、输出特性进行了数值分析与计算。通过模拟与分析得出:在VLSIC中,BJT在共基极接法和共发射极接法中,共基极接法的输入特性和共发射极接法的输出特性在理想模型近似与实际模型近似的分析结果偏差很大,但共基极接法的输出特性和共发射极接法的输入特性在理想模型近似与实际模型近似的分析结果基本一致。

用改进的EM模型研究数字集成晶体管中的寄生晶体管效应

利用基尔霍夫电流定律修改双极晶体管的EM (Ebers Moll)模型 ,使得它适合描述 4层结构的数字集成晶体管 .这样通过流经各个PN结的电流的变化 ,可以研究数字集成晶体管在不同工作状态下寄生晶体管的效应 .

关于三极管放大区和饱和区的工程划分

通过短路埃伯尔斯-莫尔模型对双极型晶体管的放大工作状态和饱和工作状态进行了分析,按照所分析的结论,通过实例说明在发射结正偏、集电结也正偏(但偏置电压较小)时,双极型晶体管仍处于放大状态。

贮存电荷对非线性逻辑门开关通断速度的影响

从Ebers－Moll方程组出发，建立在矩形脉冲激励下的BJT反相器的非线性耦合微分方程．介绍了MATH程序语言在求解逻辑门开关电路的非线性耦合微分方程中的具体应用.说明中性区和空间电荷层内贮存电荷对逻辑门开关速度的影响．