浮栅和高压栅极共掺在EEPROM中的应用研究

为简化电可擦除可编程只读存储器(Electrically-erasable programmable read-only memory, EEPROM)的制造工艺以及减少等离子体对隧道氧化层的损害,重点分析了将浮栅多晶硅和高压器件的栅极共同掺杂对存储器件和高压器件的影响,包括不同掺杂浓度下EEPROM存储单元的擦写速度、读取电流、可靠性以及高压晶体管的电学特性等相关分析,探讨优良器件特性的最优掺杂浓度设计方法,为器件性能优化以及工艺改进提供参考。

提高EEPROM擦写次数耐久力的工艺分析

阐述基于器件工艺特性,提高EEPROM擦写次数耐久力的一种方法,采用控制掺杂氯的比例提高浮栅氧化层(隧穿氧化层)的质量,尤其是两侧的质量,并利用快速热退火技术修复氧化层缺陷,进一步提高氧化层质量。

应用于低频无源RFID的低成本2 kbit EEPROM

基于350 nm 2-poly 3-metal EEPROM工艺,设计了一种应用于低频无源RFID的低成本2 kbit EEPROM存储器。在保证存储容量能满足大多数使用场景的情况下,通过优化Dickson电荷泵和读出电路的结构,实现电路版图面积的最小化,从而对整体电路实现低成本设计。优化后的Dickson电荷泵能实现10μs内从3.3 V到16 V的稳定升压,且功耗为334μW;读出电路基于检测NCG器件阈值电压的方式实现存储逻辑值的判别,该方法不需要能提供高精度电流的基准电路和具有高增益的灵敏放大器,有效降低了整体电路的面积。低成本2 kbit EEPROM的工作电压为3.3 V,能实现32位并行输入和1位串行输出,芯片总面积仅为0.14 mm^(2),有效降低了低频无源RFID设计复杂度和制造成本。

一种应用于EEPROM的快速升压电荷泵设计

设计了一种能快速升压的片上电荷泵电路。当电荷泵用于为EEPROM存储单元提供擦除及写入操作需要的高压时,其升压速度是重要的设计指标之一。研究发现,使用NPN晶体管代替传统Dickson电荷泵中的NMOS管组成升压链路后,能够提高电荷泵的升压速度和输出电压,且NPN晶体管能够用三阱CMOS工艺制作,不需要更复杂的BiCMOS工艺。基于0.18μm三阱CMOS工艺设计了电荷泵系统,包括时钟产生电路和12级采用NPN晶体管的Dickson电荷泵,其中时钟产生电路产生的两相不交叠时钟用于驱动电荷泵,避免电荷在泵电容间反向流通,同时增加预充管进一步提高升压速度。仿真结果显示,在5 V电源电压下,电荷泵的输出电压仅需2.06μs就能达到16 V,比传统的12级Dickson电荷泵快了2.51μs,实现了快速升压的目的。

DSP与同步串行EEPROM 93LC56B的接口研究

为了查明同步串行EEPROM芯片93LC56B是否适配DSP芯片TMS320F2812的SPI接口,分析了93LC56B的关键接口时序特性,设计电路将TMS320F2812和93LC56B的SPI引脚连接在FPGA的I/O引脚上,通过ChipScope抓取两个芯片的SPI接口数据,确定了TMS320F2812的SPI接口适配93LC56B时需要的寄存器参数和读写子程序,并发现了单次读取时数据最高位无效的应用限制。

EEPROM存储数据耗时问题探究分析

某嵌入式压力处理传感器软件在EEPROM存储器存储故障字过程中耗时太久,不符合所要求的30%时间余量。因此,不能在规定的时间内进行故障字存储操作。即故障字存储耗时过久导致时间余量达不到要求。针对这一问题,通过对存储芯片本身特性的分析,结合存储器本身特性,设计了一种加快存储器存储方法,提高存取时间,满足余量的要求。实验结果证明,该方法的准确率和效率,均达到了预期目标。

复旦微电推出NAND Flash及EEPROM存储器新品

上海复旦微电子集团股份有限公司推出FM25/FM29系列SLC NAND,FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超宽压系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。FM25/FM29系列产品基于28 nm先进NAND flash工艺,满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求,应用于工规、5G通信、车载等相关领域。

适用于EEPROM的宽工作条件LDO设计

设计了一种适用于EEPROM的LDO电路。该电路在电源电压为2.3~5.7 V、工作温度为-60~135℃时可获得稳定的1.8 V输出电压,为EEPROM单元读取操作提供所需栅电压。采用国内0.18μm商用工艺,版图尺寸为480μm×100μm。给出了Hspice仿真环境下的仿真结果。

EEPROM和SRAM瞬时剂量率效应比较

对一种256 kb EEPROM电路AT28C256和一种256 kb SRAM电路HM62256开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的闩锁效应、翻转效应等。HM62256的翻转阈值为9.0×106 Gy(Si)/s,闩锁阈值高于5.4×107 Gy(Si)/s。AT28C256的闩锁阈值为2×107 Gy(Si)/s,存储单元翻转阈值高于3.0×108 Gy(Si)/s。对于SRAM,其翻转阈值远低于闩锁阈值;而对于EEPROM,在瞬时辐照下,闩锁阈值远低于存储单元的翻转阈值。基于两种存储器的数据存储原理,分析了SRAM和EEPROM瞬时剂量率效应差异的原因。

FLOTOX结构的EEPROM可靠性研究

分析了影响FLOTOXEEPROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口的退化,电荷保持特性的退化以及与时间有关的氧化层击穿等.FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关.隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOXEEPROM性能退化的主要原因.实验证实氧化层中的陷阱电荷对FLOTOXEEPROM性能的退化起主要作用.

EEPROM 28C64和28C256的14MeV中子辐照特性

给出了 Ｅ Ｅ Ｐ Ｒ Ｏ Ｍ 器件的中子辐照实验结果，发现 ２８ Ｃ６４ 和 ２８ Ｃ２５６ 的 １４ Ｍ ｅ Ｖ 中子辐照效应不是以往所认为的单粒子效应，而是总剂量效应。器件出现的错误不是随机的，而是存在中子注量阈值；不同的错误有不同的阈值。在相同的中子注量下，加电的器件出现错误，而不加电的器件无错误；对于 ２８ Ｃ２５６，“０”→“１”错误比“１”→“０”错误容易发生；存贮单元由一种状态彻底变为相反状态之前的一段时间内，其状态是不确定的；停止辐照后，中子注量不再增加时，错误数仍在增加，说明是控制部件出错导致的。

一种40 ns 16 kb EEPROM的设计与实现

基于0.35μmCMOS工艺,设计并实现了一个3.3V16kbEEPROM存储器。该电路采用2k×8的并行结构体系。通过优化设计灵敏放大器、位线译码和字线充放电等电路,加快了读取速度,典型值仅40ns;通过编程模式和编程电路的设计,提高了编程速度,页编程时间为2ms,等效于每字节62ms。重点研究了片上高压产生电路,提出了一种在不增加工艺难度和设计复杂度的情况下提供良好性能的电荷泵电路。电路的单元面积为11.27μm2,芯片尺寸约1.5mm2。

一种应用于EEPROM的片上电荷泵电路设计

设计了一种应用于EEPROM的片内电荷泵电路系统。该电路基于Dickson电荷泵结构,通过使用稳定的参考电压驱动压控振荡电路,从而产生了占空比小于50%的精确时钟,提高了电荷泵升压速度;通过使用调压电路,限制并稳定了输出电压。HSPICE仿真结果显示:在5 V电源电压下,时钟频率高达2.085 MHz。电荷泵仅需要56.256μs就可以输出15.962 V的高压。电荷泵的电压上升时间快,性能优越。

An Ultra-Low-Power Embedded EEPROM for Passive RFID Tags

An ultra-low-power,256-bit EEPROM is designed and implemented in a Chartered 0.35μm EEPROM process. The read state power consumption is optimized using a new sense amplifier structure and an optimized control circuit. Block programming/erasing is achieved using an improved control circuit. An on silicon program/erase/read access time measurement design is given. For a power supply voltage of 1.8V,an average power consumption of 68 and 0.6μA for the program/erase and read operations,respectively,can be achieved at 640kHz.

基于海明编码的EEPROM数据存取功能的实现

针对工业现场对大容量数据存储空间及数据高可靠性的要求,基于单片机的IIC接口,设计了硬件电路和软件读写程序,实现了利用8片24LC512扩展单片机外部EEPROM存储空间的目的。并结合海明码的纠错能力,对数据先编码存储、后解码读取以提高数据的可靠性。现场应用验证,此设计可以实现4 Mbit空间数据的存取,数据准确可靠。

深亚微米工艺EEPROM单元加固设计及辐照性能

当普通EEPROM单元在太空中应用时,会受到辐照效应的影响,导致单元可靠性降低,寿命缩短,为此,基于0.18μm工艺,设计出一种新型抗辐照EEPROM单元.新单元采用环形栅和场区隔离管加固结构.加固后,单元面积为9.56μm2,抗总剂量效应能力大于1 500 Gy,抗辐照能力明显优于普通结构.为明确失效机制,基于新单元结构在辐照条件下的阈值退化曲线,分析了辐照效应对存储单元的影响,并与普通单元的辐照效应相比较.结果表明:总剂量效应引起的边缘寄生管源/漏端漏电及场氧下漏电是深亚微米工艺EEPROM失效的主要机制.新单元针对失效机制的加固设计,提高了抗辐照能力和可靠性.该设计为满足太空应用中抗辐照存储器的需要,提供了良好的基础.

基于I^2C总线的EEPROM在智能电器中的应用

I2C串行总线是近几年来微处理器领域出现的新技术。由于具有诸多优点,I2C串行总线应用越来越广泛。在介绍了具有I2C总线接口的EEPROM 24LC32特点的基础上,阐述了其I2C总线操作规程、工作原理,包括I2C总线上设备的选择、数据的随机读取和当前地址读取、数据的字节模式写入和页模式写入,给出了24LC32与单片机80C196的接口方式及在智能型热过载继电器中的应用。

采用EEPROM对大容量FPGA芯片数据实现串行加载

通过对比多种FPGA数据加载方式，从可靠性、经济性及PCB设计等几个方面说明了串行加载的优越性，分析了目前串行加载所面临的问题。为解决串行加载新面临的问题，提出了采用EEPROM与9500系列CPLD相结合实现串行加载的构想，并通过实际设计，成功地实现了该构想。

扩展的海明码及其在FLASH/EEPROM中的应用

FLASH/EEPROM是一种广泛用于汽车、家用电器的存储器,但存储的数据会因震荡、噪声、遇磁等发生错误。为了提供错误监测/校验功能,须对其存储的数据进行编码。海明码是一种错误校验码。扩展海明码是在海明码的基础上,新增一个监控位15,成为具有5个监控位的扩展海明码。它能对32位的数据进行编码,并对编码过的数据进行监测和校验,可以检查出2位错,并对仅有1位错的情况进行纠正。该算法可以对FLASH/EEPROM中存放的数据进行编码/校验/纠错,取得要求的效果。