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8位600MS/s CMOS超高速并行模数转换器的仿真分析与设计
1
作者
陈英涛
戴宏
唐翰犀
《云南大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期267-272,279,共7页
描述了一个高速并行(Flash ADC)模数转换器的仿真分析与设计.该模数转换器运用反相器阈值电压量化技术(Threshold Inverter Quantization,TIQ)进行设计,使得使用普通CMOS数字工艺也可获得很高的采样速度.在文中,一个使用TSMC0.25μm工艺...
描述了一个高速并行(Flash ADC)模数转换器的仿真分析与设计.该模数转换器运用反相器阈值电压量化技术(Threshold Inverter Quantization,TIQ)进行设计,使得使用普通CMOS数字工艺也可获得很高的采样速度.在文中,一个使用TSMC0.25μm工艺的8位TIQ CMOS并行模数转换器被设计出来并加以仿真分析.该模数转换器采样速度可达600MS/s,工作电压为2.5V时功耗约为154.506mW,占用的面积约为0.2mm2.特别适用于高速低电压SoC电路的设计.
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关键词
超高速并行模数转换器
反相器阈值电压量化
强型系统尺寸变化法
原文传递
题名
8位600MS/s CMOS超高速并行模数转换器的仿真分析与设计
1
作者
陈英涛
戴宏
唐翰犀
机构
云南大学物理系
出处
《云南大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期267-272,279,共7页
基金
云南大学理(工)科校级科研项目资助(KL070023)
云南省应用基础研究面上项目资助(2009CD013)
文摘
描述了一个高速并行(Flash ADC)模数转换器的仿真分析与设计.该模数转换器运用反相器阈值电压量化技术(Threshold Inverter Quantization,TIQ)进行设计,使得使用普通CMOS数字工艺也可获得很高的采样速度.在文中,一个使用TSMC0.25μm工艺的8位TIQ CMOS并行模数转换器被设计出来并加以仿真分析.该模数转换器采样速度可达600MS/s,工作电压为2.5V时功耗约为154.506mW,占用的面积约为0.2mm2.特别适用于高速低电压SoC电路的设计.
关键词
超高速并行模数转换器
反相器阈值电压量化
强型系统尺寸变化法
Keywords
ultrafast flash A/D converter
Thrashold Inverter Quantization（TIQ）
enhanced systematic size variation technique（essv）
分类号
TP302 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
8位600MS/s CMOS超高速并行模数转换器的仿真分析与设计
陈英涛
戴宏
唐翰犀
《云南大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
原文传递
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参考文献
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