低压静电场对大肠杆菌生长过程的影响

目的:研究不同强度低压静电场对大肠杆菌 (E.coli)生长过程的影响．方法:将3 V和24 V两种不同强度低压静电场施加于培养大肠杆菌的大试管(Φ= 30 mm),测量大肠杆菌生长过程中的吸光度 A540nm及菌落数,并对24 V静电场作用下8 h 的大肠杆菌进行扫描电镜(SEM)观察,对比其与对照管的茵体形态变化特征．结果:大肠杆菌的生长在培养前期受到了明显的抑制．3 V和24 V静电场作用下大肠杆菌进入稳定生长期的时间分别提前了2 h和4 h, 当第1个稳定生长期持续6-8 h后出现第2次生长,即出现“生长修复”．且在试验条件下,外加静电场越强,修复速度就越慢．扫描电镜分析发现了试验条件下大肠杆菌茵体形态出现了一定的变异,进一步说明了外加低压静电场对大肠杆菌生长存在一定程度的影响作用．结论:外加低压静电场对大肠杆菌生长存在一定的抑制作用．

静磁场对大肠杆菌生长过程的作用机制研究

通过对在外加静磁场和正常情况下培养大肠杆菌生长情况的对比分析 ,发现试验条件下所选磁场对大肠杆菌有明显促进生长的作用 ,菌落计数结果表明磁场越强作用效果越明显。