SiC BMFET开关特性的仿真研究

研究了不同栅电流和负载类型的沟槽注入结构SiC BMFET的开关特性。仿真结果表明,栅区注入的少子集中分布在沟道区域,可以有效提升沟道区域的电导率,也有利于器件的快速开关。当栅电流为10A/cm^2时,器件的开态电阻比单极模式下降低了近30%,开关时间为1.76μs。当负载含电感时,与单极模式相比,双极模式下的开关时间并未明显延长,但电流和电压过冲小得多。

一种GaN FET开关用高压高速驱动器的设计与实现

设计了一种GaN场效应晶体管(FET)开关用高压高速驱动器电路,该电路集成了TTL输入级、高压电平转换级及大功率输出级电路,其主要功能是对输入的TTL信号进行电平转换,输出0 V/负高压信号。输入级采用施密特结构实现输入兼容TTL信号的同时提高了输入噪声容限,电平转换级、输出级对传统电路结构做了改进,转换速度更快,功耗更低。该电路采用标准硅基高压CMOS工艺制造流片,芯片测试结果表明,负电源工作电压为-5^-40 V,静态电流小于10μA,动态电流为5 m A@10 MHz,传输延时小于20 ns。芯片尺寸为1.42 mm×1.83 mm。该电路具有响应速度快、功耗低以及抗噪声能力强等特点,可广泛应用于微波通信系统中。

射频开关及其在通信系统中的应用

主要针对无线通信系统中的身频电子开关进行分类讨论。总结了射频开关的带宽、插入损耗、隔离度、功率容量、开关速度、VSWR、功耗、使用寿命和尺寸等主要性能指标。讨论了铁氧体/机械开关、固态开关(PIN开关和 FET开关)和MEMS开关的工作机理、各项技术指标以及优缺点。列表比较了各类开关。简述了开关矩阵在未来无线通信系统阵列天线中的作用及应用。最后,指出了射频开关的发展方向和动态。

S频段pHEMT双通道低噪声放大器芯片的设计

采用GaAs 0.13μmp HEMT MMIC流片工艺设计和制作了一种S频段双通道低噪声放大器芯片,芯片内部集成了两个低噪声放大器通道、一级单刀双掷(SPDT)开关和一个晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平转换电路。低噪声放大器电路采用一级共源共栅场效应管(Cascode FET)结构实现,使其具有比单管更高的增益,简化了芯片拓扑,降低了芯片设计难度。经流片测试,在1.9~2.1GHz的工作频带内,芯片噪声系数优于1.4dB,增益大于22.5dB,输入驻波优于1.8,输出驻波优于1.4,输出1dB压缩点(P1dB)为10dBm。大量芯片样本在片测试统计数据表明该低噪声放大器成品率大于90%,性能指标优于目前同类商业芯片指标。

稀土永磁无刷直流电动机控制线路的设计

用 VDMOS场效应晶体管作为开关元件 ,设计了稀土永磁无刷直流电机的电子控制线路 ,主要包括 :功率开关主回路 ,功率驱动回路 ,吸收回路 ,逻辑控制电路。并配以样机进行实验 ,电子控制线路均能可靠、正常地进行工作 ,实验数据表明 ,电机均能满足各项性能。

VIPer50/50A单片开关电源的原理与应用电路设计

介绍了VIPer5 0 5 0A单片开关电源芯片的主要性能特点和基本工作原理 ,对典型应用电路进行了重点分析 。

一种对高速脉冲边沿整形、调整的设计方案

随着高速脉冲的广泛应用,作为决定脉冲质量的重要参数,脉冲上升、下降时间也越来越受到重视。针对高速脉冲发生中对脉冲边沿陡峭、可控的要求,本文提出了一种使用隧道二极管对脉冲边沿整形,利用场效应管开关和恒流源充放电电路控制脉冲边沿时间的方案,并对其电路和隧道二极管的工作原理进行了具体分析。从试验结果看,该方案能将脉冲的边沿时间整形至800ps左右,同时实现边沿时间的可控调整。

FA5310开关电源控制IC及其应用

介绍了 FA5 31 0开关电源控制 IC的性能、特点及工作原理 。

应用于DBS移动接收中的5位数字移相器——低成本、Ku波段

提出了一种应用于DBS移动接收中的5位数字移相器的设计方案,并通过实验验证了其实际性能。该移相器采用加载线型和反射型移相原理,首先应用ADS软件进行设计仿真;仿真结果显示该移相器具有频带内高移相精度、低插入损耗和低VSWR等性能,符合设计要求。最后使用Agilent矢量网络分析仪对实物进行测试,进而验证了设计方案的正确性。

新型矿用架线电机车用直流电源变换器

介绍了用场效应和 IGBT管作功率控制器件的矿用直流电源变换器的用途、工作原理、技术数据、使用方法 ,也介绍了脉冲宽度调制集成控制电路和半桥式变换器电路以及过流和短路保护的工作原理和电路。

一种高速可靠的VDMOS高位开关电路

VDMOS场效应功率晶体管具有双极型和一般MOS器件的优点。但这种器件作为高速高位开关电路应用时 ,由于驱动电压发生电路的设计中存在某些因素会影响整个开关电路的性能和整个电路的体积、重量和价格。针对这些影响因素 ,设计了一个VDMOS高速高位开位电路。该电路具有开关速度高 ,体积小 ,重量轻、价格廉等优点。该电路经过实际应用 。

一种开关电容带隙基准电压源

设计了一款高精度、低线性调整率的开关电容带隙基准电压源。分析了NMOS开关高温漏电流对基准输出电压精度的影响,提出了一种高温漏电补偿电路。偏置电路采用多个共源共栅结构的电流镜,增大了从电源到输出的阻抗,降低了基准电压的线性调整率。利用虚拟管抵消了开关关断时带来的沟道电荷注入效应和时钟馈通效应,提高了基准输出电压的精度。该电路基于0.35μm CMOS工艺设计,仿真结果表明,基准源能稳定输出1.1 V电压,建立时间为5.9μs;在-55~125℃,温度系数为1.38×10-5/℃;27℃下,在2.7~5 V电源电压范围内,线性调整率为0.9 mV/V;电路总静态电流为35.1μA。

一种300kHz高频开关电源

本文介绍一种MOS FET 300 kHz高频开关电源,对电源频率提高所产生的问题做了分析并提出了解决的办法。

汽车用计算机(MCS-51)系统开关电源

论述了车用MS-51系列单片机系统中开关电源的设计。主要采用了美国MAXIM公司生产的MAX744AC芯片稍加扩展,作为汽车用计算机开关型稳压电源。与其他参数型稳压源、串联反馈调整型稳压源相比较,具有功耗小、效率高,体积小、重量轻,稳压范围宽等特点。

基于场效应管开关阵列的GEM探测器读出方式

为实现探测器信号成像要求,研究一种气体电子倍增膜(gas electron multiplier,GEM)探测器的读出方法。采用印刷电路技术,将读出电极盘与场效应管的分立元件组合构成阵列,通过场效应管开关阵列,读出GEM探测器信号,并实现成像。实测表明:该方法的动态范围(最大信号与噪声高宽的比值)可达7.3×104,积分非线性小于0.324%,灵敏度为2.55 V/nC,可实现30帧/s的实时成像。该方法具有制作工艺简单、参数可调、成本低等优点,为随后采用厚膜技术及薄膜场效应管技术读出GEM探测器提供了重要的设计依据。

智能汇流箱设计

文章针对大型光伏电站所用的一般汇流箱存在的问题和需要改进方面,提出了智能汇流箱的设计思路和设计方案,采用电子开关,不仅满足了防反二极管的功能要求,更重要的是实现了汇流电流的通断控制;采用温度传感器,监测电气连接点的温度,使汇流箱运行的自身安全保护能力得到了较大提升。