An X-Band Low Noise Amplifier Design for Marine Navigation Radars

In this paper, the design of a 9.1 GHz Low Noise Amplifier (LNA) of a RADAR receiver that is used in the Navy is presented. For the design of the LNA, we used GaAs Field-Effect Transistors (FETs) from Agilent ADS component library. In order to keep the cost of the circuit in low prices and the performance high, we design a two-stage LNA.

高效率GaAs/InGaAsHFET功率放大器

研制成 Ga As/ In Ga As异质结功率 FET(HFET) ,该器件是在常规的高 -低 -高分布 Ga As MESFET的基础上 ,在有源层的尾部引入 i-In Ga As层。采用 HFET研制的两级 C波功率放大器 ,在 5 .0～ 5 .5 GHz带内 ,当Vds=5 .5 V时 ,输出功率大于 3 2 .3 1 d Bm(0 .1 77W/ mm ) ,功率增益大于 1 9.3 d B,功率附加效率 (PAE)大于3 8.7% ,PAE最大达到 49.4% ,该放大器在 Vds=9.0 V时 ,输出功率大于 3 6.65 d Bm(0 .48W/ mm) ,功率增益大于 2 1 .6d B,PAE典型值 3 5 %

GaAs FET脉冲功率放大器输出脉冲包络分析研究

基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使GaAs FET工作在饱和状态、降低沟道温度来改善脉冲顶降。另外,从脉冲调制方式和寄生电感影响两方面分析了脉冲顶部过冲,给出了改善脉冲顶部过冲的措施,如减小电路中的寄生电感和选取合适的静态工作点。经实践验证,并通过脉冲顶降和顶部过冲在改善前后的数据对比,证明了上述措施是有效的。

GaAs PHEMT低噪声放大器氢效应机理分析

GaAs PHEMT低噪声放大器高温电老炼试验过程中存在电流先减小后部分恢复的现象。基于内部气氛检测结果和电路结构分析,认为低噪声放大器电流变化是氢气氛下其内部GaAs场效应晶体管(FET)性能发生退化所导致。因低噪声放大器芯片电路结构特点不能对内部FET直接进行参数测试,为进一步研究GaAs FET的氢效应作用机理,对GaAs FET结构单元开展高温电老炼试验,试验过程中GaAs FET电流变化趋势与低噪声放大器相同。分析了GaAs FET结构单元试验过程中饱和漏电流、夹断电压变化趋势,认为导致GaAs FET电参数先减小是由于沟道二维电子气(2DEG)浓度减小和栅金属与GaAs界面状态改变两种机理共同作用,电参数部分恢复主要是栅金属与GaAs界面状态改变起作用。

新颖的高性能交流稳压电源

提出了一种新颖的交流稳压电源。在该电源的输入与负载之间连接了一只阻抗器 ,通过接入反馈控制网络自动调整阻抗器的电阻值 ,即可稳定输出电压。由于阻抗器的等效电阻为纯电阻 ,因此在调整电压的过程中不会产生谐波。试验证明该电源具有很高的稳压精度。

新型的高性能交流稳压电源

在电源的输入与负载之间串连一只阻抗器 ,通过接入反馈控制网络自动调整阻抗器的电阻值 ,来稳定输出电压 ,就形成了串连式稳压器。形成这只阻抗器的电路由场效应管、运算放大器、晶体管和整流桥组成 ;这只阻抗器的等效电阻是纯电阻 ,所以在调整电压的过程中不会产生谐波 ,也就是不会产生正弦波失真 ;反馈控制网络有极稳定的基准电压 ,比较器是增益很高的运算放大器 ,电路有非常好的转换线性 ,因此该装置有很高的稳压精度。

β对称性对差分电路共模抑制比的影响

本文分析了差分放大电路三极管电流放大倍数β对称性对共模抑制比的影响,通过仿真获得了单端、双端输出的对称性与共模抑制比的关系。仿真表明,共模抑制比随着对称性变差会降低。5组电路的测试结果和仿真一致。本文对学生理解差分放大电路和共模抑制比有指导意义。

多级电压串联负反馈电路R_1及R_f的优选式

首先导出了这种电路中反馈元件Ｒ１与Ｒｆ的优选式，然后用ＰＳＰＩＣＥ软件对该电路进行了仿真验证，由此获得了一条结论以及一条推论。

C波段固态功率放大器的研制及其可靠性验证

为了满足卫星通信大功率、高线性的特殊需求,研制了一款C波段70 W高线性大功率固态功率放大器(SSPA)。通过改进芯片材料结构、器件的匹配状态及工作状态,建立了器件的非线性模型,在满足功率和效率的基础上,实现了功率器件线性指标的提高。在SSPA中设计了场效应晶体管(FET)预失真电路,改善了SSPA的线性化指标,在输入功率回退2~10 dB区间实现了5~7 dB的三阶互调改善,满足了系统的使用要求。预失真电路在长寿命航天器中应用较少,同时C波段70 W SSPA输出功率较大,存在输出功率降低的风险,为此进行了等效在轨工作15年加速寿命试验验证。在整个寿命试验周期内,输出功率大于70 W,三阶互调优于-20 dBc,验证了SSPA长期工作的可靠性。

基于模拟总线接收端的CMOS增益可编程LNA

面向模拟总线接收器应用,设计实现了一款CMOS增益可编程低噪声放大器(LNA)。内置高/中/低增益3个信号放大通路,以满足不同信号幅度情况下的模拟总线接收时的噪声、线性度与输入阻抗等性能需求。提出电容补偿漏电流方法提高高增益信号通路放大器的输入阻抗,同时采用带宽拓展负载方法降低信号相移,解决放大器相移造成电流补偿能力降低的问题。中/低增益信号通路放大器采用差分多门控晶体管(DMGTR)和负反馈技术提高放大器线性度。放大器基于0.18μm CMOS工艺设计,在1～33 MHz频段,增益范围为-14.3～25 dB,输入阻抗大于2.4 k?,输入三阶交调点(IIP3)为-1.6dBm(最大为20.7dBm),在25dB增益下等效输入噪声为1.79 nV/Hz(1/2)@1 MHz～0.87 nV/Hz(1/2)@33 MHz,1.8 V电源电压下工作电流为6.5 mA。

基于变压器耦合的2.6GHz功率放大器的设计

基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺,设计了一款工作频率为2.6 GHz的功率放大器。其输出匹配网络由片外变压器及调谐电容组成,与传统的LC输出匹配网络相比,该匹配网络具有更低的插入损耗和更宽的带宽。功率放大器主体采用伪差分结构,通过变压器耦合进行单端口和差分端口之间的阻抗变换。实测结果表明,在2.6 GHz时,该功率放大器的增益达到了34 dB,饱和输出功率为33.6 dBm,峰值功率附加效率为32%。当输出功率为25 dBm时,邻近信道功率比约为-47 dBc。

反应堆功率保护放大装置

一、引言反应堆的运行,必须有一套控制保护系统参与反应堆的启动、停止以及要求堆功率在多高的水平上运行。控制保护系统包括功率调节系统、事故保护系统等。堆功率保护放大器便是事故保护系统中一个重要部件,当由于某种原因使反应堆功率超过额定功率的10%时,它可以给出警告信号,超过额定功率的20%时,给出事故信号。