FLT3配基在人骨髓基质细胞系中的基因转移与表达

目的 :研究逆转录病毒介导的FL在骨髓基质细胞系HFCL中的表达。方法 :采用脂质体法将重组质粒pLF SN/HFCL和空载体 pLXSN/HFCL转染包装细胞PA317,G418筛选抗性克隆 ,用抗性克隆上清液感染HFCL。RT PCR和基因组DNA PCR检测外源基因mRNA水平的表达及染色体的整合 ,小鼠CFU GM集落法检测FL生物学活性。结果 :在mRNA水平有FL的表达 ,染色体基因组中整合有标记neo基因和FL基因。活性测试结果显示转染的骨髓基质细胞分泌FL。结论

酵母高亲和力铁转运系统主要基因及环境因子对该系统的影响

Fet3基因编码的一种多铜氧化酶和 Ftr1基因编码的一种通透酶介导着酵母细胞质膜高亲和力的铁吸收 .FET3的 Fe( )氧化酶活性是酵母高亲和力铁吸收系统必需的 ,FTR1在铁的跨膜转运中起着直接的作用 ,其转运底物是 Fe( ) .O2 通过转录因子 AFT1的作用和作为

Pt对In_(2)O_(3)纳米线场效应晶体管电学性能的影响

氧化铟纳米线(In_(2)O_(3)NWs)因具有合适的禁带宽度、较高的电子迁移率等优异的电学性能,可应用于晶体管、存储器、传感器等而备受关注,成为研究的热点。本实验通过简单易行的化学气相沉积法生长了In_(2)O_(3)纳米线,结合电子束光刻(EBL)成功制备了In_(2)O_(3)纳米线场效应晶体管器件(Field effect transistor,FET),利用溅射系统在In_(2)O_(3) FET上沉积不同厚度的Pt,研究了Pt纳米颗粒对In2O3 FET电学性能的影响。利用扫描电子显微镜、X射线衍射及光致发光光谱研究了In_(2)O_(3)纳米线的形貌、组成及光学性能;利用X射线光电子能谱分析纳米线的元素化学价态和组成。通过分析沉积Pt前后In_(2)O_(3)纳米线FET的电学性能发现,沉积Pt纳米颗粒后场效应晶体管阈值电压(Vth)有向右偏移的趋势,开关比(Ion/Ioff)有所下降,载流子浓度降低,载流子迁移率增大。晶体管阈值电压(Vth)向右偏移可归因于沉积Pt后金属/半导体接触形成电子转移,此外纳米线的表面缺陷可以充当吸附位点,表面缺陷吸附的氧和水分子将捕获来自纳米线的自由电子,导致表面电子消耗,从而使得载流子浓度降低。研究结果表明,Pt金属纳米颗粒对In_(2)O_(3)纳米线FET的电学性能存在一定的影响。