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Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe/Si薄膜厚度测试方法的研究
被引量:
4
1
作者
折伟林
田璐
+3 位作者
晋舜国
许秀娟
沈宝玉
王文燕
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第12期1351-1354,共4页
在分子束外延生长高质量的CdTe/Si复合衬底上,分别通过MBE和LPE技术成功地研制出Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外探测器所需的重要红外半导体材料。利用傅里叶变换红外光谱仪对Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外半导体材料的红外透射光谱进行测试分析且计...
在分子束外延生长高质量的CdTe/Si复合衬底上,分别通过MBE和LPE技术成功地研制出Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外探测器所需的重要红外半导体材料。利用傅里叶变换红外光谱仪对Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外半导体材料的红外透射光谱进行测试分析且计算薄膜厚度,并配合扫描电子显微镜对其厚度计算分析进行校正,最终获得一种无破坏、无污染、快捷方便的多层膜厚度测试方法。
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关键词
碲镉汞/碲化镉/硅
傅里叶变换红外光谱仪
扫描电子显微镜
分子束外延
液相外延
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职称材料
题名
Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe/Si薄膜厚度测试方法的研究
被引量:
4
1
作者
折伟林
田璐
晋舜国
许秀娟
沈宝玉
王文燕
机构
华北光电技术研究所
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第12期1351-1354,共4页
文摘
在分子束外延生长高质量的CdTe/Si复合衬底上,分别通过MBE和LPE技术成功地研制出Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外探测器所需的重要红外半导体材料。利用傅里叶变换红外光谱仪对Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外半导体材料的红外透射光谱进行测试分析且计算薄膜厚度,并配合扫描电子显微镜对其厚度计算分析进行校正,最终获得一种无破坏、无污染、快捷方便的多层膜厚度测试方法。
关键词
碲镉汞/碲化镉/硅
傅里叶变换红外光谱仪
扫描电子显微镜
分子束外延
液相外延
Keywords
Hg1-xCdxTe/CdTe/si
ftfir
SEM
MBE
LPE
分类号
TH744.1 [机械工程—光学工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe/Si薄膜厚度测试方法的研究
折伟林
田璐
晋舜国
许秀娟
沈宝玉
王文燕
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
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