FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜的磁畴结构和巨磁阻抗效应

用高频溅射法制备了ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＮＩＣｒＳｉＢ膜，经３５０℃退火２０ ｍｉｎ后得到性能优良的巨磁阻抗材料．磁畴结构观察表明，样品中心为均匀的细条畴，靠近边缘，磁畴方向转向横向．这种畴结构有利于磁力线的闭合，是获得显著的巨磁阻抗效应的重要原因之一。磁阻抗测量表明，样品在１３ＭＨｚ的频率下，分别获得了６３％和７７％的纵向和横向磁阻抗比。

FeNiCrSiB薄膜巨磁阻抗的频谱特性

作为一种在软磁材料中发现的高灵敏交流磁阻抗效应，巨磁阻抗（ＧＭＩ）效应的强弱不可避免地要受到各种因素的影响，其中材料微观结构以及交流信号频率等的影响是不可忽略的。本文在对ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ薄膜的研究工作中发现：ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ薄膜的△Ｚ／｜Ｚ｜变化基本与其实部△Ｒ／Ｒ０的变化趋势相吻合，阻抗虚部Ｘ的绝对值和影响较小。本研究在３００ｋＨｚ～３０ＭＨｚ信号频率下，这一规律基本不变。微观结构对ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ薄膜ＧＭＩ效应具有明显影响，不同微观组织可导致出现不同类型的交流磁阻抗效应，以及不同的潜在应用方向；随着交流信号频率的增大，ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ薄膜的ＧＭＩ效应增强（阻抗峰增高），而阻抗峰对应的场强Ｈｋ也随之移向高频区间。