用C-C细分法和流形方法构造G^2连续的自由型曲面

通过改进Cotrina等利用流形方法构造n 边曲面片的算法,以C C细分网格奇异点的5 环作为控制网构造出了带有均匀三次B样条边界的n 边曲面片,使得该曲面片和C C细分曲面G2 拼接在此基础上,讨论了C C细分曲面中n 边域的构造和填充,从而为基于任意拓扑网格构造低次G2 连续曲面的问题给出了一个有效的解决方案,实现了用流形方法构造的曲面和C C细分曲面的融合最后。

双轴应变对g-ZnO/WS_(2)异质结电子结构及光学性质影响的第一性原理计算

单层g-ZnO由于吸收光谱宽而受到研究者关注,但载流子复合是单层g-ZnO作为光催化剂无法避免的问题,如何降低电子空穴对复合率,提高单层g-ZnO对可见光利用率成为值得研究的问题,搭建异质结并对其进行双轴应变是一种可行的办法。本文采用第一性原理方法,研究双轴应变对g-ZnO/WS_(2)异质结电子结构及光学性质的调控规律。结果表明:g-ZnO/WS_(2)异质结禁带宽度为1.646 eV,由于异质结体系内部产生内置电场,降低了其光生载流子的复合率,同时异质结光吸收带边拓展至可见光区域。对异质结实施应变后,除压缩应变(-2.5%)体系外,其余应变体系吸收带边均出现红移现象,并且红移程度和对电荷的束缚能力均随着应变的增加而增强。相比于未实施应变的体系,应变体系对光生电子载流子的阻碍作用更强,其光催化能力得到更大提高。以上结果说明搭建g-ZnO/WS_(2)异质结并对其进行双轴应变对异质结的电子结构及光学性质具有显著的调控作用,使其在窄禁带及红外、可见光半导体器件和光催化材料等领域具有应用价值。

巯基吡啶异构体对电镀铜填盲孔的影响研究

本文以同分异构体2-巯基吡啶(2-MP)和4-巯基吡啶(4-MP)为研究对象,在对比其作为整平剂填充盲孔性能差异的基础上,阐述其分子构效关系。首先,通过哈林槽镀铜实验研究了2-MP与4-MP的填盲孔性能,结果表明,2-MP的填孔性能更佳,其填孔率可达82%。之后,通过量子化学计算,发现2-MP分子中S原子电子云密度低于4-MP,这说明2-MP更易吸附在铜表面。计时电位法测试结果表明:Cl^(-)可促进2-MP在铜表面的吸附,此外,2-MP与PEG之间的相互作用显著强于4-MP。最后,通过X射线光电子能谱(XPS)检测到了Cu-S键的存在,证明两种整平剂分子在铜表面均发生了化学吸附。然而,由于2-MP分子中的巯基S原子与N原子处于邻位,可以形成S-Cu^(2+)-N配合物,进而与Cl^(-)、PEG形成复杂且致密的抑制层,强烈抑制表面铜沉积,从而提高了其盲孔填孔率。

250μm介厚的密集-X型激光通孔工艺研究

为提供模块PCB有效的热管理解决方案,文章介绍了一种250μm介厚的密集-X型激光通孔的加工制作方法,满足密集X型通孔的散热需求,从孔径设计、激光加工参数及电镀填孔等方面进行研究,结果表明:在SME现有的激光设备及电镀药水条件下,通过CO_(2)激光钻机采用双面钻孔法可制作孔径设计为125μm上下孔径、75μm中间孔径,75μm孔间距的密集X型激光通孔,并完成了电镀填孔及相关可靠性测试;为后续制作激光通孔技术提供参考及借鉴。

循环矩阵在曲面造型中的应用

利用循环矩阵的性质，证明了Ｊｏｎｅｓ猜想，给出了Ｇ２填Ｎ边（Ｎ≥３）洞时。