GD-MS法和ICP-MS法测定高纯铌中痕量元素

采用辉光放电质谱法(GD-MS)对高纯铌中Ta,Mo,W等痕量杂质元素进行了测试,并对GD-MS工作参数进行了优化,部分元素与采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)定量分析的结果进行比较,对某些元素含量差别较大的原因进行了分析,论述了Element GD辉光放电质谱仪的特点及其在痕量杂质分析上的优势。

GD-MS用高纯钼成分分析质量控制样品的研制

辉光放电质谱(GD-MS)是目前常用的高纯金属化学成分检测手段之一,然而使用GD-MS对高纯金属中的杂质含量进行定量分析时,需要与基体匹配的成分分析质控样品对相对灵敏度因子(RSF)进行校正。以钼酸铵和金属盐溶液为原料,采用液相掺杂,搅拌加热,蒸发结晶的方法得到掺杂钼酸铵。经氢化还原后,采用机械搅拌方式进一步进行均匀化处理,成功制备了GD-MS用高纯钼成分分析质控样品。考察了制备过程中均匀化处理时间对样品粒度分布,微观形貌及对样品杂质含量均匀性的影响。使用电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)对本质控样品进行检测,经方差齐性检验,质控样品中杂质元素的含量均匀性达标。使用本质控样品对高纯钼中的Al,Fe,Cr,Co,Ni,Sb,Hf等7种元素的GD-MSRSF值进行校正,用于高纯钼样品检测。经平均值一致性检验,GD-MS测定值与ICP-MS测定结果一致。方法的相对标准偏差(RSD)为0.53%~2.26%。

庄德科技启动推广DM270单板电脑GD-M270-V0.9

庄德科技有限公司（Joisted Technology Co．，Ltd）与2006年3月20日北京正式启动推广Gdrive系列单板电脑：GD-M270-V0．9，成为领先的OMAP DM270方案推广商。优化的OMAP DM270单板电脑突出体现了Gdrive的设计理念：“单板双功效，评测＋产品”。

高纯钽的辉光放电质谱多元素分析

采用辉光放电质谱法（GD-MS）同时测定了高纯钽样品中76种元素，比较了两种不同构造放电池的影响。大多数元素的常规分析检测限在1～5ng·g^-1主要金属杂质含量与采用ICP-MS法定量分析的结果一致，这表明GD-MS对高纯钽样品无需标样的快速分析有较高的准确度。

高纯碲和镉中痕量杂质元素的辉光放电质谱分析

采用辉光放电质谱(GD-MS)对碲、镉原材料中锂、硼、钠、铝、硅、铁、铜、锌、镓、砷、银、金、铅、铀等62个杂质元素进行了测试,并与激光烧蚀电感耦合等离子体质谱(LA-ICP-MS)所测的结果进行比较,对结果差异的潜在因素、个别元素含量异常偏大的原因进行了系统分析,着重论述VG9000辉光放电质谱仪的特点及痕量杂质分析优势。

直流辉光放电质谱法测定海绵钛中杂质元素

将海绵钦样品压制成片,在缺乏合适标样情况下可以用多种金属得出的典型RSFX值 对测定结果进行校正,建立了直流辉光放电质谱法（ GD -MS ）测定海绵钦中Be、B、C、N、O、Na、Mg、Al、Si、P、S、Cl、K 、Ca、V、Cr、Mn 、 Fe、 Co、 Ni、 Cu、 Zn、 Ga、 As、 Y 、 Zr、 Nb 、 Mo 、 Sn、 Sb、 Pb、Bi 等32个痕量杂质元素的分析方法.考察了放电参数对分析信号灵敏度和稳定性的影响,优化 后的放电参数如下：辉光放电电流为38 mA ,放电电压为650 V ,放电气体流量为450 mL /min,预 溅射时间为30 min.通过选择合适的同位素,在高分辨（ HR ,分辨率R= 10 000）质谱模式下 测定K ,在中分辨（ MR , R = 4： 000）模式下测定其他元素可消除质谱干扰.将实验方法应用于 海绵钦实际样品中32个杂质元素的测定,结果的相对标准偏差（ RSD , n = 10）为 3. 3 %- 30%,主要金属杂质元素含量的测定结果与采用电感耦合等离子体质谱法（ ICP-MS ）的分析结 果基本一致.采用实验方法分析商用0 级海绵钦样品（样品1）和 1 级海绵钦样品（样品2）,所 得结果与国家标准（ GB/T 2524-2010）中对两种等级海绵钦的含量要求一致.其中Fe、 Si、 Cl、 C 、 N 、O、 Mn 、 Mg 的测定结果与采用国家标准GB / T 4698-2011的分析结果相吻合.

辉光放电质谱分析方法的研究现状

本文概述了辉光放电质谱（ＧＤ－ＭＳ）法近年的发展状况。着重介绍了在装置的开发，溅射原子化及电离过程的研究等方面所取得的成果。并对该法的分析性能以及在实际样品分析中的应用作了简要的介绍。

辉光放电质谱法分析颗粒状高纯铬的样品制备方案探讨

为了建立辉光放电质谱法(GD-MS)测定颗粒状高纯铬中痕量元素的方法,深入研究了颗粒状高纯铬样品的制备方案。比较了不同研磨方式和压片方案,考察了不同粒度、模具或压力下压制的高纯铬样品片中基体铬在不同放电参数下的信号强度。实验表明,当样品粒度为100目(150μm),采用铝杯模具在75t压力下压制时,样品成形效果较好,且对应基体铬信号强度与放电电压、放电气流和脉冲时间的线性关系较好,信号强度最高可达到5×1010 cps以上,较为理想;采用研磨仪自动研磨50～100g样品1min,100目(150μm)样品产率可达90%以上,因此采用此种方式处理样品。采用实验方法制备样品,用GD-MS分析颗粒状高纯铬中主要痕量元素的结果与电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)、电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)和原子吸收光谱法(AAS)测定值吻合较好,μg/g含量级别的钠、铝、硅、钙、钛、钒、锰、铁、镍、铜这10个杂质元素测定值的相对标准偏差(RSD,n=7)在0.80%～11.6%之间,ng/g含量级别的钼、锑、铅这3个杂质元素的RSD(n=7)则在3.7%～13.6%之间。方法为进一步研究颗粒状高纯铬样品全元素分析和纯度分析提供了可靠的试验方案。

辉光放电质谱法测定高纯铬中杂质元素

高纯铬作为钢铁的添加材料,其杂质含量关系到材料的性能,高效、准确测定其杂质元素的含量至关重要。试验将粒度为150μm的高纯铬粉压制成片,建立了辉光放电质谱法(GD-MS)测定高纯铬中Na、Mg、Al、Si等68种杂质元素的方法。试验表明:通过优化仪器工作条件,铬压片放电信号稳定且强度可满足测试要求;高分辨模式下测定K、Zn、Ga、Ge、Se、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Sn元素,其余元素则在中分辨模式下消除质谱干扰。Na、Al、Si、P、S等13个元素采用校正后的相对灵敏度因子(RSF)进行测定,其余元素则采用仪器预设标准RSF(std-RSF)进行测定。方法检出限为0.001~0.50μg/g。按照实验方法测定两个高纯铬中杂质元素,其中56种常见元素的测定结果与采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)、电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)、原子吸收光谱法(AAS)、原子荧光光谱法(AFS)、红外光谱法(IR)的测定结果相一致;其余12种元素的测定结果也与ICP-MS半定量参考值相吻合。

辉光放电质谱法测定棒状高纯镁中12种杂质元素

建立了辉光放电质谱法(GD-MS)测定棒状高纯镁中Al、Si、Ca、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn、Sn、Pb、Bi共12种主要杂质元素的方法。试验表明:棒状样品的放电表面积小、放电容易不稳,将放电电流设在47.0mA、气体流量设在599mL/min时,基体信号稳定且强度可满足测试的要求;预溅射15min可完全消除样品表面的Na、Fe、Ca等元素的污染。27 Al、28Si、52Cr、55 Mn、56Fe、58 Ni、63Cu、64Zn、208Pb、209Bi丰度最高,在中分辨下分析即可得到较好的结果;由于存在40 Ar对40Ca的干扰,所以选择44Ca作为分析同位素,在中分辨下进行分析即可得到较好的结果;120Sn与40 Ar40 Ar40 Ar在分辨率大于7 960时才能完全分开,所以在高分辨模式下以120Sn为测定同位素进行测定。按照实验方法对棒状高纯镁中12种杂质元素进行测定,相对标准偏差(RSD,n=5)为1.8%~10.9%,所有分析结果的标准偏差(SD,n=5)要小于国家标准方法GB/T 13748中的重复性限量;测定值与电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法及电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)标准加入法的结果进行比对,大部分元素符合性较好,由于棒状镁样品的相对灵敏度因子(RSF)与标准RSF存在差异,Fe、Cu、Zn元素测定值差别较大,但是测定结果对高纯物质纯度定级无太大影响。

萃取分离-电感耦合等离子体质谱法测定高温合金中痕量镉

高温合金中的镉会对高温合金的整体性能产生不利影响,因此需对其中镉的含量进行检测和严格限制。采用盐酸、硝酸溶解样品,利用镉(II)在盐酸介质中形成碘的络阴离子的特性,使用4-甲基-2-戊酮(MIBK)萃取和硝酸(1+1)返萃取络合物后,实现了大量干扰元素与镉的分离。选择111Cd作为分析同位素,以铑、铼混和内标进行校正,采用动能歧视模式(KED)-电感耦合等离子体质谱法进行测定,建立了高温合金中镉的分析方法。实验表明,用碘化铵代替碘化钾与镉络合,可有效避免钾离子浓度过高对测定的影响。在选定的条件下,校准曲线的线性相关系数为0.999 9,方法检出限和测定下限分别为0.000 000 1%和0.000 001 1%。按照实验方法测定高温合金标准物质中的镉含量,结果表明,测定结果与认定值吻合较好,结果的相对标准偏差(RSD,n=5)小于5%。按照实验方法测定不同牌号高温合金实际样品中的镉含量,并采用辉光放电质谱法进行方法比对,结果表明两种方法的测定结果基本一致。

电感耦合等离子体质谱法测定铀铌混合氧化物中的钐、铕、钆、镝

建立了应用电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）测定铀铌混合氧化物中痕量的稀土元素（Sm、Eu、Gd、Dy）的方法。这四种稀土元素在核燃料中的含量在10-7 g/g以下,但热中子截面很大,准确测定其在核燃料中的含量对于核燃料的研究至关重要。样品经HNO3-HF快速溶解后,应用CL-TBP萃淋树脂分离U基体,以115In作为测定内标校正基体干扰和仪器漂移,标准模式下应用ICP-MS定量测定淋洗液中Sm、Eu、Gd和Dy,半定量分析基体U。四种稀土元素的质量浓度为0.01~1.00μg/L,线性关系良好,线性相关系数（r）均大于0.999,检出限为0.001~0.002μg/L。对于添加0.2μg/L的稀土元素,稀土元素的回收率为84.3%~97.3%,相对标准偏差（sr）为5.3%~8.7%（n=6）,能够满足实际样品测定需要。

不同Gd∶C比对金属富勒烯生成的影响及其质谱研究

研究了不同 Gd∶ C比对金属富勒烯生成的影响 ,结果表明 :随着 Gd∶ C比例大小不同 ,对金属富勒烯生成结果的影响也不同。通过激光解析飞行时间质谱 (LD- TOFMS)和电喷雾质谱 (ESI- MS)分析了提取液的富勒烯组成 ,得到当 Gd∶ C为 1∶ 5 0时 ,金属富勒烯有最高产率。

钼酸铵中硅检测现状研究

在钼酸铵生产过程中,硅作为杂质元素存在于产品中,对钼产品的后续加工产生重大影响。目前对钼酸铵中硅的检测方法有钼蓝光度法、光谱法(直流电弧粉末法)、ICP-OES法、ICP-MS法、GD-MS法、石墨炉法。本文综述了以上几种检测方法,分析了其优缺点,展望钼酸铵中硅检测技术的发展前景。

非标方法长期稳定性评价及在辉光放电质谱分析纯镍中痕量元素的应用

基于检测标准中提供的重复性和时间变化的再现性数据,通过对其长期稳定性试验中每个时段内测量结果的精密度和正确度,时段间重复性,时段间总精密度度,总平均值的正确度进行检验,可对分析仪器按照该检测标准进检测的长期稳定性进行系统评价,其本质是监控分析结果的精密度和正确度。然而,实验室大量没有上升为检测标准的检测方法,即所谓的非标方法,因缺乏重复性及室内再现性数据,无法按照上述方法直接进行长期稳定性评价,但通过实验设计,在不同时间段对仪器分别进行校正后测量,可获得非标方法的模拟重复性限和模拟室内再现性限数据。基于模拟重复性限及模拟室内再现性限数据,可对非标分析仪器方法长期稳定性进行准确评价。以辉光放电质谱(GD-MS)测定纯镍中18种杂质元素的非标方法为例,设计一组对比实验,获得非标方法的模拟重复性限及模拟室内再现性限数据,利用卡方统计检验,获得了辉光放电质谱仪测定纯镍样品中B, Mg, Al, Si等18种杂质元素的准确的长期稳定性时间,结果表明在相同的测定条件下,不同元素的长期稳定性不完全相同,大部分元素可稳定持续测量3 h, P, As, V, Sb和Pb等5个元素的长期稳定性时间上限可达6 h甚至12 h。在长期稳定性时间上限内,仪器无需再次进行相对灵敏度因子的测量和校正即可得到准确的测定结果。这一评价结果与实验室实际经验基本一致,表明该实验所提出的系统测量和表征方法能客观反映辉光放电质谱仪的长期稳定性。该方法同样适用于其他非标方法的长期稳定性评价,对实验室大量的非标方法的质量控制具有指导意义。

高纯贵金属中杂质元素检测技术新进展

高纯贵金属具有良好的抗腐蚀性、稳定的热电性、高温抗氧化性等优异的材料学特性,使得这一类材料在电子信息、生物医药、国防安全等领域有广泛的应用。高纯贵金属纯度是决定其性能和应用领域上限的重要指标,对贵金属生产工艺具有重要指导作用。综述近年来电感耦合等离子体发射光谱法、电感耦合等离子体质谱法、辉光放电质谱法等检测技术在高纯贵金属痕量杂质检测中的进展,对存在的问题进行了分析探讨,并对未来高纯贵金属中痕量杂质检测在评价体系和标准化方面的发展趋势进行了展望。

GDMS在陶瓷熔块化学分析中的应用

针对陶瓷熔块化学组成难确定,传统分析化学、X射线荧光光谱分析测试受限的实际问题,尝试采用辉光放电质谱法(GDMS)测试其化学组成。结果表明:1 000V、3 mA辉光源、钽勺为辅助电极条件下,Astrum GDMS设备可以快速、准确、高效测定陶瓷熔块的化学组成,为釉料配方的准确计算提供了可靠依据。熔块中杂质元素的分析确认,有利于发现工作过程中可能存在的污染源,在陶瓷工艺改进及环保领域具有广阔的应用前景。

低频率射频辉光放电的研究

辉光放电电离源可用来检测固态、液态及气态样品,目前主要用于无机固体样品的元素分析和定量检测。本研究将低频率射频辉光放电(Lf-RFGD)与飞行时间质谱仪(TOF MS)联用用于分析液体和气体样品。研究了电离腔真空度、进样管尺寸、辅助气压力、放电频率及电极板压差对电离效率的影响。最优分析条件为:电离腔真空度约30 Pa,进样管长150 mm、内径0.25 mm,辅助气压强约1.0 MPa,放电频率2 MHz,电极板压差约100 V。在此条件下,放电功率约20 W,对液体样品的检出限约0.1 pg、对挥发性样品的检出限约20 mg/m^(3),检测半峰分辨率约3000(FWHM)。将Lf-RFGD TOF MS应用于实际药品溶液和挥发性有机物(VOCs)的检测。本仪器对药品溶液的检测灵敏度与常用检测仪器相比无优势,但对挥发性有机物的检测效果较好,为开发低成本的VOCs检测仪器提供了有吸引力的选择。

金属富勒烯的质谱研究

利用电弧放电法合成笼内金属富勒烯 Gd@C82 ,Gd2 @C80 ,Gd@C80 .实验结果表明 ,两步高温高压法( 1 ,2 ,4 -三甲基苯 ,吡啶 )可有效地提取金属富勒烯 Gd@C82 .本文分别利用 ESI-MS,REC-MS,MALDI-TOF-MS质谱技术研究了 Gd@C82 ,Gd2 @C80 ,Gd@C80 和富勒烯 Cn( n=60 ,70 ,82 ,84… )的气相负离子特性 .结果表明 ,包入 Gd3 + 后非极性的 C82 转变为极性的 Gd@C82 分子 ;金属离子 Gd3 + 处于 C3 -82 笼中非中心的位置 .

直流辉光放电质谱法测定高纯二氧化锗中的16种杂质元素及其相对灵敏度因子的求取

取高纯GeO2粉末5.00g(颗粒度小于30μm)5份,其中一份作为空白,其余4份中依次加入Li、Be、Mg、Al、Ti、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu、Zn、Sn、Sb、Tl、Pb等16种元素的标准溶液,使其浓度梯度为0,0.4,1.0,2.0,5.0μg·g^-1,于烘箱中100℃烘干。充分研磨混匀后制得GeO2粉末中含16种杂质元素的控制样品。取高纯铟按方法规定压制成直径约为15mm的In薄片。取5片铟薄片,取适量上述5个GeO2控制样品分别置于铟薄片上,盖上数层称量纸后用手动压紧压实,使铟薄片上的控制样品的直径约为4mm,并分别进行直流辉光放电质谱法(dc-GD-MS)测定。选择放电电流为1.8mA,放电电压为850V,采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定控制样品中各杂质元素的含量,并将这些测定值作为标准值。将ICP-MS测定所得待测元素和基体元素的离子束强度比值为横坐标,以与其对应的信号强度为纵坐标绘制校准曲线,曲线的斜率即为各元素的相对灵敏度因子(RSF)值。所得16种元素的校准RSF(calRSF)值和仪器自带的标准RSF(stdRSF)值之间存在显著的差异,其比值大都在2~3之间。由此可见制备的一组GeO2粉末控制样品不仅建立了各元素的工作曲线,而且获得了与基体相匹配的RSF值,解决了用GD-MS测定高纯GeO2中16种杂质元素的问题。