单壁碳纳米管储氢过程的GULP模拟

利用GULP软件的蒙特卡罗模块对常温(T=300 K)下单壁碳纳米管(SWNT)管内物理吸附储氢进行了模拟。研究和讨论了5种半径的扶手椅管在T=300 K时的吸附等温线,给出了同一管径在不同压强下氢气分子在碳纳米管中分布变化的对比图,并对T=300 K,P=10 MPa时不同管径的碳纳米管储氢能力进行了对比。结果显示,常温下压强不大于10 MPa时单壁碳纳米管吸附氢气的质量储氢容量不超过1.8%,体积吸附量不超过22 kg.m-3,表明纯单壁碳纳米管具有一定的吸附氢气的能力,但其存储能力与美国能源部提出的研究目标尚有一定差距,还需通过改变碳纳米管的结构、特性等方法来改善其储氢特性。

支气管上皮中GULP1蛋白的表达与慢性阻塞性肺疾病严重程度的关系研究

目的探讨支气管上皮中GULP1蛋白的表达与慢性阻塞性肺疾病患者严重程度的关系。方法选取2015年1月-2016年1月期间我院收治的100例慢性阻塞性肺疾病患者作为研究对象,设为观察组,根据其疾病进展分为轻中度组(n=64)和重度组(n=36),选取同期非慢性阻塞性肺疾病患者作为对照组(n=50),比较不同组患者的GULP1蛋白表达阳性率,并对GULP1蛋白表达与慢阻肺分级以及肺泡巨噬细胞数量相关性进行分析。结果观察组患者支气管上皮中GULP1蛋白的表达阳性率(69.0%)显著高于对照组(2.0%)(P<0.05);重度组患者的支气管上皮中GULP1蛋白的表达阳性率(97.2%)显著高于轻中度组(53.1%)(P<0.05);Spearman相关性分析结果显示支气管上皮中GULP1蛋白的表达评分与慢阻肺分级呈显著正相关(r=0.145,P=0.003);Spearman相关性分析结果显示慢阻肺患者支气管上皮中GULP1蛋白的表达与肺泡巨噬细胞数量呈显著正相关(r=0.432,P=0.015)。结论慢阻肺疾病患者支气管上皮中GULP1蛋白的表达水平显著增加,且与疾病的严重程度呈正相关,GULP1蛋白参与慢阻肺疾病调控过程可能与肺泡巨噬细胞相关,值得进一步深入研究。

精神分裂症易感基因GULP1与中国人群大脑容量的相关性研究

精神分裂症是一种复杂的精神疾病,全世界约有1%的人患有这种疾病。以往的研究发现精神分裂症患者的脑容量比正常人小,且一些精神分裂症易感的DNA序列多态性也同时与脑的结构异常有关,这与精神分裂症的神经发育假说是吻合的。最近研究发现人的GULP1基因的两个SNP(rs2004888和rs4522565)与精神分裂症显著相关。为了研究这两个精神分裂症易感的SNP是否也符合神经发育假说,我们检测了791个正常人的这两个SNP的基因型并测量它们的脑容量,相关性分析发现这两个SNP和脑容量无关,说明GULP1的精神分裂症易感性存在更加复杂的机制。

CX3CL1/FKN、CC16、GULP1在慢性阻塞性肺疾病合并肺气肿中的表达及相关性

目的分析血清不规则趋化因子(CX3CL1/FKN)、Clara细胞分泌蛋白(CC16)、GULP1在慢性阻塞性肺疾病合并肺气肿(COPD合并肺气肿)中的表达及相关性。方法随机选取2019年1月至2021年1月收治的98例COPD患者为观察组,同期选取100例体检健康人员为对照组。检测CX3CL1/FKN、CC16、GULP1表达,分析CX3CL1/FKN、CC16、GULP1在COPD合并肺气肿中的表达及相关性。结果与对照组较,观察组患者FVC、FEV1、FEV1/FVC、CC16水平较低,CX3CL1/FKN、GULP1表达较高(P<0.05);且COPD合并肺气肿患者FVC、FEV1、FEV1/FVC、CC16水平低于COPD患者,CX3CL1/FKN、GULP1表达高于COPD患者,差异有统计学意义(P<0.05)。以CX3CL1/FKN、CC16、GULP1表达进行相关性分析,结果显示CX3CL1/FKN、GULP1与COPD合并肺气肿FVC、FEV1、FEV1/FVC呈负相关(P<0.05),与病情严重程度呈正相关(P<0.05);CC16与COPD合并肺气肿FVC、FEV1、FEV1/FVC呈正相关(P<0.05),与病情严重程度呈负相关(P<0.05)。多因素Logistic回归模型分析显示,CX3CL1/FKN、CC16、GULP1为影响COPD合并肺气肿发生的因素(P<0.05)。结论CX3CL1/FKN、CC16、GULP1表达水平与COPD合并肺气肿的发生、发展具有密切联系,且存在一定相关性,提示CX3CL1/FKN、CC16、GULP1表达变化可作为COPD合并肺气肿疾病诊断及预后评估的生物检测指标,对COPD合并肺气肿的预防及治疗干预具有重要裨益。

钼酸镉晶体本征点缺陷的计算机模拟计算

本文利用GULP计算软件拟合了CdMoO4晶体势参数,在此基础上研究了该晶体的本征点缺陷,计算了本征点缺陷的生成能。结果表明,在CdMoO4晶体生长过程中,孤立缺陷主要以肖特基缺陷的形式(V2+O和V2-Cd)存在。晶体中氧的夫伦克儿缺陷具有较低的生成能,是CdMoO4晶体的主要缺陷类型。Cd的夫伦克儿缺陷在高温条件下将起重要作用,由氧空位引起的F心和F+心与700 nm吸收带的形成有关。

立方结构CaTiO_3晶体物理性质模拟

本文运用GULP软件模拟计算了理想立方结构CaTiO3的力学、热学和声子性质。利用正交相结构CaTiO3的晶格结构数据(晶格常数和原子坐标)和晶体性质(弹性常数和高频介电常数)通过GULP的弛豫拟合技术得到理想立方结构CaTiO3的势参数。用该组势参数计算得到的结果和实验结果相吻合。在此基础上计算了理想立方结构CaTiO3的体弹模量、压缩率、杨氏模量、泊松率、弹性常数和高频介电常数。计算并详细分析了理想立方结构CaTiO3沿着高对称方向(X→R;R→M;M→G;G→R)的声子色散曲线和声子态密度。还计算了温度范围为0～1000 K的热容和熵。

二价离子掺杂钨酸铅晶体的计算机模拟

应用GULP软件计算了PbWO4(PWO)晶体中分别掺杂Zn、Ca二价离子的相关缺陷生成能,并对计算结果进行了讨论.结果表明,Zn离子进入PWO晶体中只能占据铅空位附近的填隙位置,而Ca离子进入PWO晶体中可以占据铅空位,也可以占据铅空位附近的填隙位置,这两种情况出现几率近似;对于相同的掺杂浓度,在掺Zn的PWO晶体中的孤立铅空位数量比掺Ca的PWO晶体中少,从而掺Zn可以更好地抑制与铅空位有关的短波段吸收,增加晶体的光产额.

掺Nb^(5+)钨酸铅晶体的计算机模拟

应用GULP计算软件模拟计算了掺Nb5+的PbWO4(PWO)晶体中,Nb5+可能存在的位置以及对应的各种缺陷的生成能.通过比较生成能的大小确定了Nb5+在PWO晶体中最可能的存在方式,并对其电荷补偿机制进行了分析.计算结果表明,在掺Nb5+∶PWO中,Nb5+首先占据邻近缺氧的W6+位,但不可能由F心或F+心来作为补偿,其电荷补偿形式应为[NbO3+VO]+—[NbO4]-,改变了在晶体中与350 nm吸收带有关的氧空位V2O+的电荷补偿机制,从而抑制了350nm吸收.

Bi掺杂SrTiO_3陶瓷缺陷结构模拟及介电性能研究

采用固相反应制备Sr_(1-x)Bi_xTiO_3陶瓷,研究Bi掺杂对SrTiO_3的介电性能、缺陷结构及缺陷偶极子的影响。通过X线衍射(XRD)分析其物相结构,表明在掺杂浓度范围内均未出现第二相。通过GULP模拟,得到Sr_(1-x)Bi_xTiO_3中可稳定存在的缺陷偶极子有[2Bi_(Sr)~·+V_(Sr)″]、[V_O^(··)+V_(Sr)″]、[2V_O^(··)+V_(Ti)″″]和[V_O^(··)+2 Ti_(Ti)']。各组掺杂陶瓷样品的弛豫特性均满足Arrhenius定律,这是弛豫受热激发所致,随着Bi掺杂量的增加弛豫激活能增加,弛豫度减小。

铌酸锂晶体中本征缺陷的模拟计算

在现有晶体势参数的基础上,利用GULP软件计算了铌酸锂(LiNbO3,LN)晶体的各类本征缺陷的缺陷生成能,并对LN晶体中可能存在的缺陷反应进行了讨论。结果表明,LN晶体中最容易形成(++4VLi-+Nb4+Li)缺陷,且这两类点缺陷倾向于以缺陷簇的形式存在。与此同时,LN晶体中还可能形成(2VLi-+V2+O)缺陷。

掺K钨酸铅晶体的计算机模拟

应用计算机模拟方法计算分析了掺杂K离子的PbWO4晶体,在不同杂质离子浓度下,K离子的位置及伴随的各种可能存在的缺陷的生成能,明确了晶体掺杂后的缺陷化学及相应的缺陷反应,揭示了低浓度掺K+∶PbWO4的350nm吸收带减弱的原因.计算结果表明,高浓度掺K离子将消除420nm吸收带,改善PbWO4晶体的抗辐照损伤性能.

Nb掺杂对BaTi_(0.96)Al_(0.04)O_3陶瓷介电性能的影响

为探究Al-Nb共掺对BaTiO_3介电性能的影响及其掺杂机制,以Ba Ti_(0.96)Al_(0.04)O_3为基础配方,通过传统的固相反应法制得BaAl_(0.04)Ti_(0.96-x)Nb_xO_3(0≤x≤0.08)陶瓷样品,并通过XRD、LCR分析仪和Gulp软件来对样品的结构、介电性能进行分析。结果表明:当x≥0.03时陶瓷样品中出现第二相;随着Nb^(5+)含量的增加,陶瓷从传统的铁电体转变成弛豫铁电体,介电峰值温度(Tm)向低温方向移动,且当x≤0.01时介电常数增大,当x≥0.02时介电常数减小;通过Gulp模拟分析得出晶体中钡空位补偿机制优先发生,可能伴有少量钛空位补偿,主要存在的缺陷簇是[2Nb_(Ti)~·-V_(Ba)~"]。

Nb掺杂BaTiO3陶瓷的补偿机制及介电性能

分析了Ba Ti1-xNbxO3(0≤x≤0.04)陶瓷样品中存在的补偿机制及其结构与介电性能的变化。结果表明:Nb5+的掺入没有引起第二相的生成,并能减小陶瓷晶粒尺寸;Nb5+离子的加入有利于Ba Ti O3陶瓷从正常铁电体向弛豫铁电体转变,降低介电常数峰值温度(Tm),提高室温介电常数,减小剩余极化强度(Pr)和矫顽场(Ec)。通过Gulp模拟并分析得出当Nb5+掺入后,主要以空位进行补偿,且以钡空位补偿为主,形成缺陷簇。

基于因素修正法的征地统一年产值测算方法——以广西壮族自治区桂平市为例

征地统一年产值的测算是一项政策性强的复杂工作,其测算结果关系到农民的切身利益和经济建设的健康发展。而选择恰当的测算方法是保证征地统一年产值测算结果科学合理的重要前提之一。针对现行征地补偿标准测算方法存在欠严谨、弹性较大等问题,文章以桂平市为例,采用因素修正法,以前3年桂平市的主要农产品平均产量、价格为主要依据,初步测算桂平市的统一年产值。同时,遴选出影响土地综合收益的主要因素,通过多因素综合评价,定性和定量相结合等方法,编制出一套可操作性强的统一年产值因素修正体系,以桂平市统一年产值为基数修正计算,求取各测算单元的统一年产值。经实际运用表明,该方法操作简便,弥补了数据资料不全、统计口径不一的不足,减少了测算过程中的经验判断和主观因素的影响,使征地统一年产值标准的测算结果更趋合理,对于各级国土资源部门宏观平衡各地的征地统一年产值标准有重要的理论和实践意义,值得在征地统一年产值测算中推广应用。

钼酸铅晶体势参数的拟合及本征缺陷的模拟计算

在已有PbWO4晶体势参数的基础上,根据势参数的可转移性,用GULP软件拟合出Pb-MoO4(PMO)晶体的势参数.利用这些参数计算了PMO的晶格生成能、本征缺陷生成能和缺陷簇的结合能.计算结果表明,V2O+-VP2b-空位对和F心是PMO晶体中的本征缺陷,并以[V2O+-VP2b-]空位对和[V2O++2e]的形式实现电荷补偿.

不同尺度的区域城镇土地基准地价平衡研究

区域基准地价平衡是区域城镇基准地价评估的重要内容,对地价管理具有重要的现实意义。分析了不同尺度基准地价平衡的内涵、实质及不同尺度平衡的机理,运用多种方法从宏观尺度的城镇间基准地价平衡、中观尺度的土地级别之间基准地价平衡、微观尺度地块间的区片价平衡进行了研究。以广西县级市——桂平市为例,对桂平市所辖的28个城镇基准地价平衡进行了实例研究,为区域城镇基准地价平衡提供了实用的模式与方法,为培育、发展城镇土地市场奠定了基础。

碱土金属氧化物掺杂氧化铈基电解质材料中的晶格缺陷

基于能量最小化算法,对碱土金属氧化物(MgO、CaO、SrO、BaO)掺杂的氧化铈基电解质缺陷进行模拟计算.研究了掺杂离子与空位缺陷形成能和氧空位跃迁能之间的关系.结果说明,在碱土金属氧化物掺杂氧化铈的固溶反应中,氧空位缺陷是电荷补偿缺陷的首选形式,CaO和SrO较MgO和BaO易溶于CeO2;Ca2+掺杂离子与氧空位缺陷对[CaC″e·VO··]×的结合能最高;复合缺陷[VO···M″C·eVO··]··在CeO2中的状态不稳定;氧空位在次近邻间的跃迁能最低,因此最容易实现跃迁.

桂平文化旅游开发研究

桂平文化类型多样,比较有特点的是区域内的民俗文化、宗教文化和历史文化,这些文化资源以其独特的风格成为地区垄断性的旅游产品。针对桂平文化旅游开发中的现状问题,从品牌建设,宣传手段,人才培养,可持续发展等方面提出发展对策。

桂平航运枢纽二线船闸平面布置研究

为配合桂平航运枢纽二线船闸工程设计,采用定床物理模型试验和遥控自航船模试验相结合的研究手段,对桂平二线船闸工程布置进行研究,分析和论证设计方案的合理性。通过工程河段水流特性、枢纽调度对上、下游水流条件影响的模型试验,分析了工程河段水流特性,研究了二线船闸上下游引航道口门区和连接段航道通航水流条件和船舶航行条件,修改完善了设计方案,并最终确定了桂平二线船闸合理可行的工程布置方案。

磷酸钇晶体物理性质及本征缺陷的研究

运用GULP软件并采用已有的势参数计算了理想YPO_4晶体的物理性质和本征缺陷,得到的晶体结构参数与实验结果基本吻合.根据计算得到的力学性质表明,YPO_4晶体在(100)方向的抗应变能力最强.对YPO_4晶体的热学性质的计算结果表明,不能忽略在高温条件下振动熵对YPO_4晶体本征点缺陷形成能的影响.由本征点缺陷形成能的计算结果得知氧空位和氧的弗伦克尔缺陷在晶体中相对容易形成.