多层GaAlInP半导体发光材料的双晶衍射分析与拟合

应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析。应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线,并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果。对衍射谱的展宽提供了合理的解释,比较肯定地确定了此样品的结构与晶体质量。涉及缺陷对衍射FWHM的展宽的解释与关于缺陷的半动力学衍射理论相比,简单明了,实用于实际的生产检测。并根据分析结论对晶体质量的改进提供技术方案,改进了晶体质量。

GaAlInP发光材料计算的经验公式

根据已经发表的实验数据，针对镓铝铟磷发光材料提出一组经验公式及相应的曲线，作为ＧａＡｌＩｎＰ可见光材料设计的依据或参考。

涡轮LP-MOCVD研制高亮度红光发光二极管

采用涡轮LP MOCVD外延技术 ,在特别改进GaAlInP材料生长的基础上生长 2 0对InGaP/GaAlInP多量子阱结构的红光发光二极管 (LED)。外延片解理成 30 0 μm× 30 0 μm管芯后 ,在 2 0mA的电流注入情况下 ,得到的发光波长峰值 6 48nm ,平均亮度 38.9mcd ,最高亮度达到4 9.8mcd ,封装成发射角为 15°的LED灯 ,平均亮度达到 2 0 0 0mcd。