Ge衬底上GaInP_2材料的生长研究

采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LPMOCVD设备,在(100)面偏(110)面9°的Ge单晶衬底上外延生长了GaInP2材料,研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、生长速率等生长参数对GaInP2材料的表面形貌和固相组分的影响.结果表明,当GaInP2材料的生长温度为650～680℃,生长速率为25～35nm/min,Ⅴ/Ⅲ为180～220时,获得了满足级联电池的GaInP2材料.