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溅射后退火反应法制备GaN薄膜的结构与发光性质 被引量：4
1
作者 杨莺歌 马洪磊 +3 位作者 薛成山 庄惠照 郝晓涛 马瑾 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期387-390,共4页
报道了用溅射后退火反应法在 Ga As (110 )衬底上制备 Ga N薄膜 .XRD、XPS、TEM测量结果表明该方法制备的 Ga N是沿 c轴方向生长的六角纤锌矿结构的多晶薄膜 .PL测量结果发现了位于 36 8nm处的室温光致发光峰 .
关键词 溅射 退火 gan薄膜 结构 光致发光 氮化镓(110)晶面
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Ga N,Al N和 BN(110 )表面反常弛豫的电子结构计算
2
作者 贾瑜 顾华伟 +4 位作者 李新建 姚乾凯 魏英耐 马丙现 胡行 《郑州大学学报（自然科学版）》 2000年第1期42-47,共6页
在紧束缚模型框架下采用形式散射理论方法计算了具有闪锌矿结构的化合物半导体 Ga N,Al N和 BN(110 )反常弛豫表面的表面电子结构 ,讨论了表面弛豫对表面电子结构的影响 ,并将结果同 Ga As(110 )表面的表面电子结构作了比较 .
关键词 氮化镓 反常驰豫 表面电子结构 氮化铝 氮化硼
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