期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
4
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
静电对Si衬底GaN基蓝光LED老化寿命的影响
被引量:
1
1
作者
乐淑萍
郑畅达
江风益
《南昌大学学报(理科版)》
CAS
北大核心
2007年第3期246-248,252,共4页
对几组本工程中心研制的S i衬底GaN基蓝光二极管(LED)施加了不同静电击打后,分别在30、50和70mA的驱动电流下进行了老化实验对比,施加静电电压分别为0、100、500和1 000 V。研究对比了1 000 V范围内的静电对S i衬底上GaN基蓝光LED老化...
对几组本工程中心研制的S i衬底GaN基蓝光二极管(LED)施加了不同静电击打后,分别在30、50和70mA的驱动电流下进行了老化实验对比,施加静电电压分别为0、100、500和1 000 V。研究对比了1 000 V范围内的静电对S i衬底上GaN基蓝光LED老化寿命的影响,并对相关实验现象进行了分析。结果表明在1000V范围内施加不同的静电对其寿命没有明显的影响。
展开更多
关键词
SI
gan
基蓝光
led
静电
加速老化
下载PDF
职称材料
GaN蓝光LED电极接触电阻的优化
被引量:
2
2
作者
裴风丽
陈炳若
陈长清
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期742-744,755,共4页
通过分析LED的工作电压和晶圆上两相邻N电极间电阻来讨论快速退火(RTA)和表面处理对GaN基蓝光LED接触电极的影响。研究了p-GaN表面处理对Ni/Au与p-GaN接触电阻的影响。结果表明,用KOH清洗p-GaN表面比用HCl清洗更能有效地改善Ni/Au与p-Ga...
通过分析LED的工作电压和晶圆上两相邻N电极间电阻来讨论快速退火(RTA)和表面处理对GaN基蓝光LED接触电极的影响。研究了p-GaN表面处理对Ni/Au与p-GaN接触电阻的影响。结果表明,用KOH清洗p-GaN表面比用HCl清洗更能有效地改善Ni/Au与p-GaN的接触电阻。讨论了在氧和氮混合气氛下两种退火温度对P电极接触电阻的影响,当退火温度从570℃升到620℃时接触电阻升高。研究了氮气氛下不同退火温度和时间对LED电极接触的影响,发现在480℃下连续退火对N接触有利,但却使P接触变差,而450℃、10 min的氮气氛退火能同时得到较好P接触和N接触。
展开更多
关键词
gan
基蓝光
led
接触电阻
RTA
表面处理
下载PDF
职称材料
影响GaN基蓝光LED能带结构与光谱特性关系的仿真研究
被引量:
3
3
作者
李芸
杨治美
+2 位作者
马瑶
龚敏
何飞
《光散射学报》
北大核心
2017年第3期271-276,共6页
本文采用Silvaco TCAD软件对GaN基InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)的光谱特性进行了仿真研究。研究结果表明:光谱会随着注入电压的增加而产生蓝移现象,并出现0.365μm处的紫外光发光峰;发光效率在正向电流较小时增长很快,随着正向...
本文采用Silvaco TCAD软件对GaN基InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)的光谱特性进行了仿真研究。研究结果表明:光谱会随着注入电压的增加而产生蓝移现象,并出现0.365μm处的紫外光发光峰;发光效率在正向电流较小时增长很快,随着正向电流进一步增加而逐渐趋于饱和;随着量子阱中In组分和量子阱阱层厚度的增加,发光光谱出现红移现象,并且发光效率下降。仿真结果对GaN基InGaN/GaN量子阱结构蓝光LED的设计和优化提供一定的依据。
展开更多
关键词
gan
基蓝光
led
In
gan
/
gan
量子阱
In组分
阱层厚度
Silvaco
TCAD
下载PDF
职称材料
LED受ESD冲击前后性能的变化分析
被引量:
3
4
作者
陆海泉
李抒智
+1 位作者
杨卫桥
严伟
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第10期957-960,共4页
对GaN基蓝光LED施加ESD冲击,比较LED在受到ESD冲击前后I-V特性曲线、-5 V反向漏电流以及光色电特性的变化发现在I-V特性曲线和-5 V反向漏电流有明显变化的情况下,LED的光色电特性没有明显变化。选择在受到ESD冲击后反向漏电流值为不同...
对GaN基蓝光LED施加ESD冲击,比较LED在受到ESD冲击前后I-V特性曲线、-5 V反向漏电流以及光色电特性的变化发现在I-V特性曲线和-5 V反向漏电流有明显变化的情况下,LED的光色电特性没有明显变化。选择在受到ESD冲击后反向漏电流值为不同数量级的LED作为样品进行加速老化实验,比较样品在加速老化实验前后的I-V特性曲线、光色电特性等参数的变化。通过比较样品之间的光衰减速率,发现反向漏电流大于1 mA时,样品的光衰减明显加快。
展开更多
关键词
gan
基蓝光
led
静电放电
I
-
V特性
反向漏电流
光色电特性
加速老化实验
下载PDF
职称材料
题名
静电对Si衬底GaN基蓝光LED老化寿命的影响
被引量:
1
1
作者
乐淑萍
郑畅达
江风益
机构
南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心
出处
《南昌大学学报(理科版)》
CAS
北大核心
2007年第3期246-248,252,共4页
基金
国家"863"专项基金资助项目(2003AA302160)
文摘
对几组本工程中心研制的S i衬底GaN基蓝光二极管(LED)施加了不同静电击打后,分别在30、50和70mA的驱动电流下进行了老化实验对比,施加静电电压分别为0、100、500和1 000 V。研究对比了1 000 V范围内的静电对S i衬底上GaN基蓝光LED老化寿命的影响,并对相关实验现象进行了分析。结果表明在1000V范围内施加不同的静电对其寿命没有明显的影响。
关键词
SI
gan
基蓝光
led
静电
加速老化
Keywords
Si
gan - based blue leds
electrostatic
accelerated degradation
分类号
O484 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
GaN蓝光LED电极接触电阻的优化
被引量:
2
2
作者
裴风丽
陈炳若
陈长清
机构
武汉大学物理科学与技术学院
出处
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期742-744,755,共4页
基金
上海微系统所传感技术联合国家重点实验室开放基金项目(SKt0401)
文摘
通过分析LED的工作电压和晶圆上两相邻N电极间电阻来讨论快速退火(RTA)和表面处理对GaN基蓝光LED接触电极的影响。研究了p-GaN表面处理对Ni/Au与p-GaN接触电阻的影响。结果表明,用KOH清洗p-GaN表面比用HCl清洗更能有效地改善Ni/Au与p-GaN的接触电阻。讨论了在氧和氮混合气氛下两种退火温度对P电极接触电阻的影响,当退火温度从570℃升到620℃时接触电阻升高。研究了氮气氛下不同退火温度和时间对LED电极接触的影响,发现在480℃下连续退火对N接触有利,但却使P接触变差,而450℃、10 min的氮气氛退火能同时得到较好P接触和N接触。
关键词
gan
基蓝光
led
接触电阻
RTA
表面处理
Keywords
gan
-
based
blue
led
contact resistance
RTA
surface treatment
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
影响GaN基蓝光LED能带结构与光谱特性关系的仿真研究
被引量:
3
3
作者
李芸
杨治美
马瑶
龚敏
何飞
机构
四川大学物理科学与技术学院
微电子技术四川省重点实验室
出处
《光散射学报》
北大核心
2017年第3期271-276,共6页
文摘
本文采用Silvaco TCAD软件对GaN基InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)的光谱特性进行了仿真研究。研究结果表明:光谱会随着注入电压的增加而产生蓝移现象,并出现0.365μm处的紫外光发光峰;发光效率在正向电流较小时增长很快,随着正向电流进一步增加而逐渐趋于饱和;随着量子阱中In组分和量子阱阱层厚度的增加,发光光谱出现红移现象,并且发光效率下降。仿真结果对GaN基InGaN/GaN量子阱结构蓝光LED的设计和优化提供一定的依据。
关键词
gan
基蓝光
led
In
gan
/
gan
量子阱
In组分
阱层厚度
Silvaco
TCAD
Keywords
blue
gan
-
based
led
In
gan
/
gan
quantum well
In fraction
well width
silvaco TCAD
分类号
O472 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
LED受ESD冲击前后性能的变化分析
被引量:
3
4
作者
陆海泉
李抒智
杨卫桥
严伟
机构
上海北京大学微电子研究院
上海半导体照明工程技术研究中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第10期957-960,共4页
基金
上海市科委资助项目(09DZ1141504)
文摘
对GaN基蓝光LED施加ESD冲击,比较LED在受到ESD冲击前后I-V特性曲线、-5 V反向漏电流以及光色电特性的变化发现在I-V特性曲线和-5 V反向漏电流有明显变化的情况下,LED的光色电特性没有明显变化。选择在受到ESD冲击后反向漏电流值为不同数量级的LED作为样品进行加速老化实验,比较样品在加速老化实验前后的I-V特性曲线、光色电特性等参数的变化。通过比较样品之间的光衰减速率,发现反向漏电流大于1 mA时,样品的光衰减明显加快。
关键词
gan
基蓝光
led
静电放电
I
-
V特性
反向漏电流
光色电特性
加速老化实验
Keywords
gan
-
based
blue
leds
electrostatic discharge(ESD)
I
-
V characteristics
reverse leakage current
optical properties
accelerated aging test
分类号
TN364.2 [电子电信—物理电子学]
TN306 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
静电对Si衬底GaN基蓝光LED老化寿命的影响
乐淑萍
郑畅达
江风益
《南昌大学学报(理科版)》
CAS
北大核心
2007
1
下载PDF
职称材料
2
GaN蓝光LED电极接触电阻的优化
裴风丽
陈炳若
陈长清
《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
2
下载PDF
职称材料
3
影响GaN基蓝光LED能带结构与光谱特性关系的仿真研究
李芸
杨治美
马瑶
龚敏
何飞
《光散射学报》
北大核心
2017
3
下载PDF
职称材料
4
LED受ESD冲击前后性能的变化分析
陆海泉
李抒智
杨卫桥
严伟
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
3
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部