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GaN基LED表面三维凹球结构的制备及其发光增强 被引量:1
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作者 尹红星 毛鹏程 许冰 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第9期1495-1502,共8页
以紫外曝光技术为基础,得到了欠曝光条件下的三维凹球结构,结合菲涅尔衍射效应和邻近效应开发了一种制备密排三维周期性凹球结构的方法,并重点研究了掩膜版类型和光刻胶厚度对曝光图形的影响。实验结果表明,采用六方密排结构的明场掩膜... 以紫外曝光技术为基础,得到了欠曝光条件下的三维凹球结构,结合菲涅尔衍射效应和邻近效应开发了一种制备密排三维周期性凹球结构的方法,并重点研究了掩膜版类型和光刻胶厚度对曝光图形的影响。实验结果表明,采用六方密排结构的明场掩膜图案,当光刻胶厚度为1.3~1.5μm时,可以得到周期为3~5μm、占空比接近100%的三维凹球结构阵列。该三维凹球结构阵列在LED发光增强及微透镜阵列等方面有广阔的应用前景,并在实验中实现了GaN基LED发光增强163.4%,通过角分辨分析得到LED发光在法线方向的30°~65°和115°~150°增强最为明显,扩大了LED光出射的角度,对LED作为显示器件增大可视角度具有重要意义。 展开更多
关键词 gan LED发光增强 三维凹球结构 紫外(uv)曝光 欠曝光 菲涅尔衍射 邻近效应
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Growth of GaN Thin Film by Pulsed Laser Deposition and Its Application on Ultraviolet Detectors
2
作者 Dadi Rusdiana Maman Budiman Mochamad Barmawi 《材料科学与工程(中英文A版)》 2011年第3X期336-341,共6页
关键词 gan薄膜 脉冲激光沉积 紫外探测器 薄膜生长 应用 纤锌矿结构 载流子浓度 电子迁移率
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GaN基紫外探测器及其研究进展 被引量:45
3
作者 李向阳 许金通 +5 位作者 汤英文 李雪 张燕 龚海梅 赵德刚 杨辉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第3期276-280,共5页
宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用。GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器。对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了p... 宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用。GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器。对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了p型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻等。最后,对国内外近期的紫外探测器特别是紫外焦平面器件的研究进展及初步获得的32×32紫外焦平面探测器进行了简单介绍。 展开更多
关键词 紫外探测器 氮化镓 铝镓氮 紫外焦平面器件
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GaN基半导体太阳盲区紫外探测器研究进展 被引量:11
4
作者 苑进社 陈光德 张显斌 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期5-11,共7页
 基于半导体紫外光探测器的基本类型,在对半导体紫外探测器的研发历史进行简要回顾的同时,综述了各种形式GaN基紫外探测器的研究开发现状,并报道了GaN基宽带半导体太阳盲区紫外光探测器研究新进展。
关键词 gan基半导体 紫外辐射 太阳盲区 紫外探测器
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透射式GaN光电阴极在正面光照和背面光照下的量子效率特性研究 被引量:3
5
作者 杜晓晴 钟广明 田健 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期397-401,共5页
研究了透射式GaN光电阴极在正面光照和背面光照两种工作模式下的光电发射特性差异及影响因素,并推导了这两种工作模式下的量子效率理论公式,利用所推导的公式对实验获得的GaN光电阴极量子效率曲线进行了分析。研究结果表明,两种工作模... 研究了透射式GaN光电阴极在正面光照和背面光照两种工作模式下的光电发射特性差异及影响因素,并推导了这两种工作模式下的量子效率理论公式,利用所推导的公式对实验获得的GaN光电阴极量子效率曲线进行了分析。研究结果表明,两种工作模式下光电子的表面逸出几率与光子能量具有不同的依赖关系,背面光照下,光电子将以一个一致的表面逸出几率从表面发射出去,并且短波响应会受到缓冲层及界面特性的影响,总体光电发射效率依赖于阴极表面势垒所决定的平均电子逸出几率。利用所推导的量子效率公式对实验曲线进行拟合,可实现多个阴极参量的评估,这为透射式GaN阴极材料与制备工艺水平的分析提供了重要依据。 展开更多
关键词 紫外探测 透射式gan光电阴极 量子效率特性 背面光照 正面光照
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利用紫外透射光谱研究透射式GaN光电阴极的材料结构及光学特性 被引量:2
6
作者 杜晓晴 田健 周强富 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1606-1610,共5页
GaN紫外光电阴极是近年发展起来的一种高性能真空紫外探测器件,其中透射式结构作为光电阴极实际应用的工作模式,其多层结构参数及光学特性对阴极的最终光电发射性能有着重要的影响。测试了透射式GaN阴极材料的紫外透射光谱,通过建立透射... GaN紫外光电阴极是近年发展起来的一种高性能真空紫外探测器件,其中透射式结构作为光电阴极实际应用的工作模式,其多层结构参数及光学特性对阴极的最终光电发射性能有着重要的影响。测试了透射式GaN阴极材料的紫外透射光谱,通过建立透射式GaN阴极样品的透射模型,得到了GaN阴极样品的薄膜厚度、光学吸收系数与透射谱之间的函数关系。计算得到的GaN外延材料的厚度与实际值误差小,吸收系数与已发表数据一致,表明紫外透射光谱法能够准确地实现透射式GaN阴极材料结构及光学特性的评估。 展开更多
关键词 紫外透射光谱 透射式gan光电阴极 薄膜厚度 光学吸收系数
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GaN光电阴极测试与评估技术研究 被引量:1
7
作者 李飙 任艺 +1 位作者 常本康 陈文聪 《半导体光电》 CAS 北大核心 2016年第3期387-391,共5页
GaN光电阴极的制备成功与否需用科学手段加以评估。在GaAs光电阴极多信息量测试系统的基础上,增设紫外光源,并对评估软件重新加以编写,设计出GaN光电阴极测试评估系统。利用该系统测试了GaN光电阴极在制备过程中的Cs源电流、O源电流、... GaN光电阴极的制备成功与否需用科学手段加以评估。在GaAs光电阴极多信息量测试系统的基础上,增设紫外光源,并对评估软件重新加以编写,设计出GaN光电阴极测试评估系统。利用该系统测试了GaN光电阴极在制备过程中的Cs源电流、O源电流、光电流和激活室真空度等多个信息量,并利用激活后的光谱响应对阴极进行了评估,实现了对GaN光电阴极性能的客观评价。 展开更多
关键词 紫外探测器 氮化镓 光电阴极 测试 评估 光谱响应
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GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展
8
作者 朱彦旭 李锜轩 +3 位作者 谭张杨 李建伟 魏昭 王猜 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第5期337-348,共12页
紫外光在各领域应用广泛,制备高性能紫外光电探测器(UV PD)受到研究人员的重视。GaN作为宽禁带半导体材料,具有高电子迁移率、稳定的物理化学性质、高击穿电压、低暗电流和固有可见盲区的特点。GaN基UV PD具有制备工艺简单、体积小无需... 紫外光在各领域应用广泛,制备高性能紫外光电探测器(UV PD)受到研究人员的重视。GaN作为宽禁带半导体材料,具有高电子迁移率、稳定的物理化学性质、高击穿电压、低暗电流和固有可见盲区的特点。GaN基UV PD具有制备工艺简单、体积小无需附加滤光系统、易于与其他材料集成等特点,表现出优异的紫外光探测性能。围绕GaN基UV PD,介绍了GaN材料在制备工艺上的研究进展;详细论述了常见结构GaN基UV PD最新结构的优化对器件性能的影响;介绍了基于表面声波、表面等离激元和场效应晶体管集成的新型GaN基UV PD;最后,对GaN基UV PD的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 gan 紫外光电探测器(uv PD) 器件优化 响应度 比探测率
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可见光对GaN基紫外焦平面读出电路的影响 被引量:4
9
作者 贾寒昕 徐运华 +1 位作者 亢勇 李向阳 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期402-405,共4页
GaN材料对可见光是透明的,而Si材料可以吸收可见光。在面阵GaN基紫外焦平面中,GaN探测器与Si读出电路通过铟柱倒焊互连,可见光可穿过GaN材料而被Si材料吸收。研究了可见光对于GaN基紫外焦平面读出电路影响的机制,并提出了通过在电路中... GaN材料对可见光是透明的,而Si材料可以吸收可见光。在面阵GaN基紫外焦平面中,GaN探测器与Si读出电路通过铟柱倒焊互连,可见光可穿过GaN材料而被Si材料吸收。研究了可见光对于GaN基紫外焦平面读出电路影响的机制,并提出了通过在电路中覆盖铝层的方法减小可见光的影响,最后用实验证实了此方法对于抑制可见光干扰的影响的有效性。 展开更多
关键词 焦平面 读出电路 紫外 可见光 gan
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海面溢油紫外推扫相机航空遥感监测校飞结果分析 被引量:4
10
作者 尹达一 周青 +2 位作者 黄小仙 张燕 李向阳 《海洋科学进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期239-248,共10页
海面溢油是最常见的海洋污染物之一,对这类污染进行遥感监测并做出早期快速预报十分重要。研制并验证一种新型的紫外航空遥感推扫成像的方法:在2008年紫外氮化镓(GaN)基512元线列阵探测器关键技术获得突破的基础上,于2009年研制成功一... 海面溢油是最常见的海洋污染物之一,对这类污染进行遥感监测并做出早期快速预报十分重要。研制并验证一种新型的紫外航空遥感推扫成像的方法:在2008年紫外氮化镓(GaN)基512元线列阵探测器关键技术获得突破的基础上,于2009年研制成功一台推扫成像的紫外原理样机(包含2个可见光波段),紫外波段的瞬时视场角500μrad,视场角15°,在一个标准太阳常数下信噪比不小于2 500。在黄海日照近岸海域完成的航空校飞表明,海面溢油目标的紫外推扫图像清晰可辨,达到相机预期设计的全部技术指标,成功验证紫外GaN基线列探测推扫成像技术的可行性;还表明高探测灵敏度的紫外推扫成像技术能够适用于监测海面溢油的薄油膜污染,为未来航空甚至空间平台条件下监测海洋以及内陆水体的溢油污染提供一种新型的光学遥感探测手段。 展开更多
关键词 紫外(uv) 海面溢油 氮化镓(gan) 推扫成像技术 航空校飞
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紫外光电阴极研究进展 被引量:7
11
作者 唐光华 戴丽英 +3 位作者 钟伟俊 申屠军 李慧蕊 姜文海 《真空电子技术》 2011年第6期5-11,共7页
本文对传统的紫外光电阴极以及新型的宽禁带半导体光电阴极进行了总结和分析,并介绍了它们目前的研究现状。同时,针对紫外探测的需求,提出了它们目前还存在的一些问题,并对未来改进紫外光电阴极性能提出了一些设想和方法。
关键词 量子效率 稳定性 紫外光电阴极 宽禁带半导体光电阴极 CsI阴极 Cs2Te和Rb2Te阴极 金刚石阴极 gan阴极 ZnO阴极
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透紫玻璃与蓝宝石的热压粘结工艺研究 被引量:2
12
作者 石吟馨 戴丽英 +2 位作者 钟伟俊 马建一 王远阳 《光电子技术》 CAS 北大核心 2010年第3期207-210,共4页
透射式GaN阴极组件是GaN紫外日盲型探测器的最关键部件之一。介绍了制备透射式GaN阴极组件的工艺难点,主要报道了透紫玻璃与蓝宝石的热压粘结工艺的原理和研制过程,并着重分析了热压粘结工艺中出现的问题,同时提出了拟定的解决方案。
关键词 透射式gan阴极组件 透紫玻璃 蓝宝石 热压粘结
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负电子亲和势氮化镓光电阴极 被引量:7
13
作者 李慧蕊 申屠军 +1 位作者 戴丽英 马建一 《光电子技术》 CAS 2007年第2期73-77,共5页
负电子亲和势GaN光电阴极在紫外探测技术领域具有诱人的应用前景。本文在介绍和分析负电子亲和势GaN光电阴极的特点、工作原理及其能带结构的基础上,设计了GaN外延材料的结构和阴极制作工艺。指出负电子亲和势GaN光电阴极制备的关键在... 负电子亲和势GaN光电阴极在紫外探测技术领域具有诱人的应用前景。本文在介绍和分析负电子亲和势GaN光电阴极的特点、工作原理及其能带结构的基础上,设计了GaN外延材料的结构和阴极制作工艺。指出负电子亲和势GaN光电阴极制备的关键在于材料的生长、与输入光窗的融焊、衬底的减薄及彻底的去气处理和超高真空状态下的铯、氧激活。 展开更多
关键词 超高真空 激活 负电子亲和势 gan光电阴极 紫外敏感 光电探测
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Cs量与Cs_2Te光阴极紫外-可见光抑制比关系研究
14
作者 刘晖 张连东 +3 位作者 冯刘 程宏昌 高翔 苗壮 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第3期940-943,共4页
紫外-可见光抑制比是决定全天时紫外探测成像系统信噪比的一个重要参数。为了研究激活时Cs量对Cs2Te紫外光阴极紫外-可见光抑制比(S280 nm/S320 nm)的影响,利用三组不同Cs量的多次激活实验,通过分别对比紫外-可见光抑制比结果和200~... 紫外-可见光抑制比是决定全天时紫外探测成像系统信噪比的一个重要参数。为了研究激活时Cs量对Cs2Te紫外光阴极紫外-可见光抑制比(S280 nm/S320 nm)的影响,利用三组不同Cs量的多次激活实验,通过分别对比紫外-可见光抑制比结果和200~400 nm的光谱响应曲线,得到不同Cs量激活的Cs2Te光阴极其紫外-可见光抑制比在4.0~7.6之间变化。随着Cs量的增大,紫外光阴极的积分灵敏度相应增长,主要体现在260~320 nm ,但峰值256 nm处的辐射灵敏度增长不明显。重点分析了激活时Cs量对大于320 nm波长范围光谱响应的影响。 展开更多
关键词 紫外-可见光抑制比 紫外光阴极 日盲
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GaN负电子亲和势光电阴极的激活工艺 被引量:8
15
作者 杜晓晴 常本康 +3 位作者 钱芸生 富容国 高频 乔建良 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期385-388,共4页
以金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延的p型GaN为阴极发射层材料,通过对激活过程中阴极光电流的在线监测,考察了Cs激活,Cs/O交替激活以及高低温两步激活对GaN阴极光电发射性能的影响。实验结果表明,单用Cs激活就可制备出量子效率约为20%的... 以金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延的p型GaN为阴极发射层材料,通过对激活过程中阴极光电流的在线监测,考察了Cs激活,Cs/O交替激活以及高低温两步激活对GaN阴极光电发射性能的影响。实验结果表明,单用Cs激活就可制备出量子效率约为20%的GaN光电阴极,Cs激活后再进行2~3个Cs/O循环激活可小幅度提高量子效率,高低温两步激活不能进一步提高量子效率。利用偶极层表面模型对实验现象进行了解释。 展开更多
关键词 光电子学 负电子亲和势(NEA)光电阴极 gan光电阴极 激活工艺 紫外探测 Cs/O吸附
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GaN紫外光阴极材料的高低温两步制备实验研究 被引量:8
16
作者 杜晓晴 常本康 +2 位作者 钱芸生 乔建良 田健 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1734-1738,共5页
GaN紫外光阴极是一种表面具有负电子亲和势(NEA)状态的光电发射材料,具有电子发射效率高、暗发射小、稳定性好等众多优点,是近年来得到迅速发展的一种新型高性能紫外探测材料。采用超高真空原子吸附工艺,对金属有机物化学汽相沉积(MOCVD... GaN紫外光阴极是一种表面具有负电子亲和势(NEA)状态的光电发射材料,具有电子发射效率高、暗发射小、稳定性好等众多优点,是近年来得到迅速发展的一种新型高性能紫外探测材料。采用超高真空原子吸附工艺,对金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)外延的p型GaN表面依次进行了高温净化、Cs/O激活、低温净化和Cs/O激活的高低温两步光阴极制备实验。实验结果表明,高温净化后的Cs/O激活可制备出量子效率约为20%的GaN紫外光阴极材料,第二步低温净化后GaN表面仍具有光电发射能力,经过Cs/O激活后可将阴极光电流恢复到接近高温激活结束后的水平,说明GaN阴极材料的制备只需单步高温激活完成。通过比较GaN与GaAs光阴极材料的高低温制备效果差异,对GaN光阴极制备工艺的机理进行了探讨。 展开更多
关键词 材料 负电子亲和势光电阴极 gan紫外光电阴极 高低温两步激活 光电发射 表面净化 Cs/O吸附
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变掺杂GaN光电阴极的制备及发射机理研究 被引量:1
17
作者 杜晓晴 田健 常本康 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第F12期12-16,共5页
为了提高GaN阴极的紫外探测效率,提出了一种由体内到表面、掺杂浓度由高到低的变掺杂GaN阴极材料结构,采用超高真空(Cs,0)激活工艺进行了阴极制备,对均匀掺杂和变掺杂GaN光电阴极的光谱响应特性进行了测试与比较。与传统具有均匀... 为了提高GaN阴极的紫外探测效率,提出了一种由体内到表面、掺杂浓度由高到低的变掺杂GaN阴极材料结构,采用超高真空(Cs,0)激活工艺进行了阴极制备,对均匀掺杂和变掺杂GaN光电阴极的光谱响应特性进行了测试与比较。与传统具有均匀掺杂结构的GaN阴极相比,这种变掺杂结构的阴极在反射工作模式下具有更高的量子效率(量子效率平均提高了30%)和更好的长波紫外响应特性(长波响应提高了43%)。通过比较变掺杂与均匀掺杂阴极在能带结构、光电子体内输运效率、光电子表面发射效率等特性上的差异,对变掺杂GaN光电阴极获得更高量子效率的机理进行了分析。 展开更多
关键词 测量 紫外探测 gan光电阴极 变掺杂结构 量子效率 光电子输运
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Polarization-induced photocurrent switching effect in heterojunction photodiodes
18
作者 Dingbo Chen Yu-Chang Chen +8 位作者 Guang Zeng Yu-Chun Li Xiao-Xi Li Dong Li Chao Shen Nan Chi Boon S.Ooi David Wei Zhang Hong-Liang Lu 《Nano Research》 SCIE EI CSCD 2023年第4期5503-5510,共8页
The unipolar photocurrent in conventional photodiodes(PDs)based on photovoltaic effect limits the output modes and potential versatility of these devices in photodetection.Bipolar photodiodes with photocurrent switchi... The unipolar photocurrent in conventional photodiodes(PDs)based on photovoltaic effect limits the output modes and potential versatility of these devices in photodetection.Bipolar photodiodes with photocurrent switching are emerging as a promising solution for obtaining photoelectric devices with unique and attractive functions,such as optical logic operation.Here,we design an all-solid-state chip-scale ultraviolet(UV)PD based on a hybrid GaN heterojunction with engineered bipolar polarized electric field.By introducing the polarization-induced photocurrent switching effect,the photocurrent direction can be switched in response to the wavelength of incident light at 0 V bias.In particular,the photocurrent direction exhibits negative when the irradiation wavelength is less than 315 nm,but positive when the wavelength is longer than 315 nm.The device shows a responsivity of up to−6.7 mA/W at 300 nm and 5.3 mA/W at 340 nm,respectively.In particular,three special logic gates in response to different dual UV light inputs are demonstrated via a single bipolar PD,which may be beneficial for future multifunctional UV photonic integrated devices and systems. 展开更多
关键词 gan heterostructure ultraviolet(uv)photodiodes bipolar photocurrent optical logic device
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