半导体光放大器增益饱和及其开关特性的研究

从理论上研究了行波半导体光放大器的增益饱和特性。由半导体的单模速率方程出发，应用半导体光放大器的传输波动方程，推导了放大器的增益特性表达式。根据半导体光放大器增益饱和特性，研究了开关特性。

宽带偏振不灵敏InGa As半导体光放大器

采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构，研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器．此放大器在100-250mA的工作电流范围内，获得了大于70nm的3dB光带宽；在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内，偏振灵敏度小于1dB．对于1．55μm的信号光，在200mA的注入电流下获得了15．6dB的光纤到光纤的增益、小于0．7dB的偏振灵敏度和4．2dBm的饱和输出功率．

变频调速应用技术(一) 第一讲 百年期待盼变频(上)

变频器进入实用阶段,比发明异步电动机晚了近百年。本文从分析其原因入手,讲述了影响实施变频调速的主要问题。进而介绍了变频同时还必须变压的原理,以及正弦脉宽凋制的具体实施方法。

高增益偏振不灵敏InGaAs/InP体材料半导体光放大器

采用三元InGaAs体材料为有源区,通过直接在InGaAs体材料中引入020%张应变来加强TM模的增益,研制了一种适合于作波长变换器的偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。在低压金属有机化学气相外延(LPMOVPE)的过程中,只需调节三甲基Ga的源流量便可获得所要求的张应变量。制作的半导体光放大器在200mA的注入电流下,获得了50nm宽的3dB光带宽和小于05dB的增益抖动;重要的是,半导体光放大器能在较大的电流和波长范围里实现小于11dB的偏振灵敏度。对于155μm波长的信号光,在200mA的偏置下,其偏振灵敏度小于1dB,同时获得了大于14dB光纤到光纤的增益,3dBm的饱和输出功率和大于30dB的芯片增益。用作波长变换器,可获得较高的波长变换效率。进一步提高半导体光放大器与光纤的耦合效率,可得到性能更佳的半导体光放大器。