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一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性
被引量:
5
1
作者
牛振红
郭旗
+3 位作者
任迪远
刘刚
高嵩
肖志斌
《核技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期37-39,共3页
对一种国产GalnP/GaAs/Ge三结太阳电池进行了1 MeV电子辐照损伤研究,分析和讨论了不同注量电池电参数和光谱响应的衰降规律。实验结果表明,这种电池不但有很高的初始效率,而且有好的抗辐射性,电子注量达到1×1015cm-2时,最大输出功...
对一种国产GalnP/GaAs/Ge三结太阳电池进行了1 MeV电子辐照损伤研究,分析和讨论了不同注量电池电参数和光谱响应的衰降规律。实验结果表明,这种电池不但有很高的初始效率,而且有好的抗辐射性,电子注量达到1×1015cm-2时,最大输出功率为辐照前的80.4%。辐照后GalnP顶电池几乎不发生退化,而GaAs中间电池短路电流严重退化,致使GalnP顶电池与GaAs中间电池电流失配,是GalnP/GaAs/Ge电池性能退化的主要原因。
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关键词
多结太阳电池
GaInP/GaAs
/ge
电子辐照
辐照效应
光谱响应
下载PDF
职称材料
超薄GaInP/GaInAs/Ge太阳电池研究
被引量:
3
2
作者
高伟
张宝
+2 位作者
薛超
高鹏
王保民
《电源技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期1069-1070,1142,共3页
通过特殊的MOCVD技术和器件工艺,应用超薄衬底和对正常衬底的减薄两种方法,成功地制作出了80 mm厚的超薄GaInP/GaInAs/Ge结构的太阳电池。对太阳电池进行了相关的测试,并对实验结果进行了分析和讨论。
关键词
MOCVD技术
器件工艺
GAINP
GAINAS
ge
太阳电池
下载PDF
职称材料
题名
一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性
被引量:
5
1
作者
牛振红
郭旗
任迪远
刘刚
高嵩
肖志斌
机构
中国科学院新疆理化技术研究所
天津电源研究所
出处
《核技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期37-39,共3页
文摘
对一种国产GalnP/GaAs/Ge三结太阳电池进行了1 MeV电子辐照损伤研究,分析和讨论了不同注量电池电参数和光谱响应的衰降规律。实验结果表明,这种电池不但有很高的初始效率,而且有好的抗辐射性,电子注量达到1×1015cm-2时,最大输出功率为辐照前的80.4%。辐照后GalnP顶电池几乎不发生退化,而GaAs中间电池短路电流严重退化,致使GalnP顶电池与GaAs中间电池电流失配,是GalnP/GaAs/Ge电池性能退化的主要原因。
关键词
多结太阳电池
GaInP/GaAs
/ge
电子辐照
辐照效应
光谱响应
Keywords
Multiple-junction
solar
cell
,
galnp/
GaAs
/ge
, Electron irradiation, Radiation effect, Spectral response
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
超薄GaInP/GaInAs/Ge太阳电池研究
被引量:
3
2
作者
高伟
张宝
薛超
高鹏
王保民
机构
中国电子科技集团公司第十八研究所
出处
《电源技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期1069-1070,1142,共3页
文摘
通过特殊的MOCVD技术和器件工艺,应用超薄衬底和对正常衬底的减薄两种方法,成功地制作出了80 mm厚的超薄GaInP/GaInAs/Ge结构的太阳电池。对太阳电池进行了相关的测试,并对实验结果进行了分析和讨论。
关键词
MOCVD技术
器件工艺
GAINP
GAINAS
ge
太阳电池
Keywords
MOCVD technology
device process
galnp/galnas/ge solar cells
分类号
TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性
牛振红
郭旗
任迪远
刘刚
高嵩
肖志斌
《核技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
5
下载PDF
职称材料
2
超薄GaInP/GaInAs/Ge太阳电池研究
高伟
张宝
薛超
高鹏
王保民
《电源技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014
3
下载PDF
职称材料
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