Ge(313)表面能带结构分析

使用紧束缚最近邻近似下的 sp3s* 模型 ,利用形式散射理论的格林函数方法 ,首次分析了半导体 Ge的(313)高指数表面的表面能带结构 .采用层轨道表象及表面投影技术 ,给出了 (313)表面在二维布里渊区高对称点的波矢分辩的电子态密度和表面投影能带结构 .分析结果表明 :(313)表面在 - 12 e V到 1e V的能区内存在 6个主要的表面态 .在此基础上讨论了各表面态的轨道特性。