甜樱桃矮化砧木吉塞拉(Gisela)的离体叶片再生植株研究

用甜樱桃矮化砧木吉塞拉（Ｇｉｓｅｌａ）５号、７号（Ｐｒｕｎｕｓ ｃｅｒａｓｕｓ ｘ Ｐ．ｃａｎｅｓｃｅｎｓ）无菌生根苗的叶片作为外植体，进行不定芽再生植株的研究。以ＷＰＭ＋ＢＡ ５～７ ｍｇ／Ｌ＋ＩＢＡ ０．１～１．０ｍｇ／Ｌ做培养基，不定芽再生率高达７０％；吉塞拉５号的再生率明显高于７号；培养基中高浓度的细胞分裂素抑制吉塞拉７号的不定芽再生。不定芽的增殖、生根、温室锻炼、大田移栽均已获得成功，同时观察了植株在大田的生长状况。该成果可用于樱桃转基因育种和多倍体植株培育的研究。

大樱桃矮化砧吉塞拉(Gisela)的微体快繁技术体系研究

以从国外引进的大樱桃矮化砧吉塞拉 5、 6为材料 ,在MS +6 -BA1mg L +IBA0 1mg L培养基上诱导出丛生芽 ;在MS +6 -BA 0 5mg L +IBA 0 1mg L的增殖培养基上 3周增殖倍数可达 1 0倍 ;在 1 2MS+IBA 0 3mg L的生根培养基上生根率可达 70 %～ 1 0 0 % ;温室炼苗后 ,移栽成活率可达 90 %以上。

甜樱桃矮化砧木新品种Gisela的研究进展

甜樱桃矮化砧木新品种Gisela引入我国十多年来,已在多地进行了大量的试种比较试验及机理研究。为正确认识及推广应用该新品种,在多年科研的基础上结合目前种苗市场存在的问题,对该新品种的园艺特性、抗逆性、嫁接亲和性、苗木繁育及其缺点和栽培注意事项等作全面综述。

盐处理下2种砧木对甜樱桃‘萨米脱’光合影响的比较

在不同浓度NaCl处理下,测定了以‘吉塞拉5号’(G5)、B5为砧木的甜樱桃‘萨米脱’光合和叶绿素荧光参数。结果表明:盐胁迫下,2种砧木嫁接的‘萨米脱’叶片的Pn、Gs、Fv/Fo、ΦPSII和ETR值随着处理浓度的增加或处理时间的延长显著下降,适度盐胁迫对‘萨米脱’叶片的光合抑制主要是气孔限制(0.3%和0.6%NaCl),高盐胁迫主要为非气孔限制(0.9%NaCl)。2种砧木对所嫁接的‘萨米脱’光合影响效应因盐胁迫程度而异,适度盐胁迫下,以G5为砧木的Pn、Gs、Fv/Fo、ΦPSII和ETR值较以B5为砧木的下降时间晚且降幅小,但在高盐胁迫下则反之。

盐胁迫对甜樱桃“吉塞拉”砧木光合指标的影响

以甜樱桃砧木"吉塞拉6号"(G6)、"吉塞拉5号"(G5)、Y1和B5的1a生盆栽实生苗为试材,探讨了不同浓度NaCl处理对其光合指标的影响。结果表明:盐胁迫影响了"吉塞拉"砧木的光合色素含量、光合参数和叶绿素荧光参数。随着NaCl处理浓度增加和处理时间延长,各试材的净光合速率(Pn)、气孔导度(Gs)和蒸腾速率(Tr)、PSⅡ潜在活性(Fv/Fo)、实际原初光能转化效率(ΦPSII)和表观电子传递速率(ETR)显著下降,其中B5的下降趋势相对平缓。盐胁迫对"吉塞拉"砧木的效应既有处理间差异,又有品种间差异。轻中度盐胁迫(3‰NaCl和6‰NaCl处理前中期)并未明显抑制各试材的PSII活性,重度盐胁迫导致各试材PSII受损,光合受到抑制。比较而言,B5的抗盐性优于其它3种试材。

干旱胁迫对甜樱桃吉塞拉砧木光合的影响

以甜樱桃吉塞拉系列砧木-吉塞拉6号(G6)、吉塞拉5号(G5)、Y1和B5的1 a生盆栽实生苗为试材,检测了其在干旱处理下的光合和叶绿素荧光参数。结果表明:干旱胁迫影响了吉塞拉砧木的叶绿素含量、光合参数和叶绿素荧光参数,各试材的净光合速率(Pn)、PSⅡ潜在活性(Fv/Fo)、实际原初光能转化效率(ΦPSⅡ)和表观电子传递速率(ETR)随胁迫程度的加重显著下降。干旱胁迫对吉塞拉砧木光合影响的效应既有品种间差异,又有处理间差异,轻度干旱促进了G5和B5的光合,而重度干旱胁迫对4种吉塞拉砧木的光合均产生抑制作用。

大樱桃矮化砧木吉塞拉6号的组织培养和快速繁殖技术研究

以吉塞拉6号带腋芽茎段为外植体,对大樱桃矮化砧木吉塞拉6号进行了组织培养和快速繁殖技术研究。结果表明,较佳的启动培养基:MS+0.5 mg/L 6-BA+0.2 mg/L NAA,较佳的增殖培养基:MS+1.0 mg/L 6-BA+0.2 mg/L NAA;较佳的生根培养基:1/2 MS+0.5 mg/L IBA+2.0 g/L AC。生根培养第13天进行试管苗炼苗,第20天进行移栽,移栽后的成活率较高,分别为最佳的生根诱导和移栽时间;粉碎苔藓是吉塞拉6号较好的瓶外生根基质。

甜樱桃新矮化砧木“吉塞拉12号”组培快繁技术研究

“吉塞拉12号”是从美国引进的甜樱桃优良矮化砧木,主根发达,固地性强,结果盛期无早衰现象,因其压条、扦插繁殖困难,生产中该砧木资源严重不足。本研究以“吉塞拉12号”顶芽为外植体,通过系统试验,建立了其组培快繁技术体系。结果表明,0.1%HgCl_(2)处理12 min可将外植体污染率控制在4%以内,死亡率控制在3%以内,MS+6-BA 0.5 mg/L+IBA 0.3 mg/L的培养基适合顶芽萌发;MS+6-BA 0.8 mg/L+IBA 0.3 mg/L为最佳增殖培养基,增殖率高达97.06%,增殖系数为6.58;1/2MS+IBA 0.5 mg/L+NAA 0.5 mg/L为最佳生根培养基,生根率为60.83%;“吉塞拉12号”试管苗移栽对栽培基质要求不严,普通育苗轻基质在保持湿度和良好的透气条件下,移栽成活率可达95%以上。研究结果对开展“吉塞拉12号”及相关树种工厂化育苗具有重要的应用价值,同时可为同类树种的基因工程改良奠定基础。

提高大樱桃矮化砧木吉塞拉试管苗移栽成活率的研究

研究了影响大樱桃矮化砧木吉塞拉试管苗移栽于温室和大田成活的因素。认为影响试管苗温室锻炼成活的最重要的因素是镰刀真菌 (Fusariumequiseti)引起的立枯病。使用壮苗在干净的河沙基质上培养 ,发病率低 ,成活率高 ,最高可达 94 %以上。露天炼苗、砂壤土栽植、遮荫网覆盖等措施可提高试管苗在大田的成活率 ,最高可达 95%以上 。

甜樱桃砧木吉塞拉离体茎尖玻璃化法超低温保存研究

为保持甜樱桃矮化砧木吉塞拉的遗传稳定性和避免种质遗传资源丢失,以玻璃化法超低温冷冻保存过程中涉及的主要因子设计正交试验,摸索适合吉塞拉的最佳保存体系;设计单因子试验,观察不同单因子对吉塞拉超低温冷冻保存的影响。结果表明,取生长90 d的组培苗于4℃低温锻炼3周或4周,剥取茎尖放于含0.3 mol/L蔗糖的预培养液中预培养1 d,在装载液中渗透30 min,用PVS3玻璃化试剂0℃处理60min后投入到液氮中保存24 h,取出后经40℃水浴快速化冻1 min,卸载液洗涤两次,每次10 min,后置于恢复培养基上,茎尖的存活率最高且遗传稳定性好。本试验成功建立了甜樱桃矮化砧木吉塞拉的玻璃化法超低温保存技术,为甜樱桃种质资源的长期保存提供了一条有效途径。

暗培养温度对吉塞拉6号离体新梢生根的影响

以在增殖培养基上生长3～4周的甜樱桃矮化砧木吉塞拉6号离体新梢为试材，研究20℃、25℃、30℃和35℃条件下暗培养后离体新梢的生根状况。结果表明，在黑暗诱导生根阶段，20℃效果最好；其次为25℃和30℃，35℃会抑制生根。30℃最有利于根的生长，25℃和35℃次之，20℃根的生长速度最慢。

聚乙烯醇在大樱桃砧木吉塞拉组织培养中的作用

以樱桃砧木吉塞拉为试材,研究了不同质量浓度聚乙烯醇(PVA)对樱桃砧木吉塞拉组织培养不同阶段的影响。结果表明,1 g/L的聚乙烯醇可有效提高吉塞拉丛生芽的诱导率,2 g/L的聚乙烯醇不但可以降低其玻璃化率、提高其分化数量,还可以提高其移栽成活率。因此,聚乙烯醇在吉塞拉砧木的初代诱导、继代增殖和生根培养中均有良好的促进作用。

吉塞拉樱桃砧木组培苗分化的研究

通过对二个品种樱桃砧木的叶片和叶柄的诱导和分化研究,认为两种砧木的叶柄再生能力都强于叶圆盘,BA作用强于KT,NAA优于IBA。综合平衡后可总结出一种诱导和分化芽的通用配方熏即:M S+BA 1～2mg/L+KT1～2mg/L+NAA 0.5mg/L+IBA 0.5mg/L。再生芽的频率最高可达42%～67%。1/2M S培养基附加生根粉(ABT)2mg/L,黑暗处理3d后,生根率和移栽成活率能达到91.8%～93.8%。

大樱桃砧木吉塞拉组培快繁技术研究

[目的]建立大樱桃砧木吉塞拉组培快繁技术体系。[方法]以吉塞拉5号的茎尖分生组织为外植体,从材料丛生芽的诱导、继代、生根以及炼苗与移栽方面研究其组培快繁技术。[结果]结果表明,适宜丛生芽诱导的培养基为MS+6-BA 1.00 mg/L+NAA 0.03mg/L+KT 1.50 mg/L+GA30.20 mg/L;试管苗在以1/2 MS+IBA 1.50 mg/L的培养基上生根效果好;以1/2草粪+1/2园土为移栽基质时,小苗成活率高。[结论]为大规模、快速生产吉塞拉组培苗提供理论和实践依据。

樱桃砧木吉塞拉6号快繁体系建立

[目的]建立樱桃砧木吉塞拉6号快速繁殖体系。[方法]以甜樱桃吉塞拉6号带腋芽茎段为外植体,探讨其在不同激素组合的培养基上的诱导效果及生根培养效果。[结果]适宜的芽诱导与增殖培养基为MS+6BA 1.0 mg/L+IBA0.1 mg/L+NAA 0.1 mg/L,分化率及增殖倍数可达92%和3.4,适合吉塞拉6号组培苗壮苗的培养基为MS+6BA 1.0 mg/L+IBA 0.05 mg/L+NAA 0.05 mg/L,适宜的生根培养基为1/2 MS+IAA 0.5 mg/L+IBA 0.5 mg/L+活性炭0.5 g/L。[结论]在促进吉塞拉6号的分化方面,6BA、IBA和NAA的共同作用优于6BA和IBA组合。

“吉塞拉6号”大樱桃砧木组培快繁技术研究

以吉塞拉6号茎段为材料进行大樱桃砧木组培快繁技术研究,结果表明:适宜吉塞拉6号的初代培养基是改良MS+6-BA 0.6 mg·L^(-1)+IBA 0.1 mg·L^(-1),诱导率为92.5%;继代培养基是改良MS+6-BA 0.8 mg·L^(-1)+IBA 0.1 mg·L^(-1),增殖系数为5.6;生根培养基是1/2MS+NAA 1 mg·L^(-1)+IBA 0.5 mg·L^(-1),生根率为98%;生根瓶苗移栽成活率在95%以上。