基于频谱遮罩的玻璃量器图像处理与围线检测方法

针对玻璃量器示值围线在边缘检测时存在噪点多的问题,研究了基于围线频谱分布特征的频域遮罩预处理技术和基于图像水平投影灰度的围线检测方法。具体分析了目标特征频谱,建立了遮罩模型和传递函数,讨论了函数参数对遮罩处理结果的影响,并根据空间域上玻璃量器围线与瓶体在灰度特征取向上的不同,提出了利用水平投影灰度的变化速率检测前半围线与后半围线的峰谷差大小的方法。通过比较边缘检测法与投影灰度法检测围线的结果,得出以下结论:频域遮罩处理能够有效地模糊和削弱玻璃量器与其他干扰信号,同时较好地保留围线边缘而不损失围线谷峰差大小,大大降低了后续图像处理的难度;投影灰度法能够有效检测出围线上边缘最高点和下边缘最低点,该方法对频域遮罩处理具有较强的鲁棒性。

基于机器视觉的树脂镜片水印疵病检测

为实现对树脂镜片水印缺陷的自动检测,建立了点光源投影成像光学仿真模型,并对光源与被检镜片相对距离、成像光屏反射率、镜片物理特性以及成像距离等参数进行了探索,以此为据设计了一套基于机器视觉的水印疵病自动检测系统装置,可实现对镜片投影图像的采集与分析.采用区域生长、形态学运算和椭圆拟合等算法将镜片投影区域从背景中分割,结合Sobel边缘检测、阈值分割方法提取投影图像灰度突变区域,并以面积阈值为约束条件实现对水印缺陷的识别与定位.试验结果表明,该方法可对不同类型镜片具有自适应性,对水印缺陷镜片判别率为100%,图像采集与分析平均耗时872 ms.

TACE手术中不同站姿下铅眼镜和铅面罩对医生眼晶状体防护效果的蒙特卡洛模拟比较

目的:使用蒙特卡洛方法和三维体素人体模型研究医生在肝动脉化疗栓塞手术中不同站姿下的眼晶状体辐射剂量水平,并比较铅面罩和铅眼镜对于眼晶状体的辐射防护效果。方法:以介入医护人员为研究对象,并选取面对病人、左转45°、右转45°3种常用站姿,计算佩戴铅面罩、佩戴铅眼镜、眼睛无防护措施3种情况下,医生的眼晶状体年当量剂量和左右眼晶状体的吸收剂量。结果:无防护情况下,眼晶状体受到年当量剂量按照左转45°、面对病人和右转45°这3种情况依次减小,但均超过IBSS年剂量限值20 mSv。戴铅眼镜情况下,不同站姿眼晶体年当量剂量相似且接近IBSS年剂量限值。戴铅面罩情况下,不同站姿下所受剂量均较小。对于左右眼晶体吸收剂量比较,左转45°时,右眼晶体剂量率大于左眼;而其他两种站姿时,右眼均小于左眼晶体剂量。结论:为了减少医生在肝动脉化疗栓塞手术中眼晶状体所受到的辐射剂量,在保证手术质量前提下,若无防护措施,应尽量采用正面面对和右转45°站姿。建议医生手术时佩戴铅面罩,将眼晶状体当量剂量降到最低。如果没有铅面罩,需注意加强左眼晶体的防护。

不同厚度IPS Empress玻璃陶瓷色遮蔽能力研究

探讨不同厚度的IPS Empress玻璃陶瓷的色遮蔽能力。制作直径10 mm、厚度分别为0.5 mm、1.0 mm、1.5mm和2.0 mm的IPS Empress dentin玻璃陶瓷试件(A2色)各5个,将不同厚度的试件分别置于黑色背景和白色背景上,用PR-650分光光度仪对试件中央区域进行颜色测量,计算每一厚度的色差和对比度,对数据进行统计学分析。结果表明:不同厚度的IPS Empress玻璃陶瓷的色差和对比度有显著性差异(P<0.01);随着试件厚度的增加,色差显著减小,对比度显著增大。IPS Empress玻璃陶瓷的厚度对其色遮蔽能力有显著影响,临床上选择IPS Empress玻璃陶瓷修复体时应考虑此影响。

应用于MOEMS器件的K9玻璃湿法刻蚀工艺的研究

介绍了以K9玻璃为基体材料MOEMS器件的湿法刻蚀工艺。选择了光刻胶,铬,氮化硅,ITO等多种材料作为基底材料抗腐蚀的掩膜,利用多种不同成分的刻蚀剂进行了对比刻蚀试验,研究了刻蚀环境温度对保护膜的影响。对比与分析了多种试验结果并对其适用范围进行了适当的评价。

玻璃微透镜阵列的制作工艺研究

对以玻璃为基材的微透镜阵列的制作工艺进行了研究,得出了影响微透镜阵列制作的三个主要因素:玻璃组分、腐蚀方法以及抗蚀掩模层材料。并通过实验详细分析了这三者对实验结果的影响。根据分析结果,选择合适的材料和工艺方法,获得了效果较好的玻璃微透镜阵列,为玻璃微透镜阵列的制作提供了依据和方法。

玻璃幕墙的几何形状对反射太阳光引起的视觉掩盖效应的量化研究

由于建筑物外形结构的复杂性,出现了不同几何形状的玻璃幕墙,这些玻璃幕墙对入射太阳光有高的反射率和强的聚焦性。在理论上,推导出理想情况下,太阳光直射玻璃幕墙的辐射通量和玻璃幕墙对入射太阳光的反射通量;人眼成像过程中产生视觉掩盖效应时,整幅图像的含噪声水平和信噪比。通过实地测量的方法,分别测量出两种类型玻璃幕墙反射太阳光时,反射光线的能量分布情况。分析试验结果,得出玻璃幕墙反射太阳光造成人眼视觉掩盖效应的结论。

Pyrex 7740玻璃深刻蚀掩模研究

玻璃湿法深刻蚀掩模常采用低压化学气相沉积(LPCVD)多晶硅、Cr/Au金属层+光刻胶等,但往往会在玻璃中引入应力,影响后期应用(如阳极键合),而且Cr/Au金属层价格昂贵。为避免以上缺点,引入了SX AR—PC 5000/40保护胶+WBR2075干膜作为玻璃的刻蚀掩模,在HF︰NH4F,HF︰HCl,HF︰HCl︰NH4F刻蚀溶液中进行了大量实验。实验结果表明:SX AR—PC 5000/40抗腐蚀能力强,且成功实现了对Pyrex 7740玻璃131μm的深刻蚀。整个工艺过程与IC工艺兼容,可以进行圆片级批量加工。实验结果对圆片级封装和其他MEMS器件的制作有一定参考作用。

新型玻璃刻蚀用光刻胶的研制

采用环氧树脂改性超支化聚酯制备了玻璃刻蚀用的光刻胶掩膜,研究了该感光树脂的感光活性、耐刻蚀性,以及加入HCI、HNO_3后刻蚀对玻璃刻蚀的影响。结果表明,所得感光树脂对玻璃有较好的附着力,厚度为40～50μm的胶膜在ω(HF)为40％的溶液中抗浮胶时间超过6 min,光刻胶初始曝光时间T_0为2．7 s,反差值γ_(gel)为2．8;混合刻蚀剂对载玻片玻璃的刻蚀速度≥35μm/min;以该光刻胶为单层掩膜,可得到线宽50μm的清晰刻蚀图样,玻璃的刻蚀深度超过38μm。

车削掩模的石英非球面微透镜阵列制作方法

为解决石英非球面微透镜阵列加工所面临的工艺可控性差且面型精度不高这两大难点,提出了一种基于车削掩模刻蚀的石英玻璃元件制作方法。该方法主要使用了单点金刚石车削加工技术与反应离子刻蚀技术,研究了掩模材料车削及刻蚀性能,并利用实验优选出掩模材料,最后进行了面积为5 mm×5 mm石英玻璃非球面微透镜阵列的制备。通过实验结果与预期参数进行对比,分析表明,该方法制作的石英玻璃元件误差均方根为1.155 nm,面型精度误差0.47%。

普通玻璃光刻版对产品成品率影响的研究

介绍了半导体工艺中光刻版的重要作用,特别针对在实际工艺中使用普通玻璃材质光刻版对产品造成的成品率波动问题。通过对大量实验中失效现象的分析总结,找出波动产生的原因,并且根据实际采集数据进一步验证。最后得出结论:由于使用普通玻璃光刻版,使该产品的对位一直处于临界状态;当在单台设备上作业时,由于不存在设备之间的匹配问题,因而没有发生大规模的良率波动问题;但是,当使用多台设备交叉作业时,就不可避免地发生了良率的波动。

Pyrex玻璃凹槽刻蚀及槽底粗糙度研究

介绍了用于电容式微传感器的玻璃基底加工方法。目前玻璃刻蚀掩膜层的制作工艺复杂,实验中采用机械掩膜方法,较简单地腐蚀出玻璃凹槽,没有脱膜或钻蚀现象。同时对凹槽底面粗糙度进行了研究,并提出了改善方法,得到粗糙度为(Ra=1.5 nm)的玻璃底面,有利于制作平整的电极。

一种防眼镜片起雾口罩的设计与应用

本文介绍一种防眼镜片起雾口罩的设计与应用方法,旨在确保口罩防护效果,提升佩戴舒适度。

蒙砂粉熟化过程与蚀刻玻璃表面的研究

固体蒙砂粉的熟化质量是决定玻璃蚀刻效果的重要因素。用X射线衍射(XRD)、能谱仪(EDS)、拉曼光谱、粘度计、Zeta电位和碱滴定等方法研究了用柠檬酸和氟化氢铵为主要成分配制的蒙砂粉的理化性质随熟化时间的变化规律,考察和评价了熟化时间对GG6手机盖板玻璃蚀刻效果的影响。结果表明:熟化时间为36 h,得到的熟化液的黏度和氢离子浓度最大,GG6玻璃蚀刻后的粗糙度为265 nm、雾度为84%、透光率为92.4%、光泽度为11.7%,符合工业上手机玻璃盖板的蚀刻加工质量要求,蚀刻后的GG6玻璃表面形成一层微量的氟硅酸物晶体,构成的微纳蚀孔结构更均匀。测定蒙砂液的理化性质能有助于更好地了解蒙砂粉的熟化过程,对蒙砂粉蚀刻工艺具有指导作用,提高玻璃防眩工艺的生产效率。

道路照明灯玻璃面罩对LED灯具性能的影响

LED灯的环境可靠性、光效以及光通量维持率可靠性是当前市场的关注重点。本文从灯具结构设计上比较了道路南北两侧有无玻璃面罩的两款LED路灯,旨在探究玻璃面罩对灯具性能的影响。将两款不同使用年限的LED灯进行返厂实测,根据灯具清洁前后光效、光通量变化率以及污染光损差异的数据,得到玻璃面罩对LED灯具性能的影响。结果表明,玻璃面罩能有效维持LED灯光效和光通量,防护性能好,且比无玻璃面罩LED灯更易清洗维护。经济性上生产成本虽增加,但维修成本下降。这为LED灯性能保持提供了一定程度上的结构设计参考。

Pyrex7740玻璃通孔湿法腐蚀技术研究

本文研究报道了Pyrex7740玻璃湿法腐蚀通孔技术。将四寸硅玻璃键合圆片的玻璃衬底减薄,并在玻璃上分别制备PECVD SiC、W/Au和PECVD多晶硅三种不同掩膜及其开口,最终利用40%HF腐蚀实现玻璃通孔。整个工艺过程与IC工艺兼容,并可进行圆片级批量加工。观察并研究纵向和横向腐蚀过程和通孔形貌,对比三种不同腐蚀掩膜掩蔽效果。本文研究结果为圆片级密封封装及其它MEMS器件奠定了基础。