H2Se气态硒化后退火温度对CIGS薄膜中Ga再分布的影响

采用H2Se气体在400℃下对溅射的Cu-In-Ga金属预制层进行硒化处理制备CIGS薄膜，然后采用原位退火的方法改善Ga元素在CIGS薄膜内的纵向分布和薄膜内的晶粒尺寸，研究退火温度对CIGS薄膜表面Ga元素含量和结晶性的影响。CIGS薄膜中Ga元素的分布决定薄膜的禁带宽度和太阳电池的开路电压，通过优化退火温度，CIGS太阳电池的转换效率相对增益达到20％，最终达到14．39％的转换效率和590mV的开路电压。

H_2Se(~1A_1)分子的解析势能函数

使用密度泛函B3LYP方法和6-311++G^(**)基组,在优化H_2Se(~1A_1)基态结构,确定其正确离解极限,计算所有两体项和三体项参数基础上,建立了H_2Se(~1A_1)的多体项展式解析势能函数.其中对处于激发态两体项HSe(A^2∑^+)的计算,则使用对称匹配耦合簇一组态相关SAC—CI方法.H_2Se(~1A_1)的等值势能图准确地表现了其结构和势能面的特征.

ZnSe的MOVPE生长相图：以DMZn和H_2Se为源

本文基于热力学平衡计算，首次给出以ＤＭＺｎ和Ｈ２Ｓｅ为源，ＭＯＶＰＥ生长ＺｎＳｅ的相图．文中讨论了ＺｎＳｅ单一凝聚相区的范围，以及可能出现ＺｎＳｅ（ｓ）＋Ｚｎ（ｓ）或ＺｎＳｅ（ｓ）＋Ｓｅ（ｌ）两种双凝聚相区的条件．

H_2Se气体硒化中温度对CIGS吸收层特性的影响

采用H_2Se气体对铜-铟-镓金属预制层进行硒化制备铜铟镓硒(CIGS)光吸收层,研究硒化过程中温度对CIGS结晶质量及光学特性的影响。400~500℃单一温度硒化制作的CIGS薄膜的表面平整性较差,存在颗粒状聚集物。在硒化前引入200℃低温预处理过程,可提高CIGS薄膜表面的平整性和致密性。在400℃硒化后导入500℃高温热处理过程可提高CIGS的结晶质量并改善Ga元素掺入的均匀性。光学特性测量显示,优化硒化温度可降低CIGS薄膜的缺陷态,从而提高Ga元素在薄膜中的掺入效果,CIGS薄膜的光学带隙可达1.14 e V。利用CIGS薄膜制备的太阳电池光电转换效率达13.1%,开压为519 m V,有效面积为0.38 cm^2。

CVD方法制备ZnSe系统中尾气的处理

CVDZnSe是目前光学性能最好的红外光学材料之一。但在制备CVDZnSe时,尾气中未反应完全的剧毒硒化氢气体,对操作人员及环境的危害很大。采用逆流填料塔来吸收CVD方法制备ZnSe系统中的剧毒尾气硒化氢。为加快传质速率,提高吸收率,选用NaOH溶液作吸收液;利用H2Se气体与此溶液反应,降低气体在水溶液中的浓度,加大传质推动力;选择了具有高效分离因子的填料以减小塔身的高度和直径。并且对循环吸收液进行氧化,双重过滤等处理。最后用型号为TX-FMD的H2Se检测仪测量处理后的尾气中H2Se气体的含量,达到排放要求。

H_2^(80)Se分子的26个振动带转动结构的全拟合分析

阐述了全拟合分析方法的理论基础，通过对Ｈ２８０Ｓｅ分子２４个已知转动结构振动带的３５１６个上态能级的全拟合分析，得到１１２个基本光谱参数，拟合偏差为１０．６×１０－３ｃｍ－１。用这套基本光谱参数精确预言了首次记录的Ｈ２８０Ｓｅ分子（５００，Ａ１）和（４０１，Ｂ２）局域模振动带的转动结构，并在简正模和局域模下分别拟合得到有效振转光谱参数。将归属得到的Ｈ２８０Ｓｅ分子（５００，Ａ１）和（４０１，Ｂ２）振动带的２５２个上态能级并入全拟合中，得到１１４个基本光谱参数，拟合偏差为９．６２×１０－３ｃｍ－１。

SAC-CI方法对H_2Se和H_2Te电离态的理论计算

采用对称匹配组态相互作用(SAC-C I)方法研究了H2Se和H2Te的电离态,结合H2Se+和H2Te+对这些电离态进行了指认.计算和指认结果表明,H2Se和H2Te分子的外层分子轨道是量子数n不同的相同分子轨道a1,b2,a1,b1;单极子强度较大而能量较低的电离态12B1,12A1,12B2,22A1为H2Se+和H2Te+的电子基态和激发态,能量较高的电离态为H2Se+和H2Te+的高激发态;在电子的跃迁和电离过程中,能量较低的四个电离态的形成主要是单电子过程,而能量较高的电离态其形成过程主要是两电子过程.其中许多能量较高的电离态的形成具有2h1p的特征.计算结果与实验数据比较表明,SAC-C I理论值与实验值吻合很好.

XH_n型气相分子的合成技术

ＸＨｎ型气相分子的合成技术周泽义邓珂朱清时（中国科技大学选键化学开放实验室２３００２６）近年来，分了局域模振动的光谱理论研究已成为分子光谱学引人入胜的前沿领域［１］，而研究分子局域模振动最具说服力的分子对象就是ＸＨｎ型气相分子。Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓ、...